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公开(公告)号：CN118693212A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410887636.6
申请日：2024-07-03
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种反射结构、LED芯片及其制作方法，其中反射结构中保护层至少覆盖反射层在第一方向上的一侧表面能够防止银金属从被覆盖的表面迁移；并且，保护层上设置若干凹槽，反射层嵌入凹槽内增加保护层对反射层的包裹性，能够更好的防止银金属迁移，增加LED芯片的可靠性。LED芯片具有上述的反射结构，且所述反射结构层叠于所述第一型半导体层和/或所述第二型半导体层。LED芯片的制作方法用于制作上述的LED芯片。
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公开(公告)号：CN116864591A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202311051332.8
申请日：2023-08-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过设置所述第二电极(金属反射)、钝化层(介质层)、第二接触孔、电流阻挡层(介质层)以及透明导电层(导电层)的相互结构关系形成ODR结构，光线在所述复合区域可形成全反射，从而使第二电极对应复合区域的光线被反射后从LED芯片的上表面取出，藉以有效地提升光提取效率；同时，在所述第二电极的正下方设有所述电流阻挡层，可很好地防止LED芯片从第二电极(P型电极)注入的电流集中在电极正下方而造成的电流拥挤现象。
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公开(公告)号：CN118712305A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410843865.8
申请日：2024-06-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/42
Abstract: 一种LED芯片及其制作方法，LED芯片具有位于衬底一侧表面的外延结构，外延结构至少包括沿第一方向依次层叠的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层；第一方向垂直于衬底并由衬底指向外延结构；在所述第二型半导体层背离所述有源层的一侧表面依次层叠的第一透明导电层、第二透明导电层；其中，所述第二透明导电层具有图形化表面。由于设置了双层透明导电层，可以通过调整第一透明导电层和第二透明导电层的生长工艺，使得第一透明导电层具有良好的欧姆接触，第二透明导电层具有较高的透过率。并且，在第二透明导电层上具有图像化表面，可以提高光提取效率。一种LED芯片的制作方法用于制作上述LED芯片。
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公开(公告)号：CN119677260A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411770114.4
申请日：2024-12-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/841 , H10H20/84 , H10H20/01
Abstract: 本申请提供一种LED芯片及其制作方法，LED芯片包括：衬底；设于衬底一侧表面并沿第一方向依次布设的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层、第一钝化层、反射层和第二钝化层；第一方向垂直于衬底并由衬底指向有源层；反射层靠近第一钝化层的一侧设有若干阵列设置的凹槽，各凹槽的开口朝向第一钝化层，且各凹槽的槽壁为曲面，以将进入凹槽的光整形收束后反射至出光面；与第一型半导体层电连接的第一电极；与第二型半导体层电连接的第二电极。该LED芯片能够减小光在LED芯片出光面的入射角度，进而降低光线被全反射的概率，提高光提取效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119967972A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510270268.5
申请日：2025-03-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/841 , H10H20/831 , H10H20/815 , H10H20/821 , H10H20/816 , H10H20/857 , H10H29/14
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片、高压LED芯片及发光装置，通过在发光台面设置使所述第一绝缘层与所述透明导电层、第二绝缘层、第二电极具有复合区域，从而通过所述透明导电层、第一绝缘层、第二电极以及第二绝缘层的相互结构关系形成ODR结构，光线在所述复合区域可形成全反射，从而使第二电极对应复合区域的光线被反射后从LED芯片的上表面取出，藉以有效地提升光提取效率；同时，由于所述第二绝缘层设置于所述外延叠层的表面和第一电极/第二电极的部分表面，在所述第二电极的边缘可形成具有不同延伸方向的第一绝缘层与第二绝缘层以构建具有夹角的连接结构，可有效缓解LED芯片在特殊环境(如高温高压等)下所产生的张应力扩散，从而提高功能介质层(如透明导电层、绝缘层等)被焊崩或焊裂的风险，进而影响LED芯片的可靠性；并通过第一绝缘层与第二绝缘层的双重保护以提升LED芯片的防水汽能力。
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公开(公告)号：CN119092614A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411369990.6
申请日：2024-09-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种LED芯片及其制作方法，LED芯片的第二型半导体层包括正对第二电极的第一区域和剩余的第二区域；电流阻挡保护层组包括阻挡层和保护层；阻挡层位于第一区域；保护层至少覆盖第二区域，并导通透明导电层和第二型半导体层；透明导电层仅层叠于第二区域的保护层上，第二电极通过透明导电层和/或保护层与第二型半导体层导通。电流阻挡保护层组，将第二型半导体层全部覆盖，避免制作透明导电层时等离子体轰击到第二型半导体层产生缺陷。电流阻挡保护层组通过分区域设置阻挡层和保护层使得电流阻挡保护层组既能保护第二型半导体层，又能阻挡电流。
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公开(公告)号：CN119967971A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510270263.2
申请日：2025-03-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/841 , H10H20/831 , H10H20/815 , H10H20/821 , H10H20/816 , H10H20/857 , H10H29/14
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片、高压LED芯片及发光装置，通过在所述透明导电层的表面设置第一绝缘层，且所述第一绝缘层具有通孔设置区域，所述通孔设置区域具有多个通孔，通过通孔形成图形，从而改变了LED的表面结构，有助于减少全反射，让更多的光通过通孔逃逸出来。此外，本技术方案，使所述第一绝缘层与所述透明导电层、第二绝缘层、第二电极具有复合区域，从而通过所述透明导电层、第一绝缘层、第二电极以及第二绝缘层的相互结构关系形成ODR结构，光线在所述复合区域可形成全反射，从而使第二电极对应复合区域的光线被反射后从LED芯片的上表面取出，藉以有效地提升光提取效率。
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公开(公告)号：CN118173689A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410332126.2
申请日：2024-03-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种双层钝化层、LED芯片及其制作方法，本发明的双层钝化层，作为客体的保护膜；客体包括客体本体和设置于客体本体第一表面的至少一个露出部；双层钝化层包括第一钝化层和第二钝化层。对第一钝化层进行均匀化退火处理，能够细化晶粒，减少膜层内部的孔隙、位错等缺陷，增加第一钝化层的致密度，提高客体的防潮能力，增大膜层的增透性，增大光效。第二钝化层层叠于第一表面区域延伸至露出部的侧壁，将第一钝化层与露出部接触的位置包裹，进一步阻止水汽的渗入提高可靠性。设置多层钝化层会增大光学耗损，第二钝化层仅层叠于第一表面区域而不覆盖第一钝化层的第二表面区域，在提高可靠性的同时，能够降低第二钝化层对光学性能的影响。
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公开(公告)号：CN220627836U
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202322242849.7
申请日：2023-08-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种LED芯片，通过设置所述第二电极(金属反射)、钝化层(介质层)、第二接触孔、电流阻挡层(介质层)以及透明导电层(导电层)的相互结构关系形成ODR结构，光线在所述复合区域可形成全反射，从而使第二电极对应复合区域的光线被反射后从LED芯片的上表面取出，藉以有效地提升光提取效率；同时，在所述第二电极的正下方设有所述电流阻挡层，可很好地防止LED芯片从第二电极(P型电极)注入的电流集中在电极正下方而造成的电流拥挤现象。
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