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公开(公告)号：CN115938988A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211535831.X
申请日：2022-12-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光芯片的分选方法及系统，将同一发光圆片分选的母BIN细分为更多的子BIN，而后将子BIN对应的发光芯片按照预设固晶图分选至对应母BIN方片上固晶，由此将发光圆片进行充足的混分，使得由相同发光圆片得到的不同方片的光电性能一致性高，提高了显示屏的整面屏显示亮度的均匀性，提高了显示屏的显示效果。
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公开(公告)号：CN116364830A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310352619.8
申请日：2023-04-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括：衬底、外延结构、P电极、N电极以及钝化层，其中，P电极包括第一P电极和第二P电极，N电极包括第一N电极和第二N电极，钝化层与P电极对应的部分同P电极形成了金属‑钝化层‑金属的层叠结构，与N电极对应的部分同N电极形成了金属‑钝化层‑金属的层叠结构，即钝化层与电极结构相对应的部分被电极结构中的顶层金属电极所包覆，使得环境中的水汽不会直接接触到钝化层与第一P电极以及第一N电极的接触面所存在的孔隙，有效避免LED芯片水汽渗透的发生，从而避免LED芯片在逆压环境中发生微短路，提高了LED芯片在实际应用中的可靠性。
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公开(公告)号：CN116364831A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310336014.X
申请日：2023-03-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种高可靠性的LED芯片结构及其制备方法，该LED芯片结构包括：衬底和外延层，所述外延层具有凹槽，凹槽暴露出部分外延层中的N型半导体层；位于所述外延层背离所述衬底一侧的钝化层，所述钝化层背离所述衬底一侧的表面具有纳米疏水结构；位于所述纳米疏水结构背离所述衬底一侧的有机氟化物层。该LED芯片结构中的钝化层具有纳米疏水结构，通过纳米疏水结构和有机氟化物层，可以使得LED芯片结构的表面实现小于20的表面能，LED芯片结构表面的水滴角大于110°，这样在高温高湿环境中，水汽不容易被LED芯片结构的表面吸附或润湿，避免了吸潮现象的出现，从而提升了LED芯片结构在高温高湿环境中的可靠性能。
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公开(公告)号：CN115692569A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211521246.4
申请日：2022-11-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过提供复合衬底，所述复合衬底包括依次堆叠的第一衬底、键合层以及第二衬底；接着，在所述复合衬底表面生长外延叠层并形成对应的接触电极后，沿所述复合衬底的一侧，通过磨边工艺，使所述LED芯片的边缘裸露所述键合层；最后通过刻蚀所述键合层，同步去除所述键合层及第一衬底。如此，在避免对衬底整体进行物理研磨的同时，亦可实现对LED芯片减薄时的均匀性。同时，在本发明的LED芯片的制作过程中，无需对第二衬底进行直接加工处理，而LED芯片的最终厚度由第二衬底的厚度决定，因此，本发明的LED芯片厚度易于控制，尤其适用于小尺寸的LED芯片。
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