公开(公告)号：CN116110518A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211557528.X

申请日：2022-12-06

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 王乐 ,  柯志杰 ,  江方 ,  冯妍雪 ,  郑斐 ,  崔恒平 ,  蔡海防

IPC: G16C60/00 ,  G06F30/20 ,  G06T7/00 ,  G06F113/26

Abstract: 本申请公开了一种获取材料双向散射分布函数的建模方法及设备，基于AFM测试待测样品表面的形貌，并基于测试结果构建三维立体模型，并在该三维立体模型的基础上设置光源，建立光学仿真环境，在仿真的过程中不断改变光源的位置以及入射角度，收集汇总不同角度下待测样品的散射信息，最终基于散射信息构建该待测样品的BSDF函数。从而实现低成本、多角度、有能力、简单的获取由材料内光源发射光线出射至与空气界面的BSDF函数，实现对全空间光学属性的测量的目的。

公开(公告)号：CN116344706A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310149176.2

申请日：2023-02-22

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 王乐 ,  柯志杰 ,  江方 ,  艾国齐 ,  冯妍雪

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L25/075 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种微型发光元件及其制备方法，通过在非掺杂半导体层表面设置外延叠层，所述外延叠层至少包括沿依次堆叠的第一型半导体层、第二有源区以及第二型半导体层；以及，在所述第二型半导体层上所引出的第二电极和在所述第一型半导体层上所引出的第一电极；且，在所述外延叠层的裸露面设有反射镜。其中，所述非掺杂半导体层设有第一有源区夹层，且在所述非掺杂半导体层上设有光子晶体结构，使所述第二有源区所释放的至少部分光子经反射镜反射被所述第一有源区夹层吸收后，通过所述光子晶体结构沿所述第一有源区夹层的法向射出。

公开(公告)号：CN219321369U

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202320284714.4

申请日：2023-02-22

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 王乐 ,  柯志杰 ,  江方 ,  艾国齐 ,  冯妍雪

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L25/075

Abstract: 本实用新型提供了一种微型发光元件，通过在非掺杂半导体层表面设置外延叠层，所述外延叠层至少包括沿依次堆叠的第一型半导体层、第二有源区以及第二型半导体层；以及，在所述第二型半导体层上所引出的第二电极和在所述第一型半导体层上所引出的第一电极；且，在所述外延叠层的裸露面设有反射镜。其中，所述非掺杂半导体层设有第一有源区夹层，且在所述非掺杂半导体层上设有光子晶体结构，使所述第二有源区所释放的至少部分光子经反射镜反射被所述第一有源区夹层吸收后，通过所述光子晶体结构沿所述第一有源区夹层的法向射出。