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公开(公告)号:CN118213445A
公开(公告)日:2024-06-18
申请号:CN202410352678.X
申请日:2024-03-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种巨量转移方法、显示装置及其制作方法,通过将所述发光结构和所述第一临时衬底进行键合,使感应材料包覆各所述LED芯粒;而后去除所述生长衬底,将表面设有感应材料的第二临时衬底沿所述第一临时衬底靠近所述LED芯粒的一侧进行对位贴合;接着,将所述第一临时衬底进行解键合去除后,通过撕膜工艺去除感应材料使各所述LED芯粒的表面裸露,如此实现了芯片的翻转,即可将所述LED芯粒选择性转移至显示面板,从而实现了LED芯粒从晶圆转移到显示面板。
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公开(公告)号:CN116207198A
公开(公告)日:2023-06-02
申请号:CN202310052332.3
申请日:2023-02-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种Micro‑LED芯片及其制备方法,通过在衬底上生长绝缘层并进行光刻,形成多个沟槽和具有一定倾角的柱状结构,在柱状结构和沟槽上生长外延层,使外延层的侧面形成倒角,研磨抛光柱状结构,直至柱状结构表面与沟槽内的外延层齐平,去除剩余的柱状结构,得到具有隔离槽的外延层,基于具有隔离槽的外延层完成芯片制备。通过形成并利用柱状结构的倾斜度使外延层的侧面形成倒角,无需对外延层进行干法刻蚀,避免外延层侧壁产生损伤,进而提高了基于具有隔离槽的外延层制备的Micro‑LED芯片的发光效率;同时,外延层的侧面形成有倒角,有效提升了Micro‑LED芯片的侧壁的出光亮度。
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公开(公告)号:CN115513194A
公开(公告)日:2022-12-23
申请号:CN202211182769.0
申请日:2022-09-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/36 , H01L33/44 , H01L33/62
Abstract: 本发明提供一种集成式RGB Mini‑LED芯片及其制作方法,其中集成式RGBMini‑LED芯片包括:在同一水平面上,呈阵列分布的RGB发光单元,阵列分布的RGB发光单元由双色LED芯片和单色LED芯片交替排列构成,相邻RGB发光单元之间互相绝缘,且其中一种同性电极相邻,使得相邻的RGB发光单元的同性电极形成较大的电极打线点,既可避免单个电极焊点太小造成漏焊等不良;又可以使一个电极打线点同时覆盖四个芯片的同性电极,减少三次打线工艺,有效减少工艺流程及成本;还可有效减小单个电极的面积,增加发光面积,避免小尺寸芯片的出光面积被过多的阻挡,进而提高RGB Mini‑LED芯片的出光效率。
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公开(公告)号:CN108269757B
公开(公告)日:2021-06-22
申请号:CN201810083428.5
申请日:2018-01-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种被动式驱动阵列LED显示面板及其制作方法、显示装置,被动式驱动阵列LED显示面板,包括:阵列基板,阵列基板上包括交叉绝缘设置的第一型传输线和第二型传输线,第一型传输线和第二型传输线限定出多个子像素;每个子像素包括:衬底;位于衬底上的LED外延结构,第一型半导体层与第一型传输线电性连接;第二型半导体层与第二型传输线电性连接。本发明中将每颗独立的LED子像素通过第一型传输线和第二型传输线集成起来,形成被动驱动显示屏,独立的LED子像素尺寸不限为微米级、亚微米级,从而使得LED屏幕能够应用于高分辨率要求的电子产品中。
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公开(公告)号:CN109244222A
公开(公告)日:2019-01-18
申请号:CN201811136721.X
申请日:2018-09-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/58
Abstract: 本发明提供了一种LED倒装芯片及其制作方法,包括衬底、位于所述衬底一侧的发光结构层以及位于所述衬底相对的另一侧的多个间隔分布的透光凸起;所述发光结构层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层;所述透光凸起朝向所述衬底远离所述发光结构层的一侧凸出。基于此,发光层出射的光线透过衬底入射到透光凸起上后,会被透光凸起透射和反射,从LED倒装芯片的底面和侧面出射,从而使得LED倒装芯片侧面的出光增多,使得LED倒装芯片的出光角度增大。
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公开(公告)号:CN116111030A
公开(公告)日:2023-05-12
申请号:CN202310266498.5
申请日:2023-03-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L33/46 , H01L33/42 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/00 , H01L25/075 , H01L27/15 , G09F9/33
Abstract: 本发明提供一种Micro‑LED显示装置及其制作方法,其中Micro‑LED显示装置包括:驱动电路单元,设置在驱动电路单元上的若干像素单元,每个像素单元均包括:发光单元,发光单元通过分割道间隔设有三个发光结构,三个发光结构为紫外光发光结构或紫光发光结构,通过荧光粉激发获得白光,经过红、绿、蓝三基色滤光片后,结合控制第一电极、第二电极、第三电极和第四电极,可以实现红、绿、蓝三基色单色控制及其混色控制,第一电极、第二电极、第三电极和第四电极同时设置在背光面这一侧,可增加出光面的发光面积,且第四电极通过分割道与透明导电层连接,可明显增大电流扩展和增强电导热能力,进而提高Micro‑LED显示装置的发光效率和可靠性。
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公开(公告)号:CN108807265B
公开(公告)日:2020-01-31
申请号:CN201810743952.0
申请日:2018-07-09
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/77
Abstract: 本申请公开一种Micro‑LED巨量转移方法、Micro‑LED显示装置及其制作方法,所述Micro‑LED巨量转移方法,通过将阵列上的LED芯片分为两部分,且LED芯片包括相对设置的第一表面和第二表面,其中一部分的第一表面与第一转移基板结合,另一部分的第二表面与第二转移基板结合,将第一部分的LED转移至第一转移基板上,第二部分的LED转移至第二转移基板上。即通过将两个表面分别结合至两个转移基板上,然后通过一次分离,使得Micro‑LED实现巨量转移,无需剥离等复杂工艺,且LED芯片为已经制作完成的LED芯片,无需在巨量转移之后再进行芯片工艺,从而相对于现有技术而言,更加简单,而且成本较低。
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公开(公告)号:CN108269757A
公开(公告)日:2018-07-10
申请号:CN201810083428.5
申请日:2018-01-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种被动式驱动阵列LED显示面板及其制作方法、显示装置,被动式驱动阵列LED显示面板,包括:阵列基板,阵列基板上包括交叉绝缘设置的第一型传输线和第二型传输线,第一型传输线和第二型传输线限定出多个子像素;每个子像素包括:衬底;位于衬底上的LED外延结构,第一型半导体层与第一型传输线电性连接;第二型半导体层与第二型传输线电性连接。本发明中将每颗独立的LED子像素通过第一型传输线和第二型传输线集成起来,形成被动驱动显示屏,独立的LED子像素尺寸不限为微米级、亚微米级,从而使得LED屏幕能够应用于高分辨率要求的电子产品中。
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公开(公告)号:CN107564929A
公开(公告)日:2018-01-09
申请号:CN201710865321.1
申请日:2017-09-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L27/15
Abstract: 本申请提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置,其中阵列基板上制作具有二维电子气层的开关管和LED形成的发光单元,通过给开关管的第三电极层施加电压,控制二维电子气层的夹断或打开,从而控制开关管的第一电极层和第二电极层的断开或导通,其中,开关管的第二电极层与LED的P型半导体层上的透明导电层电性连接,而LED的N型半导体层与第三传输线相连,在第三传输线上通电,控制第三电极层的电势,进而控制LED的P型半导体层和N型半导体层上的电流,进而控制LED的点亮或关闭,从而达到显示画面的目的。由于二维电子气层的高迁移率,可以使得开关管小型化,进而实现LED作为小型电子设备的高分辨率显示屏幕。
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公开(公告)号:CN116110518A
公开(公告)日:2023-05-12
申请号:CN202211557528.X
申请日:2022-12-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06T7/00 , G06F113/26
Abstract: 本申请公开了一种获取材料双向散射分布函数的建模方法及设备,基于AFM测试待测样品表面的形貌,并基于测试结果构建三维立体模型,并在该三维立体模型的基础上设置光源,建立光学仿真环境,在仿真的过程中不断改变光源的位置以及入射角度,收集汇总不同角度下待测样品的散射信息,最终基于散射信息构建该待测样品的BSDF函数。从而实现低成本、多角度、有能力、简单的获取由材料内光源发射光线出射至与空气界面的BSDF函数,实现对全空间光学属性的测量的目的。
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