公开(公告)号：CN117790658A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311837690.1

申请日：2023-12-28

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 刘伟 ,  蔡书卫 ,  曹衍灿 ,  邬新根 ,  王恩泽

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/00 ,  H01L21/3213 ,  C23C14/04 ,  C23C16/04

Abstract: 本发明提供了一种微型LED芯片及其制作方法，本申请提供的微型LED芯片的制作方法，一方面，通过控制生长条件在外延结构上制备具有刻蚀速率差异的I TO复合层，I TO复合层包括层叠的I TO导电层和I TO掩蔽层，并刻蚀I TO复合层形成悬空结构，使I TO掩蔽层的侧向刻蚀深度大于I TO导电层的侧向刻蚀深度，通过控制ITO掩蔽层的侧向刻蚀深度，让I TO导电层可以不受光刻胶粘附性影响，以使ITO导电层侧向刻蚀深度达到预设长度，经过刻蚀后的倾斜侧壁与I TO导电层具有一定的间距，避免搭边引起漏电问题；另一方面，MESA/I TO工序合并光刻，避免单独工序时造成不同区域易套偏导致需要较大过刻蚀量，使发光区损失，而影响微型LED芯片的亮度问题，既简化流程，提升产量，降低成本，又可提升亮度。