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公开(公告)号：CN115411162A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211175513.7
申请日：2022-09-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过：基板及设置于所述基板上方的第一金属层、绝缘层、第二金属层、外延叠层、第一电极以及第二电极。从而，实现了LED芯片的两个电极位于芯片同侧，但在发光区中，电流分布与垂直结构芯片类似，其电流和热量分布相较于普通的同侧电极结构更加均匀。而本方案与传统的垂直结构芯片相比，其所采用的基板不受是否导电的限制，可以采用高导热的金刚石、氮化硼、碳化硅等基板，以实现芯片更低的热阻，因此本方案可以很好地运用于高功率LED芯片。
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公开(公告)号：CN120035281A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510340467.9
申请日：2025-03-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/821 , H10H20/01 , H10H20/84 , H10H20/831 , H10H29/14
Abstract: 本发明提供一种单面发光LED芯片及其制作方法、显示器件，该单面发光LED芯片包括：在基板一侧的第二接触电极和外延叠层，其中，第二接触电极朝向外延叠层的一侧表面具有显露的第一台面，第一台面环绕外延叠层，且外延叠层背离基板的一侧表面为发光台面；第一接触电极，其通过间隔绝缘层的方式覆盖外延叠层的侧壁及第一台面，且，在部分第一台面设有绝缘材质的挡光层，用于覆盖绝缘层的侧壁，并与第一接触电极接合；其中，挡光层、第一接触电极以及第二接触电极构成的挡光结构可避免LED芯片侧面出光和光波导效应导致的杂光出现，使LED芯片发出的光从发光台面出射，以实现LED芯片的单面出光。
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公开(公告)号：CN116995149A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310749068.9
申请日：2023-06-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种深紫外垂直结构LED芯片及其制作方法，通过蚀刻工艺在外延叠层形成凹槽，凹槽裸露N型AlGaN层的部分表面后，在凹槽的底面先制作N型欧姆接触层，并对N型欧姆接触层高温退火使N型AlGaN层和N型欧姆接触层合金化，形成较低的接触势垒，在完成N型欧姆接触后再进行P型金属层和其它芯片工艺的制作，这样可以避免N型欧姆接触层高温退火对深紫外垂直LED芯片其它流程产生负面影响，进而提升深紫外垂直结构LED芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN116344724A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310195073.X
申请日：2023-03-03
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种微型发光元件及其制备方法，本发明提供的微型发光元件，包括基板及位于所述基板表面的若干个LED芯片；其中，所述基板具有若干个间隔分布的电极连接部件；所述LED芯片包括垂直结构LED芯片；所述垂直结构LED芯片横卧于所述基板表面，且所述垂直结构LED芯片的两极性电极分别与所述电极连接部件连接。同时，通过遮挡其余出光面，使光只通过一个面出射，实现了良好的发光形貌，呈朗伯分布。另外，基板表面的若干个LED芯片可以在芯片制作过程中通过晶圆级键合，实现若干个LED芯片的集成，避免了传统混光过程中的多次巨量转移，实现全彩化，并且可以突破现有芯片技术的尺寸限制，使得发光单元做得更小。
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公开(公告)号：CN119050235A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411370422.8
申请日：2024-09-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种高可靠性的通孔型垂直LED芯片及其制作方法，其中，高可靠性的通孔型垂直LED芯片在导电基板一侧设置金属键合层、绝缘结构、集成金属层、欧姆反射层以及外延叠层；其中，外延叠层朝向导电基板的一侧设有显露有源区部分表面的沟道，绝缘结构设置于外延叠层朝向导电基板的一侧，并覆盖沟道、集成金属层及外延叠层的裸露面，通过绝缘结构对沟道进行绝缘，可避免LED芯片在形成切割道时侧壁直接裸露PN结被短路造成侧壁漏电的风险，进而提高LED芯片可靠性和稳定性，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117542944A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311706858.5
申请日：2023-12-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法，其中，通孔型垂直结构LED芯片在导电基板一侧设置金属键合层、防扩散结构、通孔反射结构、金属反射层、传导层、绝缘层以及外延叠层；其中，防扩散结构用于防止金属键合层的金属材料扩散至通孔反射结构与通孔反射结构形成合金或渗透到通孔反射结构的表面，而影响通孔反射结构的反射效果及产品的稳定性，可用来提高芯片的光提取效率及产品的可靠性，进而提升通孔型垂直结构LED芯片的亮度及可靠性，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。
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公开(公告)号：CN115732622A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211555098.8
申请日：2022-12-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过将介质层延伸至所述外延叠层的通孔侧壁；所述金属反射层通过层叠于所述介质层表面的方式，嵌入所述介质孔与所述第二型半导体层形成接触，并延伸至所述通孔的侧壁；所述金属连接层层叠于所述金属反射层背离所述介质层的一侧表面，且所述金属连接层在朝向所述外延叠层的一侧表面具有裸露面；所述绝缘层通过覆盖所述金属连接层及金属反射层的方式，延伸至所述通孔的侧壁。从而，实现了将金属反射层延伸到通孔内部，提高了通孔内部的反射率的同时，可以实现将通孔内部的热量从台面传导，以提高芯片的散热能力，可以很好地解决通孔型垂直结构LED芯片因为空洞的存在导致热量无法及时散去的问题。
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公开(公告)号：CN114628561A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210442069.4
申请日：2022-04-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，实现了将电流扩展层与PAD金属层集成到一起的制作方式，即形成集成金属层，用集成金属层取代电流扩展层；另外，在PAD制作时，通过蚀刻的方式，裸露出集成金属层中的部分表面，该裸露部分承担PAD功能，可以实现与外部的电连接。通过该方式，节省了单独制作PAD金属层的工序，节约了成本。同时，在所述外延叠层的侧壁设有用于保护LED芯片的钝化层，且基于该结构，所述钝化层与所述绝缘层可在同道光刻及刻蚀工艺中图形化，即可同步实现LED芯片的侧壁钝化以及PAD的制作。
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公开(公告)号：CN119967960A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510302286.7
申请日：2025-03-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/819 , H10H20/855 , H10H20/841 , H10H20/814 , H10H20/82 , H10H20/856 , H10H20/01
Abstract: 一种垂直结构LED芯片及其制作方法，垂直结构LED芯片包括基板以及位于基板一侧表面的键合金属层和第一绝缘层、第二反射结构和外延叠层。外延叠层包括沿背离基板的方向依次层叠的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层；外延叠层设有至少贯穿第一型半导体层和有源层，并暴露部分第二型半导体层的通孔；在第二型半导体层背离有源层的一侧表面设有与通孔对应的凸台。通过在设置与通孔对应的凸台，使得LED芯片的出光在通孔区域的散射更加充分，提高LED芯片的出光效率，提高LED芯片在通孔区域的亮度。
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公开(公告)号：CN118676281A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410795595.8
申请日：2024-06-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法，其中，通孔型垂直结构LED芯片在导电基板一侧设置金属键合层、绝缘介质结构、欧姆接触层、金属反射结构、透明导电层以及外延叠层；其中，金属反射结构沿背离外延叠层的方向依次包括层叠的金属反射镜和金属保护层；且通过金属保护层、第二型半导体层及部分绝缘介质结构形成封闭式结构将金属反射镜包覆，防止金属反射镜脱落，及金属反射镜的金属材料扩散至芯片的四周，而影响通孔反射结构的反射效果及产品的稳定性，可用来提高芯片的光提取效率及产品的可靠性，进而提升通孔型垂直结构LED芯片的亮度及可靠性，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。
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