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公开(公告)号：CN113451476B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202110740250.9
申请日：2021-07-01
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种微型发光元件及其制作方法，其DBR结构层包括依次层叠的DBR黏附层、DBR反射层和DBR牺牲层，通过DBR黏附层改善后续DBR反射层的结构披覆性；并利用所述DBR牺牲层、DBR反射层及DBR黏附层的蚀刻速率依次降低的设置，通过刻蚀工艺形成具有斜侧壁的通孔，消除位于电极扩展条上方的DBR反射层与位于ITO上方的DBR反射层的高度差，形成平滑的台面，进而使得电极基本处于同一高度以提升其推拉力可靠性，避免掉电极的风险；且通过通孔的斜侧壁设置，有利于后续第一电极的披覆，并增大第一电极与DBR结构层的接触面积，使得DBR结构层与电极之间能够形成良好的黏附；进而保证发光元件的可靠性。
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公开(公告)号：CN109295427B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201811145384.0
申请日：2018-09-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种溅射靶材的清洁方法及清洁装置，该清洁方法包括利用海绵砂块的第一面对靶材的溅射面的第一区域进行第一次打磨，去除第一区域的氧化物；对第一次打磨过程中产生的打磨杂质进行第一静电吸附，去除第一次打磨过程中产生的打磨杂质；利用海绵砂块的第二面对靶材的溅射面进行第二次打磨，海绵砂块第二面的粗糙度小于海绵砂块第一面的粗糙度；对第二次打磨过程中产生的打磨杂质进行第二静电吸附，去除第二次打磨过程中产生的打磨杂质；对靶材进行烘烤；对靶材的溅射面进行等离子处理，对靶材的溅射面进行第三次打磨。通过该方法清洁靶材，可以获得更加平整的表面，避免出现尖端放电现象，并且不会造成车间污染。
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公开(公告)号：CN109216400B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201811268052.1
申请日：2018-10-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供的一种Micro LED阵列器件及其制作方法、巨量转移装置及转移方法，通过在Micro LED阵列器件的外延衬底上形成磁性纳米薄膜层，作为Micro LED阵列器件的一个电极，从而能够直接采用磁力对Micro LED阵列器件进行吸附，而无需额外增加设置磁性层，避免了磁性层的制作以及去除的工艺，能够简化Micro LED阵列器件的转移方法，进而提高Micro LED巨量转移的效率。
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公开(公告)号：CN109295427A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811145384.0
申请日：2018-09-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种溅射靶材的清洁方法及清洁装置，该清洁方法包括利用海绵砂块的第一面对靶材的溅射面的第一区域进行第一次打磨，去除第一区域的氧化物；对第一次打磨过程中产生的打磨杂质进行第一静电吸附，去除第一次打磨过程中产生的打磨杂质；利用海绵砂块的第二面对靶材的溅射面进行第二次打磨，海绵砂块第二面的粗糙度小于海绵砂块第一面的粗糙度；对第二次打磨过程中产生的打磨杂质进行第二静电吸附，去除第二次打磨过程中产生的打磨杂质；对靶材进行烘烤；对靶材的溅射面进行等离子处理，对靶材的溅射面进行第三次打磨。通过该方法清洁靶材，可以获得更加平整的表面，避免出现尖端放电现象，并且不会造成车间污染。
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公开(公告)号：CN104576859A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310489600.4
申请日：2013-10-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/10
Abstract: 本发明公开一种发光二极管结构，提供一衬底，在衬底的下表面具有第一电极，在衬底的上表面依次分布DBR反射层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及电流扩展层；第二电极形成于电流扩展层之上；DBR反射层中的低折射率层被局部氧化，且各低折射率层的氧化深度在DBR反射层的法向上由下而上渐变或者周期性变化。本发明氧化层氧化深度渐变或者周期性变化使射入DBR的光线发生弯曲，从而增加DBR的反射角度，提高DBR的反射率，使芯片的亮度得到提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104979444A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410147493.1
申请日：2014-04-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有电极保护区的四元系发光二极管，在基板一面生长发光结构，在发光结构上形成第一电极，在第一电极四周形成保护区，在保护区外侧四周形成粗化层，保护区将第一电极与粗化层隔断；在基板另一面形成第二电极。本发明还公开一种具有电极保护区的四元系发光二极管制作方法，在基板上形成发光结构；在发光结构上形成第一电极，经热处理方式使第一电极与发光结构进行融合；融合后经过光刻工艺形成保护层；经过粗化工艺，使发光区形成粗化层，并在电极四周形成保护区，保护区将第一电极与粗化层隔断；在基板的另一面形成第二电极。本发明使电极免受粗化工艺腐蚀影响，提高二极管性能；保护区起到受力缓冲作用，使得电极受力更均匀。
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公开(公告)号：CN113451476A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110740250.9
申请日：2021-07-01
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种微型发光元件及其制作方法，其DBR结构层包括依次层叠的DBR黏附层、DBR反射层和DBR牺牲层，通过DBR黏附层改善后续DBR反射层的结构披覆性；并利用所述DBR牺牲层、DBR反射层及DBR黏附层的蚀刻速率依次降低的设置，通过刻蚀工艺形成具有斜侧壁的通孔，消除位于电极扩展条上方的DBR反射层与位于ITO上方的DBR反射层的高度差，形成平滑的台面，进而使得电极基本处于同一高度以提升其推拉力可靠性，避免掉电极的风险；且通过通孔的斜侧壁设置，有利于后续第一电极的披覆，并增大第一电极与DBR结构层的接触面积，使得DBR结构层与电极之间能够形成良好的黏附；进而保证发光元件的可靠性。
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公开(公告)号：CN113054060A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110291674.1
申请日：2021-03-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光元件的制备方法及发光元件，通过对所述ITO层的表面疏水处理，形成疏水表面；所述疏水表面通过将所述ITO层表面的杂质与解离的氧离子结合后排出而形成；如此，可有效除去ITO层表面的杂质(如C和/或H等)，使得ITO层的表面由亲水性转变为疏水性，提高ITO层及钝化层之间的粘附性，制备出较为致密的二氧化硅钝化层。
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公开(公告)号：CN109216400A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811268052.1
申请日：2018-10-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供的一种Micro LED阵列器件及其制作方法、巨量转移装置及转移方法，通过在Micro LED阵列器件的外延衬底上形成磁性纳米薄膜层，作为Micro LED阵列器件的一个电极，从而能够直接采用磁力对Micro LED阵列器件进行吸附，而无需额外增加设置磁性层，避免了磁性层的制作以及去除的工艺，能够简化Micro LED阵列器件的转移方法，进而提高Micro LED巨量转移的效率。
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公开(公告)号：CN108649046A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810430652.7
申请日：2018-05-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开半导体发光微显示器件，其外延结构由N-GaN、有源层至P-GaN横截面的宽度逐渐增大，透光导电层位于N-GaN表面上，连接电极位于P-GaN表面上，像素电极位于连接电极表面上，导电胶连接于透光导电层与像素电极之间。本发明还公开半导体发光微显示器件制造方法。本发明还公开衬底剥离方法。外延结构由N-GaN、有源层至P-GaN横截面的宽度逐渐增大，使得外延结构的N-GaN与衬底的接触面积较小，减小激光剥离阈值，提升激光剥离良率。
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