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公开(公告)号：CN109244222A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811136721.X
申请日：2018-09-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/58
Abstract: 本发明提供了一种LED倒装芯片及其制作方法，包括衬底、位于所述衬底一侧的发光结构层以及位于所述衬底相对的另一侧的多个间隔分布的透光凸起；所述发光结构层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；所述透光凸起朝向所述衬底远离所述发光结构层的一侧凸出。基于此，发光层出射的光线透过衬底入射到透光凸起上后，会被透光凸起透射和反射，从LED倒装芯片的底面和侧面出射，从而使得LED倒装芯片侧面的出光增多，使得LED倒装芯片的出光角度增大。
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公开(公告)号：CN109285928A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811136724.3
申请日：2018-09-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种倒装LED芯片及其制作方法，包括衬底、位于所述衬底一侧的发光结构层以及位于所述衬底相对的另一侧的半透半反层；所述发光结构层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；所述半透半反层用于透射所述发光层出射的部分光线，并反射所述发光层出射的部分光线。因此，发光层出射的光线透过衬底入射到半透半反层上后，部分光线会被半透半反层透射，从倒装LED芯片的衬底底面出射，部分光线会被半透半反层反射，从倒装LED芯片的侧面出射，从而使得倒装LED芯片侧面的出光增多，使得倒装LED芯片的出光角度增大。
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公开(公告)号：CN109285928B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201811136724.3
申请日：2018-09-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种倒装LED芯片及其制作方法，包括衬底、位于所述衬底一侧的发光结构层以及位于所述衬底相对的另一侧的半透半反层；所述发光结构层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；所述半透半反层用于透射所述发光层出射的部分光线，并反射所述发光层出射的部分光线。因此，发光层出射的光线透过衬底入射到半透半反层上后，部分光线会被半透半反层透射，从倒装LED芯片的衬底底面出射，部分光线会被半透半反层反射，从倒装LED芯片的侧面出射，从而使得倒装LED芯片侧面的出光增多，使得倒装LED芯片的出光角度增大。
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