公开(公告)号：CN108074910A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711083442.7

申请日：2017-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张相信 ,  刘禹炅 ,  韩奎熙 ,  白宗玟 ,  V.H.阮 ,  金秉熙

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/5222

Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底的第一区域上的第一绝缘夹层和在衬底的第二区域上的第二绝缘夹层；多个第一布线结构，在第一绝缘夹层上，第一布线结构彼此间隔开；多个第二布线结构，分别填充第二绝缘夹层上的多个沟槽；绝缘覆盖结构，选择性地在第一布线结构之间的第一绝缘夹层的表面上以及在第一布线结构的每个的侧壁和上表面上，绝缘覆盖结构包括绝缘材料；第三绝缘夹层，在第一布线结构和第二布线结构上；以及空气间隙，在第一布线结构之间在第三绝缘夹层下面。

公开(公告)号：CN103681600B

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201310399888.6

申请日：2013-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩奎熙 ,  安商燻

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了集成电路器件、半导体器件及其制造方法。该集成电路器件包括：间隔开的导电图案，在基板表面上；支撑图案，在导电图案中的相邻导电图案之间的基板表面上并且通过相应间隙区而与导电图案分离。导电图案中的相邻导电图案远离基板表面延伸而超过在其间的支撑图案的表面。盖层被提供在导电图案的相应表面上和支撑图案的表面上。

公开(公告)号：CN1536612A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN200410001360.X

申请日：2004-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩奎熙 ,  刘尚昱 ,  李锡燀

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/4558

Abstract: 一种用于将沉积气体供应到基板表面上的供气装置，所述供气装置包括：供气环，带有一个或多个沿所述供气环的内部形成的供气通道，还带有多个指向所述供气环中央的气体分布通道；以及多个适配器，带有分别连接到气体分布通道的喷气嘴，所述适配器可拆卸地连接到供气环内部，其中所述喷气嘴具有多种喷射构造。

公开(公告)号：CN110828370B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN201910378795.2

申请日：2019-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志荣 ,  韩奎熙 ,  朴成彬 ,  金永吉 ,  白宗玟 ,  李敬雨 ,  郑德泳

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括：下布线；层间绝缘膜，位于下布线上方并包括具有第一密度的第一部分和位于第一部分上的第二部分，第一部分和第二部分具有相同的材料，第二部分具有小于第一密度的第二密度；上布线，位于层间绝缘膜的第二部分中；以及通路，至少部分地位于层间绝缘膜的第一部分中，通路连接上布线和下布线。

公开(公告)号：CN117253855A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202310521771.4

申请日：2023-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩奎熙 ,  白奉官 ,  张相信 ,  柳庚玟 ,  白宗玟 ,  申定候 ,  林俊赫 ,  千正焕

IPC: H01L21/8234

Abstract: 一种制造半导体装置的方法可以包括：在鳍型图案上形成源极/漏极图案；在源极/漏极图案上形成蚀刻停止膜和层间绝缘膜；在层间绝缘膜中形成接触孔；沿着接触孔的侧壁和底表面形成牺牲衬垫；在牺牲衬垫存在的同时执行离子注入工艺；去除牺牲衬垫并沿着接触孔的侧壁形成接触衬垫；以及在接触衬垫上形成源极/漏极接触件。离子注入工艺可以包括将杂质注入到源极/漏极图案中。源极/漏极接触件可以连接到源极/漏极图案。

公开(公告)号：CN109390210B

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN201810828662.6

申请日：2018-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜允姬 ,  金志英 ,  任台镇 ,  白宗玟 ,  安商燻 ,  吴赫祥 ,  韩奎熙

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明概念的实施例提供形成超低介电常数介电层的方法及由所述方法形成的超低介电常数介电层。所述方法可包括：通过供应包含硅、氧、碳及氢的前驱体来形成第一层；对所述第一层执行第一紫外线工艺，以将所述第一层转换成第二层；以及在不同于所述第一紫外线工艺的工艺条件下对所述第二层执行第二紫外线工艺。本发明概念的实施例可提供形成同时具有低介电常数及优异的机械强度的超低介电常数介电层的方法。

公开(公告)号：CN110783222A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910531242.6

申请日：2019-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘钒镇 ,  金旼亨 ,  南象基 ,  张原赫 ,  韩奎熙 ,  金永焘 ,  方政民

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种清洗溶液制作系统用于清洗半导体基板。该系统包括：压力罐；等离子体反应罐，被配置为在悬浮在从压力罐获得的减压液体中的气泡中形成等离子体，从而在减压液体中产生自由基物种；存储罐，被配置为存储含有在等离子体反应罐中产生的自由基物种的清洗溶液；以及喷嘴，被配置为将清洗溶液从存储罐供应到半导体基板。

公开(公告)号：CN107887362A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710911772.4

申请日：2017-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩奎熙 ,  白宗玟 ,  V.H.阮 ,  刘禹炅 ,  张相信 ,  金秉熙

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/764 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/522 ,  H01L21/764 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上的第一层间电介质膜；在第一层间电介质膜内在第一方向上分别延伸的第一布线和第二布线，第一布线和第二布线在不同于第一方向的第二方向上彼此相邻；在第一层间电介质膜上的硬掩模图案，硬掩模图案包括开口；以及在第一层间电介质膜内的气隙，气隙在第一方向上包括与开口垂直交叠的第一部分和不与开口交叠的第二部分。

公开(公告)号：CN107587122A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201710259823.X

申请日：2017-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌润 ,  李柱铉 ,  朴基寿 ,  韩奎熙 ,  李承勋 ,  田炳哲

IPC: C23C16/54 ,  C23C16/44 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C14/5813 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/78 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明提供了一种能够在沉积处理中检测腔室的内部状态的沉积处理监视系统以及一种控制沉积处理的方法和一种利用该系统制造半导体器件的方法。沉积处理监视系统包括：设施盖，其构造为限定用于沉积处理的空间；位于设施盖中的腔室，所述腔室被半透明圆顶盖覆盖，并且具有其上放置沉积目标的支承件；布置在设施盖中的多个灯，所述灯分别布置在腔室的上部和下部，并且所述灯构造为在沉积处理中将辐射热能供应至腔室中；以及布置在腔室外的激光传感器，该激光传感器构造为用激光束辐射圆顶盖并且检测透过圆顶盖传输的激光束的强度，其中，基于检测到的激光束的强度来确定圆顶盖所涂布的副产物的状态。

公开(公告)号：CN103985740B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201410032503.7

申请日：2014-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李章熙 ,  白宗玟 ,  韩奎熙 ,  崔吉铉 ,  洪琮沅

IPC: H01L29/06 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L23/4821 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L23/5222 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0001

Abstract: 本发明公开半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底上的第一导电线；以及覆盖第一导电线的第一成型层。第一导电线在相邻的第一导电线之间具有第一间隙和第二间隙。第一成型层的底表面和第一导电线的位于第一成型层的底表面之下的侧壁共同定义第一间隙。第一成型层的顶表面和第一导电线的位于第一成型层的顶表面之上的侧壁共同定义第二间隙。