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公开(公告)号：CN119092614A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411369990.6
申请日：2024-09-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种LED芯片及其制作方法，LED芯片的第二型半导体层包括正对第二电极的第一区域和剩余的第二区域；电流阻挡保护层组包括阻挡层和保护层；阻挡层位于第一区域；保护层至少覆盖第二区域，并导通透明导电层和第二型半导体层；透明导电层仅层叠于第二区域的保护层上，第二电极通过透明导电层和/或保护层与第二型半导体层导通。电流阻挡保护层组，将第二型半导体层全部覆盖，避免制作透明导电层时等离子体轰击到第二型半导体层产生缺陷。电流阻挡保护层组通过分区域设置阻挡层和保护层使得电流阻挡保护层组既能保护第二型半导体层，又能阻挡电流。
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