公开(公告)号：CN119967971A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510270263.2

申请日：2025-03-07

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 杨德佑 ,  叶玲娜 ,  何剑 ,  邬新根 ,  陈帅城 ,  费云瑞 ,  张佳宏

IPC: H10H20/841 ,  H10H20/831 ,  H10H20/815 ,  H10H20/821 ,  H10H20/816 ,  H10H20/857 ,  H10H29/14

Abstract: 本发明提供了一种LED芯片、高压LED芯片及发光装置，通过在所述透明导电层的表面设置第一绝缘层，且所述第一绝缘层具有通孔设置区域，所述通孔设置区域具有多个通孔，通过通孔形成图形，从而改变了LED的表面结构，有助于减少全反射，让更多的光通过通孔逃逸出来。此外，本技术方案，使所述第一绝缘层与所述透明导电层、第二绝缘层、第二电极具有复合区域，从而通过所述透明导电层、第一绝缘层、第二电极以及第二绝缘层的相互结构关系形成ODR结构，光线在所述复合区域可形成全反射，从而使第二电极对应复合区域的光线被反射后从LED芯片的上表面取出，藉以有效地提升光提取效率。

公开(公告)号：CN116864591A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202311051332.8

申请日：2023-08-21

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 陈帅城 ,  杨德佑 ,  张佳宏 ,  叶玲娜 ,  黄俊杰

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过设置所述第二电极(金属反射)、钝化层(介质层)、第二接触孔、电流阻挡层(介质层)以及透明导电层(导电层)的相互结构关系形成ODR结构，光线在所述复合区域可形成全反射，从而使第二电极对应复合区域的光线被反射后从LED芯片的上表面取出，藉以有效地提升光提取效率；同时，在所述第二电极的正下方设有所述电流阻挡层，可很好地防止LED芯片从第二电极(P型电极)注入的电流集中在电极正下方而造成的电流拥挤现象。

公开(公告)号：CN119967972A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510270268.5

申请日：2025-03-07

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 陈帅城 ,  叶玲娜 ,  杨德佑 ,  邬新根 ,  费云瑞 ,  张佳宏 ,  何剑

IPC: H10H20/841 ,  H10H20/831 ,  H10H20/815 ,  H10H20/821 ,  H10H20/816 ,  H10H20/857 ,  H10H29/14

Abstract: 本发明提供了一种LED芯片、高压LED芯片及发光装置，通过在发光台面设置使所述第一绝缘层与所述透明导电层、第二绝缘层、第二电极具有复合区域，从而通过所述透明导电层、第一绝缘层、第二电极以及第二绝缘层的相互结构关系形成ODR结构，光线在所述复合区域可形成全反射，从而使第二电极对应复合区域的光线被反射后从LED芯片的上表面取出，藉以有效地提升光提取效率；同时，由于所述第二绝缘层设置于所述外延叠层的表面和第一电极/第二电极的部分表面，在所述第二电极的边缘可形成具有不同延伸方向的第一绝缘层与第二绝缘层以构建具有夹角的连接结构，可有效缓解LED芯片在特殊环境(如高温高压等)下所产生的张应力扩散，从而提高功能介质层(如透明导电层、绝缘层等)被焊崩或焊裂的风险，进而影响LED芯片的可靠性；并通过第一绝缘层与第二绝缘层的双重保护以提升LED芯片的防水汽能力。

公开(公告)号：CN119967966A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510299419.X

申请日：2025-03-13

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 陈帅城 ,  邬新根 ,  费云瑞 ,  何剑 ,  张佳宏 ,  刘泽文 ,  王璐

IPC: H10H20/831 ,  H10H20/833 ,  H10H20/84 ,  H10H20/01

Abstract: 一种LED芯片及其制作方法，LED芯片包括衬底、设于衬底一侧表面的外延叠层、第一电极、第一透明导电层、第二电极和第二透明导电层；外延叠层包括沿背离衬底的方向依次层叠的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层；第一透明导电层层叠于第二型半导体层背离衬底的部分表面，并设有裸露第二型半导体层的第一孔；第二电极覆盖第一透明导电层背离衬底的部分表面，并通过第一孔与第二型半导体层电连接；第二透明导电层至少覆盖第二电极的侧壁和背离所衬底的部分表面。通过两层透明导电层形成上下两层将第二电极夹住的结构，保证第二电极与透明导电层欧姆接触的同时，改善第二电极与芯片其它膜层的粘附性，提升焊线可靠性。

公开(公告)号：CN220627836U

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202322242849.7

申请日：2023-08-21

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 陈帅城 ,  杨德佑 ,  张佳宏 ,  叶玲娜 ,  黄俊杰

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00

Abstract: 本实用新型提供了一种LED芯片，通过设置所述第二电极(金属反射)、钝化层(介质层)、第二接触孔、电流阻挡层(介质层)以及透明导电层(导电层)的相互结构关系形成ODR结构，光线在所述复合区域可形成全反射，从而使第二电极对应复合区域的光线被反射后从LED芯片的上表面取出，藉以有效地提升光提取效率；同时，在所述第二电极的正下方设有所述电流阻挡层，可很好地防止LED芯片从第二电极(P型电极)注入的电流集中在电极正下方而造成的电流拥挤现象。