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公开(公告)号：CN107546302A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710720209.9
申请日：2017-08-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种LED外延结构及其制作方法，所述LED外延结构制作方法包括：提供图形化衬底，图形化衬底包括平面区域和相对于平面区域凸起的凸起结构；在图形化衬底的平面区域外延形成缓冲层，缓冲层与凸起结构之间具有间隙。仅在图形化衬底的平面区域制作缓冲层，而图形化衬底的凸起结构上不设置缓冲层，从而避免图形化衬底的凸起结构上的缓冲层作为后续LED外延材料的成核中心，只保留沿一个方向生长的组分，避免了其他方向生长的成分，从而避免了后续晶核联接及二维生长时，引入高的应力，使得LED外延结构的晶体质量明显提升，避免了不同晶面晶核联接时产生的应力，进而解决了外延材料因应力增加导致的翘曲异常的问题。
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公开(公告)号：CN106784219B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201710053445.X
申请日：2017-01-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED及其制作方法，所述制作方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成缓冲层；在所述缓冲层背离所述衬底的一侧形成N型半导体层；在所述N型半导体层背离所述缓冲层的一侧形成多量子阱层；通过PVD工艺在所述多量子阱层背离所述N型半导体层的一侧形成电子阻挡层，所述电子阻挡层为AlN层；在所述电子阻挡层背离所述多量子阱层的一侧形成P型半导体层。本发明技术方案在一次外延长完多量子阱层后，用PVD长一层较薄的AlN层，作为电子阻挡层，然后再二次外延生长P型半导体层，较薄的电子阻挡层即可较好的阻挡电子溢流效果，能够有效提高发光效率，同时可以降低LED的工作电压，进而降低功耗。
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公开(公告)号：CN108922946A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810777949.0
申请日：2018-07-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 本发明实施例公开了一种LED结构及其制作方法，该方法包括：提供图形化的衬底；利用物理气相沉积工艺，在所述衬底表面形成的缓冲层，所述缓冲层包括含氢的氮化铝缓冲层；在所述缓冲层背离所述衬底的一侧形成外延结构，从而解决现有LED结构制作方法中，所述氮化铝缓冲层形成后，反应室中仍然存在较多的铝残留，影响后续形成的外延结构的晶体质量，导致所述LED器件的光电性能降低的问题，还可以改善衬底与外延结构之间的晶格应力，使得所述LED的外延结构表面温场均匀，LED结构出射光线的波长的均匀性得到很大提升，同时，减小量子阱受到的量子约束斯塔克效应，使得最后形成的LED的发光性能提升，亮度增加，漏电流减小。
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公开(公告)号：CN108735867A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810596840.7
申请日：2018-06-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的芯片及其量子阱结构和制造方法，其中所述发光二极管的芯片包括依次层叠的一衬底、一氮化镓缓冲层、一N型氮化镓层、一量子阱结构、一P型电子阻拦层以及一P型氮化镓层，其中所述量子阱结构包括至少两量子阱层，每个所述量子阱层依次层叠地形成于所述N型氮化镓层，其中至少一个所述量子阱层形成复合阱，通过这样的方式，所述量子阱结构在提供更为密集和均匀的发光量子点的同时增加电子空穴波函数的交迭程度，从而提高所述发光二极管的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108735867B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201810596840.7
申请日：2018-06-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的芯片及其量子阱结构和制造方法，其中所述发光二极管的芯片包括依次层叠的一衬底、一氮化镓缓冲层、一N型氮化镓层、一量子阱结构、一P型电子阻拦层以及一P型氮化镓层，其中所述量子阱结构包括至少两量子阱层，每个所述量子阱层依次层叠地形成于所述N型氮化镓层，其中至少一个所述量子阱层形成复合阱，通过这样的方式，所述量子阱结构在提供更为密集和均匀的发光量子点的同时增加电子空穴波函数的交迭程度，从而提高所述发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN108922946B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201810777949.0
申请日：2018-07-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种LED结构及其制作方法，该方法包括：提供图形化的衬底；利用物理气相沉积工艺，在所述衬底表面形成的缓冲层，所述缓冲层包括含氢的氮化铝缓冲层；在所述缓冲层背离所述衬底的一侧形成外延结构，从而解决现有LED结构制作方法中，所述氮化铝缓冲层形成后，反应室中仍然存在较多的铝残留，影响后续形成的外延结构的晶体质量，导致所述LED器件的光电性能降低的问题，还可以改善衬底与外延结构之间的晶格应力，使得所述LED的外延结构表面温场均匀，LED结构出射光线的波长的均匀性得到很大提升，同时，减小量子阱受到的量子约束斯塔克效应，使得最后形成的LED的发光性能提升，亮度增加，漏电流减小。
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公开(公告)号：CN107546302B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201710720209.9
申请日：2017-08-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种LED外延结构及其制作方法，所述LED外延结构制作方法包括：提供图形化衬底，图形化衬底包括平面区域和相对于平面区域凸起的凸起结构；在图形化衬底的平面区域外延形成缓冲层，缓冲层与凸起结构之间具有间隙。仅在图形化衬底的平面区域制作缓冲层，而图形化衬底的凸起结构上不设置缓冲层，从而避免图形化衬底的凸起结构上的缓冲层作为后续LED外延材料的成核中心，只保留沿一个方向生长的组分，避免了其他方向生长的成分，从而避免了后续晶核联接及二维生长时，引入高的应力，使得LED外延结构的晶体质量明显提升，避免了不同晶面晶核联接时产生的应力，进而解决了外延材料因应力增加导致的翘曲异常的问题。
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公开(公告)号：CN106784219A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710053445.X
申请日：2017-01-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/145 , C23C14/22 , H01L33/0075
Abstract: 本发明公开了一种LED及其制作方法，所述制作方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成缓冲层；在所述缓冲层背离所述衬底的一侧形成N型半导体层；在所述N型半导体层背离所述缓冲层的一侧形成多量子阱层；通过PVD工艺在所述多量子阱层背离所述N型半导体层的一侧形成电子阻挡层，所述电子阻挡层为AlN层；在所述电子阻挡层背离所述多量子阱层的一侧形成P型半导体层。本发明技术方案在一次外延长完多量子阱层后，用PVD长一层较薄的AlN层，作为电子阻挡层，然后再二次外延生长P型半导体层，较薄的电子阻挡层即可较好的阻挡电子溢流效果，能够有效提高发光效率，同时可以降低LED的工作电压，进而降低功耗。
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公开(公告)号：CN208938995U
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201820900114.5
申请日：2018-06-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一发光二极管的芯片及其量子阱结构，其中所述发光二极管的芯片包括依次层叠的一衬底、一氮化镓缓冲层、一N型氮化镓层、一量子阱结构、一P型电子阻拦层以及一P型氮化镓层，其中所述量子阱结构包括至少两量子阱层，每个所述量子阱层依次层叠地形成于所述N型氮化镓层，其中至少一个所述量子阱层形成复合阱，通过这样的方式，所述量子阱结构在提供更为密集和均匀的发光量子点的同时增加电子空穴波函数的交迭程度，从而提高所述发光二极管的发光效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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