-
公开(公告)号：CN109216400B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201811268052.1
申请日：2018-10-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供的一种Micro LED阵列器件及其制作方法、巨量转移装置及转移方法，通过在Micro LED阵列器件的外延衬底上形成磁性纳米薄膜层，作为Micro LED阵列器件的一个电极，从而能够直接采用磁力对Micro LED阵列器件进行吸附，而无需额外增加设置磁性层，避免了磁性层的制作以及去除的工艺，能够简化Micro LED阵列器件的转移方法，进而提高Micro LED巨量转移的效率。
-
公开(公告)号：CN104576859A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310489600.4
申请日：2013-10-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/10
Abstract: 本发明公开一种发光二极管结构，提供一衬底，在衬底的下表面具有第一电极，在衬底的上表面依次分布DBR反射层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及电流扩展层；第二电极形成于电流扩展层之上；DBR反射层中的低折射率层被局部氧化，且各低折射率层的氧化深度在DBR反射层的法向上由下而上渐变或者周期性变化。本发明氧化层氧化深度渐变或者周期性变化使射入DBR的光线发生弯曲，从而增加DBR的反射角度，提高DBR的反射率，使芯片的亮度得到提升。
-
公开(公告)号：CN113054060A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110291674.1
申请日：2021-03-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光元件的制备方法及发光元件，通过对所述ITO层的表面疏水处理，形成疏水表面；所述疏水表面通过将所述ITO层表面的杂质与解离的氧离子结合后排出而形成；如此，可有效除去ITO层表面的杂质(如C和/或H等)，使得ITO层的表面由亲水性转变为疏水性，提高ITO层及钝化层之间的粘附性，制备出较为致密的二氧化硅钝化层。
-
公开(公告)号：CN109216400A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811268052.1
申请日：2018-10-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供的一种Micro LED阵列器件及其制作方法、巨量转移装置及转移方法，通过在Micro LED阵列器件的外延衬底上形成磁性纳米薄膜层，作为Micro LED阵列器件的一个电极，从而能够直接采用磁力对Micro LED阵列器件进行吸附，而无需额外增加设置磁性层，避免了磁性层的制作以及去除的工艺，能够简化Micro LED阵列器件的转移方法，进而提高Micro LED巨量转移的效率。
-
公开(公告)号：CN104979433A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410147451.8
申请日：2014-04-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有新电极结构的四元系发光二极管的制作方法，包括以下步骤：一，在基板上生长发光结构，该发光结构表层为高掺杂的GaP，掺杂浓度大于1.0E19；二，在发光结构上制作第一电极，第一电极材料为铝或/和钛金属材料；三，在发光结构上通过曝光、显影及蚀刻工艺制作电极图形；四，通过热处理方式使第一电极与发光结构融合，热处理温度介于200℃-1000℃；五，在基板另一面制作第二电极。本发明用不含黄金的电极结构取代有贵金属黄金组成的电极结构，可以降低电极材料使用成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102208508B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201010140053.5
申请日：2010-03-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/24
Abstract: 本发明公开一种发光二极管结构，包括基板、外延层、第一电极和第二电极；外延层生长在基板上，依次包括遂穿层、p型限制层、有源层、n型限制层、晶向蚀刻层和欧姆接触层，第一电极形成在欧姆接触层上，第二电极形成在基板上。其制造方法是：在一基板上生长外延层；在欧姆接触层上蒸镀形成第一电极层；用蚀刻液去蚀刻欧姆接触层，用晶向蚀刻液去腐蚀晶向蚀刻层；减薄基板，并用热蒸发的方式在基板的表面形成第二电极。本发明通过化学溶液腐蚀带有晶向蚀刻的n型层，在发光表面形成规则的光学几何形状，大大降低了全反射造成出射光的损耗，提高了出光效率，试验证明亮度可提高80％。
-
公开(公告)号：CN102208506B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201010140070.9
申请日：2010-03-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明公开一种掩埋式高亮度发光二极管结构，采用MOCVD、MBE或其他设备在基板生长外延层，外延层可以通过键合方式或某种方式转移到另一基板，出光层另一侧作为第一电极，通过掩膜保护，利用干法蚀刻或湿法蚀刻制作掩埋区，蚀刻深度越过有源层，再通过真空溅射设备掩埋区内镀制钝化膜作为隔离层，隔离层上方或附近镀制第二电极。本发明提高了电流的注入效率和发光效率。
-
公开(公告)号：CN102208508A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201010140053.5
申请日：2010-03-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/24
Abstract: 本发明公开一种发光二极管结构，包括基板、外延层、第一电极和第二电极；外延层生长在基板上，依次包括遂穿层、p型限制层、有源层、n型限制层、晶向蚀刻层和欧姆接触层，第一电极形成在欧姆接触层上，第二电极形成在基板上。其制造方法是：在一基板上生长外延层；在欧姆接触层上蒸镀形成第一电极层；用蚀刻液去蚀刻欧姆接触层，用晶向蚀刻液去腐蚀晶向蚀刻层；减薄基板，并用热蒸发的方式在基板的表面形成第二电极。本发明通过化学溶液腐蚀带有晶向蚀刻的n型层，在发光表面形成规则的光学几何形状，大大降低了全反射造成出射光的损耗，提高了出光效率，试验证明亮度可提高80％。
-
公开(公告)号：CN102208506A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201010140070.9
申请日：2010-03-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明公开一种掩埋式高亮度发光二极管结构，采用MOCVD、MBE或其他设备在基板生长外延层，外延层可以通过键合方式或某种方式转移到另一基板，出光层另一侧作为第一电极，通过掩膜保护，利用干法蚀刻或湿法蚀刻制作掩埋区，蚀刻深度越过有源层，再通过真空溅射设备掩埋区内镀制钝化膜作为隔离层，隔离层上方或附近镀制第二电极。本发明提高了电流的注入效率和发光效率。
-
公开(公告)号：CN113054060B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110291674.1
申请日：2021-03-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光元件的制备方法及发光元件，通过对所述ITO层的表面疏水处理，形成疏水表面；所述疏水表面通过将所述ITO层表面的杂质与解离的氧离子结合后排出而形成；如此，可有效除去ITO层表面的杂质(如C和/或H等)，使得ITO层的表面由亲水性转变为疏水性，提高ITO层及钝化层之间的粘附性，制备出较为致密的二氧化硅钝化层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.037 seconds)
