公开(公告)号：CN119677260A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411770114.4

申请日：2024-12-04

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 唐阳 ,  王恩泽 ,  高俊 ,  杨德佑 ,  潘健

IPC: H10H20/841 ,  H10H20/84 ,  H10H20/01

Abstract: 本申请提供一种LED芯片及其制作方法，LED芯片包括：衬底；设于衬底一侧表面并沿第一方向依次布设的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层、第一钝化层、反射层和第二钝化层；第一方向垂直于衬底并由衬底指向有源层；反射层靠近第一钝化层的一侧设有若干阵列设置的凹槽，各凹槽的开口朝向第一钝化层，且各凹槽的槽壁为曲面，以将进入凹槽的光整形收束后反射至出光面；与第一型半导体层电连接的第一电极；与第二型半导体层电连接的第二电极。该LED芯片能够减小光在LED芯片出光面的入射角度，进而降低光线被全反射的概率，提高光提取效率。

公开(公告)号：CN119997689A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510217243.9

申请日：2025-02-26

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 苏童 ,  刘伟 ,  邬新根 ,  高俊 ,  潘建

IPC: H10H20/841 ,  H10H20/856 ,  H10H20/84 ,  H10H20/01 ,  H10H29/30

Abstract: 本发明提供了一种倒装LED芯片及其制备方法、设备，涉及半导体技术领域。在DBR层背离衬底的一侧设置堆叠膜层，所述堆叠膜层包括在所述第一方向上依次层叠设置的N层第一膜层，N≥2，且N为正整数；其中第i层第一膜层的折射率大于第i+1层第一膜层的折射率，N＞i≥1，且i为正整数。换言之，在DBR层上设置折射率逐渐减小的N层第一膜层，使得光在通过内部界面时进行多次反射与透射，进一步增强了对内部光的反射作用，进而对DBR层在大角度掠射情况下反射较差的情况进行改善，提高DBR层对大角度入射的光的反射性能。