-
公开(公告)号：CN116454188A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310457123.7
申请日：2023-04-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种LED芯片的制备方法以及LED芯片，该方法包括：提供一衬底，在衬底上形成外延结构，在外延结构上形成P电极和N电极，形成P电极包括：以第一蒸镀速率形成第一金层，以第二蒸镀速率形成第二金层，以第三蒸镀速率形成第三金层，形成N电极包括：以第一蒸镀速率形成第四金层，以第二蒸镀速率形成第五金层，以第三蒸镀速率形成第六金层，第二蒸镀速率大于或小于第一蒸镀速率和第三蒸镀速率，使得P电极和N电极中的相邻金层的孔隙错开，尽可能的抑制P电极和N电极的金层中存在贯通整个金层的孔隙，降低盐雾环境中的氯离子进入到电极内部的可能性，提高LED芯片在盐雾环境中的可靠性。
Search Results
1
records
(took 0.028 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
