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公开(公告)号：CN116111018A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211659594.8
申请日：2022-12-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种GaN基外延结构及其制作方法、GaN基发光器件，该GaN基外延结构包括：设置在图形化蓝宝石衬底表面的堆叠结构，堆叠结构包括依次层叠岛状生长区、岛状快速合并区、超晶格生长区和GaN高质量区，其中，岛状生长区为柱状结构，其形成的晶体质量更好，位错密度更低；岛状快速合并区的原子扩散长度大于岛状生长区的原子扩散长度，能在岛状快速合并区产生位错线释放应力，并结合超晶格生长区使位错线在超晶格生长区中弯曲、倾斜，最终消失，既能获得超薄的GaN基外延结构，还能提高GaN基外延结构的晶体质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116364830A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310352619.8
申请日：2023-04-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括：衬底、外延结构、P电极、N电极以及钝化层，其中，P电极包括第一P电极和第二P电极，N电极包括第一N电极和第二N电极，钝化层与P电极对应的部分同P电极形成了金属‑钝化层‑金属的层叠结构，与N电极对应的部分同N电极形成了金属‑钝化层‑金属的层叠结构，即钝化层与电极结构相对应的部分被电极结构中的顶层金属电极所包覆，使得环境中的水汽不会直接接触到钝化层与第一P电极以及第一N电极的接触面所存在的孔隙，有效避免LED芯片水汽渗透的发生，从而避免LED芯片在逆压环境中发生微短路，提高了LED芯片在实际应用中的可靠性。
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公开(公告)号：CN115911213A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211643189.7
申请日：2022-12-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过所述第一电极作为LED芯片的一个控制接口，实现了呈水平结构的两接触电极(即第一电极和第二电极呈水平结构)或呈垂直结构的两接触电极(即基板和第二电极呈水平结构)。进一步地，本发明中，所述基板包括导电基板，其作为所述LED芯片的另一接触电极；该设计除了可以实现设计的灵活性，也可以通过测试所述第一电极、基板以及第二电极两两之间的伏安特性，以表征所述第一、第二型半导体的表面欧姆接触电阻率，从而为后续的芯片工艺设计提供数据参考，以获得高性能的LED产品。
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公开(公告)号：CN115939282A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211741516.2
申请日：2022-12-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过：在所述基板与所述外延叠层之间设有金属键合层、绝缘层、金属连接层、粘附层、金属反射层、介质层；所述介质层设置所述外延叠层朝向所述基板的一侧，并延伸至所述外延叠层的通孔侧壁；且，所述介质层具有裸露所述第二型半导体层的介质孔；所述金属反射层通过层叠于所述介质层表面的方式，形成于所述外延叠层的水平表面；所述粘附层设置于所述金属反射层的边缘；所述金属连接层通过覆盖所述粘附层的方式，与所述金属反射层形成接触。从而，实现了在所述金属反射层边缘的上下表面都具有限制效果的材料层，可避免化学试剂侵蚀所述金属反射层，以很好地保护金属反射层与介质层在边缘处的图形完整性。
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公开(公告)号：CN219106186U
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202223459698.2
申请日：2022-12-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种GaN基外延结构、GaN基发光器件，该GaN基外延结构包括：设置在图形化蓝宝石衬底表面的堆叠结构，堆叠结构包括依次层叠岛状生长区、岛状快速合并区、超晶格生长区和GaN高质量区，其中，岛状生长区为柱状结构，其形成的晶体质量更好，位错密度更低；岛状快速合并区的原子扩散长度大于岛状生长区的原子扩散长度，能在岛状快速合并区产生位错线释放应力，并结合超晶格生长区使位错线在超晶格生长区中弯曲、倾斜，最终消失，既能获得超薄的GaN基外延结构，还能提高GaN基外延结构的晶体质量。
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公开(公告)号：CN218896648U
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202223418927.6
申请日：2022-12-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种LED芯片，通过所述第一电极作为LED芯片的一个控制接口，实现了呈水平结构的两接触电极(即第一电极和第二电极呈水平结构)或呈垂直结构的两接触电极(即基板和第二电极呈水平结构)。进一步地，本实用新型中，所述基板包括导电基板，其作为所述LED芯片的另一接触电极；该设计除了可以实现设计的灵活性，也可以通过测试所述第一电极、基板以及第二电极两两之间的伏安特性，以表征所述第一、第二型半导体的表面欧姆接触电阻率，从而为后续的芯片工艺设计提供数据参考，以获得高性能的LED产品。
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