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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118173689A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410332126.2
申请日：2024-03-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种双层钝化层、LED芯片及其制作方法，本发明的双层钝化层，作为客体的保护膜；客体包括客体本体和设置于客体本体第一表面的至少一个露出部；双层钝化层包括第一钝化层和第二钝化层。对第一钝化层进行均匀化退火处理，能够细化晶粒，减少膜层内部的孔隙、位错等缺陷，增加第一钝化层的致密度，提高客体的防潮能力，增大膜层的增透性，增大光效。第二钝化层层叠于第一表面区域延伸至露出部的侧壁，将第一钝化层与露出部接触的位置包裹，进一步阻止水汽的渗入提高可靠性。设置多层钝化层会增大光学耗损，第二钝化层仅层叠于第一表面区域而不覆盖第一钝化层的第二表面区域，在提高可靠性的同时，能够降低第二钝化层对光学性能的影响。
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公开(公告)号：CN116454188A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310457123.7
申请日：2023-04-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种LED芯片的制备方法以及LED芯片，该方法包括：提供一衬底，在衬底上形成外延结构，在外延结构上形成P电极和N电极，形成P电极包括：以第一蒸镀速率形成第一金层，以第二蒸镀速率形成第二金层，以第三蒸镀速率形成第三金层，形成N电极包括：以第一蒸镀速率形成第四金层，以第二蒸镀速率形成第五金层，以第三蒸镀速率形成第六金层，第二蒸镀速率大于或小于第一蒸镀速率和第三蒸镀速率，使得P电极和N电极中的相邻金层的孔隙错开，尽可能的抑制P电极和N电极的金层中存在贯通整个金层的孔隙，降低盐雾环境中的氯离子进入到电极内部的可能性，提高LED芯片在盐雾环境中的可靠性。
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公开(公告)号：CN116065124A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211685513.1
申请日：2022-12-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种蒸镀装置及蒸镀方法，在对LED芯片的电极中的各材料进行蒸镀的过程中，对于任一材料膜层，通过旋转监控系统中的晶振片转盘使晶振片转盘上的多个晶振片中的一个晶振片位于蒸发系统的蒸汽开口内的预设位置上，监控该材料膜层的镀膜过程，不同材料膜层对应的晶振片不同，以避免不同材料膜层因材料密度、应力等差异造成的晶振片对膜层监控的差异，提高晶振片监控精度，提升蒸镀形成LED芯片电极中的各材料膜层的均匀性和稳定性，同时降低由于晶振片监控不同材料镀膜应力失配造成的晶振片跳频概率，提升晶振片的可靠性，并且，相同材料膜层采用相同晶振片监控，提升晶振控制精度，使相同材料膜层的蒸镀均匀性、稳定性较好。
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公开(公告)号：CN115360278A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210997930.3
申请日：2022-08-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了本发明提供了一种微型发光器件及其制备方法，通过将第一金属反射层层叠于具有岛状结构的透明导电层的表面，使得经第一金属反射层向下反射的光在岛状结构处形成漫反射效果，再经第二、第三反射层反射进一步扩大发光角度；所述第一金属反射层和所述透明导电层通过合金工艺与所述第二型半导体层形成欧姆接触的同时，由于第一金属反射层具有导电性能，且其电阻值低于透明导电层，更有利于电流的横向传导，从而降低电压，进一步提升微型发光器件的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN116364830A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310352619.8
申请日：2023-04-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括：衬底、外延结构、P电极、N电极以及钝化层，其中，P电极包括第一P电极和第二P电极，N电极包括第一N电极和第二N电极，钝化层与P电极对应的部分同P电极形成了金属‑钝化层‑金属的层叠结构，与N电极对应的部分同N电极形成了金属‑钝化层‑金属的层叠结构，即钝化层与电极结构相对应的部分被电极结构中的顶层金属电极所包覆，使得环境中的水汽不会直接接触到钝化层与第一P电极以及第一N电极的接触面所存在的孔隙，有效避免LED芯片水汽渗透的发生，从而避免LED芯片在逆压环境中发生微短路，提高了LED芯片在实际应用中的可靠性。
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