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公开(公告)号：CN108288657A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201810088020.7
申请日：2018-01-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0687 , H01L21/3065 , H01L21/304
Abstract: 本申请提供一种GaAs系多结太阳能电池及其制作方法，所述制作方法在形成半蚀刻切割道时，采用电感耦合等离子体蚀刻工艺在太阳能电池外延片上形成半蚀刻切割道，由于利用感应耦合等离子干法蚀刻GaAs聚光太阳能电池切割道，从而能够减小切割道面积损失，进而提高太阳能电池的光电转换效率。另外，还可以过特定气体，等离子钝化切割道，形成钝化膜，进一步提高太阳能电池的光电转换效率。
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