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公开(公告)号：CN113451476B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202110740250.9
申请日：2021-07-01
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种微型发光元件及其制作方法，其DBR结构层包括依次层叠的DBR黏附层、DBR反射层和DBR牺牲层，通过DBR黏附层改善后续DBR反射层的结构披覆性；并利用所述DBR牺牲层、DBR反射层及DBR黏附层的蚀刻速率依次降低的设置，通过刻蚀工艺形成具有斜侧壁的通孔，消除位于电极扩展条上方的DBR反射层与位于ITO上方的DBR反射层的高度差，形成平滑的台面，进而使得电极基本处于同一高度以提升其推拉力可靠性，避免掉电极的风险；且通过通孔的斜侧壁设置，有利于后续第一电极的披覆，并增大第一电极与DBR结构层的接触面积，使得DBR结构层与电极之间能够形成良好的黏附；进而保证发光元件的可靠性。
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公开(公告)号：CN109295427B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201811145384.0
申请日：2018-09-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种溅射靶材的清洁方法及清洁装置，该清洁方法包括利用海绵砂块的第一面对靶材的溅射面的第一区域进行第一次打磨，去除第一区域的氧化物；对第一次打磨过程中产生的打磨杂质进行第一静电吸附，去除第一次打磨过程中产生的打磨杂质；利用海绵砂块的第二面对靶材的溅射面进行第二次打磨，海绵砂块第二面的粗糙度小于海绵砂块第一面的粗糙度；对第二次打磨过程中产生的打磨杂质进行第二静电吸附，去除第二次打磨过程中产生的打磨杂质；对靶材进行烘烤；对靶材的溅射面进行等离子处理，对靶材的溅射面进行第三次打磨。通过该方法清洁靶材，可以获得更加平整的表面，避免出现尖端放电现象，并且不会造成车间污染。
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公开(公告)号：CN109295427A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811145384.0
申请日：2018-09-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种溅射靶材的清洁方法及清洁装置，该清洁方法包括利用海绵砂块的第一面对靶材的溅射面的第一区域进行第一次打磨，去除第一区域的氧化物；对第一次打磨过程中产生的打磨杂质进行第一静电吸附，去除第一次打磨过程中产生的打磨杂质；利用海绵砂块的第二面对靶材的溅射面进行第二次打磨，海绵砂块第二面的粗糙度小于海绵砂块第一面的粗糙度；对第二次打磨过程中产生的打磨杂质进行第二静电吸附，去除第二次打磨过程中产生的打磨杂质；对靶材进行烘烤；对靶材的溅射面进行等离子处理，对靶材的溅射面进行第三次打磨。通过该方法清洁靶材，可以获得更加平整的表面，避免出现尖端放电现象，并且不会造成车间污染。
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公开(公告)号：CN116243558A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310245841.8
申请日：2023-03-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: G03F7/00 , G03F7/004 , H01L33/00 , H01L27/15 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了一种基于厚光阻应用的光刻方法、LED芯片及其制作方法，在厚光阻应用时，通过弱曝光减弱图形交叉点的泊松光斑影响，在避免图形失真的同时，在后续的刻蚀工艺过程中可取消SiO2/金属的硬掩膜工艺，极大地降低生产成本；并通过低温固化、显影的循环操作，以改善厚光阻的均匀性及显影后线宽的均匀性。进一步地，通过铝盘作为承载盘进行ICP刻蚀使所述待刻蚀结构形成所述预设图形的设置，使用成本低、可塑性强、导热性能更高的铝材质的承载盘，可以很好地解决传统碳化硅载盘导热性能差、蚀刻速率低的问题；从而大大提高产能，有效地降低制造成本。
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公开(公告)号：CN115513343A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211180695.7
申请日：2022-09-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种LED芯片制备方法，首先在外延叠层背离衬底的表面旋涂负性光刻胶，然后采用第一光刻版对负性光刻胶进行第一次曝光，再采用第二光刻版对负性光刻胶进行第二次曝光，之后对经两次曝光后的负性光刻胶进行显影形成光刻胶图形，以具有光刻胶图形的负性光刻胶为掩膜，对外延叠层进行刻蚀，形成隔离沟道，隔离沟道贯穿外延叠层，直至衬底表面，以将外延叠层分隔为多个子外延叠层，并形成台面，台面裸露部分第一型半导体层，一个子外延叠层对应一个LED芯片，即本申请实施例所提供的LED芯片制备方法，仅采用旋涂一次负胶，两次曝光，并经一次刻蚀即可完成台面刻蚀和深刻蚀，工艺简单，制作成本较低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113451476A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110740250.9
申请日：2021-07-01
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种微型发光元件及其制作方法，其DBR结构层包括依次层叠的DBR黏附层、DBR反射层和DBR牺牲层，通过DBR黏附层改善后续DBR反射层的结构披覆性；并利用所述DBR牺牲层、DBR反射层及DBR黏附层的蚀刻速率依次降低的设置，通过刻蚀工艺形成具有斜侧壁的通孔，消除位于电极扩展条上方的DBR反射层与位于ITO上方的DBR反射层的高度差，形成平滑的台面，进而使得电极基本处于同一高度以提升其推拉力可靠性，避免掉电极的风险；且通过通孔的斜侧壁设置，有利于后续第一电极的披覆，并增大第一电极与DBR结构层的接触面积，使得DBR结构层与电极之间能够形成良好的黏附；进而保证发光元件的可靠性。
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公开(公告)号：CN113054060A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110291674.1
申请日：2021-03-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光元件的制备方法及发光元件，通过对所述ITO层的表面疏水处理，形成疏水表面；所述疏水表面通过将所述ITO层表面的杂质与解离的氧离子结合后排出而形成；如此，可有效除去ITO层表面的杂质(如C和/或H等)，使得ITO层的表面由亲水性转变为疏水性，提高ITO层及钝化层之间的粘附性，制备出较为致密的二氧化硅钝化层。
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公开(公告)号：CN115763649A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211519783.5
申请日：2022-11-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种微发光元件及其制备方法，将ITO工序前移，ITO/MESA合并光刻简化工艺流程，并减少ITO与MESA图形套刻偏移导致的ITO过蚀刻现象，并在未去胶的情况下通过二次匀胶、光刻，并通过一次ICP刻蚀同时形成MESA/DE图形，减少了一次ICP刻蚀降低了芯片制造成本，并增加SiO2掩膜层，在执行ICP刻蚀的过程中有效保护P型氮化镓层、ITO导电层，避免ICP过刻蚀损伤P型氮化镓层、ITO导电层，经由本发明实施例公开的制备方法不仅简化工艺，降低了芯片制造成本还增大了芯片的有效面积。
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公开(公告)号：CN113054060B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110291674.1
申请日：2021-03-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光元件的制备方法及发光元件，通过对所述ITO层的表面疏水处理，形成疏水表面；所述疏水表面通过将所述ITO层表面的杂质与解离的氧离子结合后排出而形成；如此，可有效除去ITO层表面的杂质(如C和/或H等)，使得ITO层的表面由亲水性转变为疏水性，提高ITO层及钝化层之间的粘附性，制备出较为致密的二氧化硅钝化层。
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公开(公告)号：CN108288657A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201810088020.7
申请日：2018-01-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0687 , H01L21/3065 , H01L21/304
Abstract: 本申请提供一种GaAs系多结太阳能电池及其制作方法，所述制作方法在形成半蚀刻切割道时，采用电感耦合等离子体蚀刻工艺在太阳能电池外延片上形成半蚀刻切割道，由于利用感应耦合等离子干法蚀刻GaAs聚光太阳能电池切割道，从而能够减小切割道面积损失，进而提高太阳能电池的光电转换效率。另外，还可以过特定气体，等离子钝化切割道，形成钝化膜，进一步提高太阳能电池的光电转换效率。
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