公开(公告)号：CN119208466A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411335743.4

申请日：2024-09-24

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 刘伟 ,  邬新根 ,  王锐 ,  王恩泽 ,  苏童

IPC: H01L33/00 ,  H01L23/544 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62

Abstract: 本发明提供了一种微型LED芯片及其制作方法，本申请提供的微型LED芯片的制作方法，通过深刻蚀外延叠层，形成通过切割道相互间隔排布的若干个子外延叠层和与其对应设置的切割对准结构，其中，切割对准结构通过沟道与对应的子外延叠层间隔设置，沟道为切偏控制线，可在通过切割道实现LED芯片器件的物理分离时提高切割对准精度，进而提升切割良率；此外，在切割道预设区表面形成光刻胶栅线图形，通过干法刻蚀工艺露出衬底以形成切割道，其中，光刻胶栅线图形的栅线密度沿外延叠层的中心往外延叠层的边缘方向逐渐降低，且外延叠层的边缘区域无栅线，利用与刻蚀深宽比相关的负载效应，以提高刻蚀切割道的线宽均匀性，进一步提升切割良率。

公开(公告)号：CN119997689A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510217243.9

申请日：2025-02-26

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 苏童 ,  刘伟 ,  邬新根 ,  高俊 ,  潘建

IPC: H10H20/841 ,  H10H20/856 ,  H10H20/84 ,  H10H20/01 ,  H10H29/30

Abstract: 本发明提供了一种倒装LED芯片及其制备方法、设备，涉及半导体技术领域。在DBR层背离衬底的一侧设置堆叠膜层，所述堆叠膜层包括在所述第一方向上依次层叠设置的N层第一膜层，N≥2，且N为正整数；其中第i层第一膜层的折射率大于第i+1层第一膜层的折射率，N＞i≥1，且i为正整数。换言之，在DBR层上设置折射率逐渐减小的N层第一膜层，使得光在通过内部界面时进行多次反射与透射，进一步增强了对内部光的反射作用，进而对DBR层在大角度掠射情况下反射较差的情况进行改善，提高DBR层对大角度入射的光的反射性能。