公开(公告)号：CN116864591A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202311051332.8

申请日：2023-08-21

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 陈帅城 ,  杨德佑 ,  张佳宏 ,  叶玲娜 ,  黄俊杰

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过设置所述第二电极(金属反射)、钝化层(介质层)、第二接触孔、电流阻挡层(介质层)以及透明导电层(导电层)的相互结构关系形成ODR结构，光线在所述复合区域可形成全反射，从而使第二电极对应复合区域的光线被反射后从LED芯片的上表面取出，藉以有效地提升光提取效率；同时，在所述第二电极的正下方设有所述电流阻挡层，可很好地防止LED芯片从第二电极(P型电极)注入的电流集中在电极正下方而造成的电流拥挤现象。

公开(公告)号：CN220627836U

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202322242849.7

申请日：2023-08-21

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 陈帅城 ,  杨德佑 ,  张佳宏 ,  叶玲娜 ,  黄俊杰

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00

Abstract: 本实用新型提供了一种LED芯片，通过设置所述第二电极(金属反射)、钝化层(介质层)、第二接触孔、电流阻挡层(介质层)以及透明导电层(导电层)的相互结构关系形成ODR结构，光线在所述复合区域可形成全反射，从而使第二电极对应复合区域的光线被反射后从LED芯片的上表面取出，藉以有效地提升光提取效率；同时，在所述第二电极的正下方设有所述电流阻挡层，可很好地防止LED芯片从第二电极(P型电极)注入的电流集中在电极正下方而造成的电流拥挤现象。