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公开(公告)号：CN116207198A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310052332.3
申请日：2023-02-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种Micro‑LED芯片及其制备方法，通过在衬底上生长绝缘层并进行光刻，形成多个沟槽和具有一定倾角的柱状结构，在柱状结构和沟槽上生长外延层，使外延层的侧面形成倒角，研磨抛光柱状结构，直至柱状结构表面与沟槽内的外延层齐平，去除剩余的柱状结构，得到具有隔离槽的外延层，基于具有隔离槽的外延层完成芯片制备。通过形成并利用柱状结构的倾斜度使外延层的侧面形成倒角，无需对外延层进行干法刻蚀，避免外延层侧壁产生损伤，进而提高了基于具有隔离槽的外延层制备的Micro‑LED芯片的发光效率；同时，外延层的侧面形成有倒角，有效提升了Micro‑LED芯片的侧壁的出光亮度。
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公开(公告)号：CN110311020A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910709888.9
申请日：2019-07-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 江方
Abstract: 本申请公开了一种巨量转印方法及巨量转印装置，其中，所述巨量转印方法在第一衬底通过形成第一固定层和第二固定层，并分别对第一固定层和第二固定层进行图案化的方法，形成了利用剩余的第一固定层作为锚定结构与第一衬底绑定的结构，且所述待转印芯片在通过转印设备转印之前不与所述第一衬底相连，处于悬空状态，使得所述转印设备仅需要拉断锚定结构对待转印芯片的连接即可实现待转印芯片的转印过程，整个巨量转印过程无需形成牺牲层，从而无需考虑牺牲层和待转印芯片的外延结构之间的匹配问题，避免了由于在巨量转印过程中生长的牺牲层与外延结构的匹配不良，而导致的外延结构的生长质量较差的问题。
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公开(公告)号：CN116110518A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211557528.X
申请日：2022-12-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06T7/00 , G06F113/26
Abstract: 本申请公开了一种获取材料双向散射分布函数的建模方法及设备，基于AFM测试待测样品表面的形貌，并基于测试结果构建三维立体模型，并在该三维立体模型的基础上设置光源，建立光学仿真环境，在仿真的过程中不断改变光源的位置以及入射角度，收集汇总不同角度下待测样品的散射信息，最终基于散射信息构建该待测样品的BSDF函数。从而实现低成本、多角度、有能力、简单的获取由材料内光源发射光线出射至与空气界面的BSDF函数，实现对全空间光学属性的测量的目的。
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公开(公告)号：CN110311029A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910588778.1
申请日：2019-07-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 江方
IPC: H01L33/62 , H01L33/36 , H01L23/544 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开了一种Micro LED阵列基板及其制作方法，其中，通过Micro LED基材的对位凸起电极和对位凹陷电极，及电路承载基板的限位凹陷电极和限位凸起电极实现Micro LED基材和电路承载基板之间的对位，进而无需在Micro LED基材和电路承载基板上设置对位标识点，保证Micro LED基材和电路承载基板的空间利用率高；同时，将电极结构均设置在线路板和发光结构阵列之间，使得发光结构阵列背离电路承载基板一侧无电极遮挡出光，进而保证Micro LED阵列基板的出光亮度高。
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公开(公告)号：CN109216400A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811268052.1
申请日：2018-10-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供的一种Micro LED阵列器件及其制作方法、巨量转移装置及转移方法，通过在Micro LED阵列器件的外延衬底上形成磁性纳米薄膜层，作为Micro LED阵列器件的一个电极，从而能够直接采用磁力对Micro LED阵列器件进行吸附，而无需额外增加设置磁性层，避免了磁性层的制作以及去除的工艺，能够简化Micro LED阵列器件的转移方法，进而提高Micro LED巨量转移的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110311029B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201910588778.1
申请日：2019-07-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 江方
IPC: H01L33/62 , H01L33/36 , H01L23/544 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开了一种Micro LED阵列基板及其制作方法，其中，通过Micro LED基材的对位凸起电极和对位凹陷电极，及电路承载基板的限位凹陷电极和限位凸起电极实现Micro LED基材和电路承载基板之间的对位，进而无需在Micro LED基材和电路承载基板上设置对位标识点，保证Micro LED基材和电路承载基板的空间利用率高；同时，将电极结构均设置在线路板和发光结构阵列之间，使得发光结构阵列背离电路承载基板一侧无电极遮挡出光，进而保证Micro LED阵列基板的出光亮度高。
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公开(公告)号：CN115148871A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210953631.X
申请日：2022-08-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，通过在有源层的表面依次设有空穴存储层、电子阻挡层以及空穴注入层，所述空穴存储层用于提高P型区域的空穴浓度，所述电子阻挡层用于阻挡电子在所述空穴存储层表面的纵向传输，所述空穴注入层用于提供空穴；且所述电子阻挡层的禁带宽度大于所述空穴注入层的禁带宽度，且所述空穴注入层的禁带宽度不小于所述空穴存储层的禁带宽度。从而，通过所述电子阻挡层提高导带势垒高度，从而减少电子溢流；并配合空穴存储层，在避免电子与空穴在非有源层区域进行复合发光的同时，通过空穴存储层的P型掺杂提供更多的空穴，进一步增加空穴在靠近有源层区域的储存及迁移，从而提高LED发光效率。
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公开(公告)号：CN109216400B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201811268052.1
申请日：2018-10-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供的一种Micro LED阵列器件及其制作方法、巨量转移装置及转移方法，通过在Micro LED阵列器件的外延衬底上形成磁性纳米薄膜层，作为Micro LED阵列器件的一个电极，从而能够直接采用磁力对Micro LED阵列器件进行吸附，而无需额外增加设置磁性层，避免了磁性层的制作以及去除的工艺，能够简化Micro LED阵列器件的转移方法，进而提高Micro LED巨量转移的效率。
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公开(公告)号：CN111129253A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911293794.4
申请日：2019-12-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种倒装微型电子元件结构及其制作方法；倒装微型电子元件结构包括：键合衬底；键合层，位于键合衬底的表面；若干个间隔排布的芯片器件，位于键合层远离键合衬底的一侧，且与键合层之间具有空气间隙；芯片器件的第一表面为芯片器件远离空气间隙的表面；保护层，包括覆盖保护部及链条层，覆盖保护部位于各芯片器件的第二表面及侧壁，且暴露出芯片器件的部分第二表面；链条层位于相邻芯片器件之间，且与覆盖保护部一体连接；链条层的第一表面与芯片器件的第一表面相平齐。上述倒装微型电子元件结构中，由于链条层与芯片器件等高，在转印过程中，转印头不会先压断链条层，从而提高了转印良率。
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公开(公告)号：CN116344706A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310149176.2
申请日：2023-02-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/46 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L25/075 , H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种微型发光元件及其制备方法，通过在非掺杂半导体层表面设置外延叠层，所述外延叠层至少包括沿依次堆叠的第一型半导体层、第二有源区以及第二型半导体层；以及，在所述第二型半导体层上所引出的第二电极和在所述第一型半导体层上所引出的第一电极；且，在所述外延叠层的裸露面设有反射镜。其中，所述非掺杂半导体层设有第一有源区夹层，且在所述非掺杂半导体层上设有光子晶体结构，使所述第二有源区所释放的至少部分光子经反射镜反射被所述第一有源区夹层吸收后，通过所述光子晶体结构沿所述第一有源区夹层的法向射出。
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