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公开(公告)号：CN113224215B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110488179.X
申请日：2021-05-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，在有源层背离所述N型半导体层一侧设有复合电流扩展层，其中，所述复合电流扩展层包括若干个由空穴供给层及空穴势垒层所组成的周期单元，且以所述空穴供给层作为所述复合电流扩展层的接触表面；进一步地，所述空穴供给层的禁带宽度小于或等于所述空穴势垒层的禁带宽度。使所述复合电流扩展层在通过空穴供给层提供空穴的同时，并通过空穴势垒层形成有效空穴势垒高度，以此提高P型掺杂浓度，拉高材料在该区域的价带，进而有效提升电流的横向扩展能力。
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公开(公告)号：CN112993099A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110178379.5
申请日：2021-02-09
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有保护层LED芯片的制作方法，在每一层量子阱层生长完成后增加了空烤处理，目的是在高In材料生长结束后，通过空烤的方式来适当减少In过饱和状态下带来的In析出、界面粗糙以及高缺陷密度等问题，生长的GaN保护层可以对量子阱层起到保护作用，减少In析出，变温生长方式还可以提高AlGaN保护层的晶体质量，从而获得较高的电子有效势垒高度，减少了电子泄露。进一步的，相比较现有技术中单层的AlGaN保护层，采用GaN保护层以及AlGaN保护层的复合保护层，可以减少与量子阱层中InGaN材料的晶格失配，进而削弱了极化电场带来的不利影响，提高LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN112993099B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202110178379.5
申请日：2021-02-09
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有保护层LED芯片的制作方法，在每一层量子阱层生长完成后增加了空烤处理，目的是在高In材料生长结束后，通过空烤的方式来适当减少In过饱和状态下带来的In析出、界面粗糙以及高缺陷密度等问题，生长的GaN保护层可以对量子阱层起到保护作用，减少In析出，变温生长方式还可以提高AlGaN保护层的晶体质量，从而获得较高的电子有效势垒高度，减少了电子泄露。进一步的，相比较现有技术中单层的AlGaN保护层，采用GaN保护层以及AlGaN保护层的复合保护层，可以减少与量子阱层中InGaN材料的晶格失配，进而削弱了极化电场带来的不利影响，提高LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN113224215A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110488179.X
申请日：2021-05-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，在有源层背离所述N型半导体层一侧设有复合电流扩展层，其中，所述复合电流扩展层包括若干个由空穴供给层及空穴势垒层所组成的周期单元，且以所述空穴供给层作为所述复合电流扩展层的接触表面；进一步地，所述空穴供给层的禁带宽度小于或等于所述空穴势垒层的禁带宽度。使所述复合电流扩展层在通过空穴供给层提供空穴的同时，并通过空穴势垒层形成有效空穴势垒高度，以此提高P型掺杂浓度，拉高材料在该区域的价带，进而有效提升电流的横向扩展能力。
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