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公开(公告)号：CN109216400A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811268052.1
申请日：2018-10-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供的一种Micro LED阵列器件及其制作方法、巨量转移装置及转移方法，通过在Micro LED阵列器件的外延衬底上形成磁性纳米薄膜层，作为Micro LED阵列器件的一个电极，从而能够直接采用磁力对Micro LED阵列器件进行吸附，而无需额外增加设置磁性层，避免了磁性层的制作以及去除的工艺，能够简化Micro LED阵列器件的转移方法，进而提高Micro LED巨量转移的效率。
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公开(公告)号：CN108288657A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201810088020.7
申请日：2018-01-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0687 , H01L21/3065 , H01L21/304
Abstract: 本申请提供一种GaAs系多结太阳能电池及其制作方法，所述制作方法在形成半蚀刻切割道时，采用电感耦合等离子体蚀刻工艺在太阳能电池外延片上形成半蚀刻切割道，由于利用感应耦合等离子干法蚀刻GaAs聚光太阳能电池切割道，从而能够减小切割道面积损失，进而提高太阳能电池的光电转换效率。另外，还可以过特定气体，等离子钝化切割道，形成钝化膜，进一步提高太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN109295427B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201811145384.0
申请日：2018-09-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种溅射靶材的清洁方法及清洁装置，该清洁方法包括利用海绵砂块的第一面对靶材的溅射面的第一区域进行第一次打磨，去除第一区域的氧化物；对第一次打磨过程中产生的打磨杂质进行第一静电吸附，去除第一次打磨过程中产生的打磨杂质；利用海绵砂块的第二面对靶材的溅射面进行第二次打磨，海绵砂块第二面的粗糙度小于海绵砂块第一面的粗糙度；对第二次打磨过程中产生的打磨杂质进行第二静电吸附，去除第二次打磨过程中产生的打磨杂质；对靶材进行烘烤；对靶材的溅射面进行等离子处理，对靶材的溅射面进行第三次打磨。通过该方法清洁靶材，可以获得更加平整的表面，避免出现尖端放电现象，并且不会造成车间污染。
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公开(公告)号：CN109216400B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201811268052.1
申请日：2018-10-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供的一种Micro LED阵列器件及其制作方法、巨量转移装置及转移方法，通过在Micro LED阵列器件的外延衬底上形成磁性纳米薄膜层，作为Micro LED阵列器件的一个电极，从而能够直接采用磁力对Micro LED阵列器件进行吸附，而无需额外增加设置磁性层，避免了磁性层的制作以及去除的工艺，能够简化Micro LED阵列器件的转移方法，进而提高Micro LED巨量转移的效率。
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公开(公告)号：CN109295427A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811145384.0
申请日：2018-09-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种溅射靶材的清洁方法及清洁装置，该清洁方法包括利用海绵砂块的第一面对靶材的溅射面的第一区域进行第一次打磨，去除第一区域的氧化物；对第一次打磨过程中产生的打磨杂质进行第一静电吸附，去除第一次打磨过程中产生的打磨杂质；利用海绵砂块的第二面对靶材的溅射面进行第二次打磨，海绵砂块第二面的粗糙度小于海绵砂块第一面的粗糙度；对第二次打磨过程中产生的打磨杂质进行第二静电吸附，去除第二次打磨过程中产生的打磨杂质；对靶材进行烘烤；对靶材的溅射面进行等离子处理，对靶材的溅射面进行第三次打磨。通过该方法清洁靶材，可以获得更加平整的表面，避免出现尖端放电现象，并且不会造成车间污染。
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