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公开(公告)号：CN109638133B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201811532311.7
申请日：2018-12-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一半导体芯片及其制造方法，其中所述半导体芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的一列N型电极连接针中的至少一个所述N型电极连接针的截面尺寸与其他的所述N型电极连接针的截面尺寸不同，所述P型电极的一列P型电极连接针中的至少一个所述P型电极连接针的截面尺寸与其他的所述P型电极连接针的截面尺寸不同，通过这样的方式，自所述N型电极和所述P型电极注入的电流能够均匀地分布于所述半导体芯片，从而改善电流扩展死角的问题，以提高所述半导体芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN110429166A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910784793.3
申请日：2019-08-23
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/40
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片，将第一类型半导体层的台面划分有第一键合区和第一扩展区，且将电流扩展层的表面划分有第二键合区和第二扩展区，在提高第一反射电极和第二反射电极分别在第一扩展区和第二扩展区处的光反射率而减小光吸收率的基础上，同时通过第一粘结层和第二粘结层提高第一反射电极和第二反射电极处的结合强度，进而达到提高发光二极管芯片的出光亮度和内部结合强度的目的，提高了发光二极管芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN110379899A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910791673.6
申请日：2019-08-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片通过在所述P型氮化镓层背离所述发光层一侧的表面形成多个盲孔，所述盲孔沿第一方向的深度小于所述P型氮化镓层的厚度，从而在不影响所述P型氮化镓层有效的电流传导面积的情况下，来减少所述P型氮化镓层对所述发光层发射的光线的吸收，提高所述P型氮化镓层的出光量，同时将所述盲孔的侧壁设置为粗糙表面，以增加所述盲孔侧壁出光量，从而进一步增加所述P型氮化镓层背离所述发光层一侧的出光量，提高所述LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN110808318B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201911094190.7
申请日：2019-11-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种倒装高压发光二极管及其制作方法，该制作方法先在所述P型氮化镓层和N型氮化镓层表面形成复合掩膜结构，再在所述复合掩膜结构表面形成光刻胶图形，从而利用光刻胶图形在复合掩膜结构中形成第一刻蚀孔，利用复合掩膜结构在N型氮化镓层表面形成第二刻蚀孔，从而避免直接利用光刻胶层在N型氮化镓层中制作第二刻蚀孔导致光刻胶图形的厚度较大引起的深刻蚀槽的制作不易控制，容易出现刻蚀角度一致性差的问题，提高倒装高压二极管的可靠性。
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公开(公告)号：CN112467007A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011552914.0
申请日：2020-12-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种Mini LED芯片及其制作方法，位于第一类型半导体层与第一键合电极之间并没有通过相应辅助扩展电极相连接，即在电极接触镂空处并没有制作辅助扩展电极于此处裸露的第一类型半导体层表面上，进而避免了由于辅助扩展电极存在引起的扩大电极接触镂空占用面积问题，保证了发光区的面积大，提高了Mini LED芯片的发光效率。进一步的，由于本发明提供的技术方案无需制作辅助扩展电极，进而避免了由于辅助扩展电极的存在而引入制备的第一键合电极的平整度差及绝缘隔离反射层覆盖效果差的问题，进而提高了Mini LED芯片的可靠性，且同时保证Mini LED芯片的发光角度达到预期的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110931620A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911366387.1
申请日：2019-12-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种Mini LED芯片及其制作方法，位于第一类型半导体层与第一键合电极之间并没有通过相应辅助扩展电极相连接，即在电极接触镂空处并没有制作辅助扩展电极于此处裸露的第一类型半导体层表面上，进而避免了由于辅助扩展电极存在引起的扩大电极接触镂空占用面积问题，保证了发光区的面积大，提高了Mini LED芯片的发光效率。进一步的，由于本发明提供的技术方案无需制作辅助扩展电极，进而避免了由于辅助扩展电极的存在而引入制备的第一键合电极的平整度差及绝缘隔离反射层覆盖效果差的问题，进而提高了Mini LED芯片的可靠性，且同时保证Mini LED芯片的发光角度达到预期的效果。
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公开(公告)号：CN110808318A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911094190.7
申请日：2019-11-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种倒装高压发光二极管及其制作方法，该制作方法先在所述P型氮化镓层和N型氮化镓层表面形成复合掩膜结构，再在所述复合掩膜结构表面形成光刻胶图形，从而利用光刻胶图形在复合掩膜结构中形成第一刻蚀孔，利用复合掩膜结构在N型氮化镓层表面形成第二刻蚀孔，从而避免直接利用光刻胶层在N型氮化镓层中制作第二刻蚀孔导致光刻胶图形的厚度较大引起的深刻蚀槽的制作不易控制，容易出现刻蚀角度一致性差的问题，提高倒装高压二极管的可靠性。
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公开(公告)号：CN110137201A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910441110.4
申请日：2019-05-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种显示屏灯珠装置、集成式二极管芯片及制备方法，其中，该集成式二极管芯片包括：支撑衬底；位于所述支撑衬底上的键合结构；位于所述键合结构内且间隔设置的反射结构；位于所述键合结构上且与每个反射结构对应的发光单元；位于每个所述发光单元上的第一电极，以及位于所述支撑衬底背面的第二电极；相邻两个发光单元之间设置的凸出所述发光单元的反射堤坝；在至少两个发光单元上设置的包覆位于该发光单元上的光转换膜，不同发光单元上的光转换膜用于对接收的光进行不同颜色的转换。本申请实施例能够降低显示屏灯珠体积，从而提高显示屏的分辨率。
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公开(公告)号：CN109638133A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811532311.7
申请日：2018-12-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明公开了一半导体芯片及其制造方法，其中所述半导体芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的一列N型电极连接针中的至少一个所述N型电极连接针的截面尺寸与其他的所述N型电极连接针的截面尺寸不同，所述P型电极的一列P型电极连接针中的至少一个所述P型电极连接针的截面尺寸与其他的所述P型电极连接针的截面尺寸不同，通过这样的方式，自所述N型电极和所述P型电极注入的电流能够均匀地分布于所述半导体芯片，从而改善电流扩展死角的问题，以提高所述半导体芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN114188448B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202010961831.0
申请日：2020-09-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括衬底、外延结构、截止层和透明导电层，其中，所述截止层具有贯穿所述截止层的通孔，以露出部分所述外延结构，所述透明导电层设于所述通孔中露出的外延结构上和所述截止层上，以使得所述透明导电层位于所述截止层上的部分与所述外延结构不接触，从而降低所述LED芯片承受瞬间大电压时，所述LED芯片被击穿的概率。
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