公开(公告)号：CN106684147A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201610545881.4

申请日：2016-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  金基一 ,  朴起宽 ,  成石铉 ,  严命允

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66795

Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括具有第一沟槽的基底、位于基底上由第一沟槽限定的第一鳍图案、位于基底上的栅电极以及位于基底上的场绝缘层。第一鳍图案包括在下部上的上部。第一鳍图案包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁。第一侧壁沿第一鳍图案的下部为凹的。第二侧壁沿第一鳍图案的下部为倾斜的。场绝缘层围绕第一鳍图案的下部。栅电极围绕第一鳍图案的上部。

公开(公告)号：CN106558618A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610847647.7

申请日：2016-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金奇奂 ,  刘庭均 ,  朴起宽 ,  申东石 ,  金辰昱

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/7855

Abstract: 提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括第一区和第二区；第一鳍型图案和第二鳍型图案，形成在第一区中，远离基底突出，并在第一方向上延伸；第一源极/漏极，位于第一鳍型图案上，第一源极/漏极在与第一方向相交的第二方向上的剖面呈第一凸起多边形的形状；第二源极/漏极，位于第二鳍型图案上，第二源极/漏极在第二方向上的剖面呈与第一凸起多边形的形状相同的第二凸起多边形的形状；第三鳍型图案和第四鳍型图案，形成在第二区中，远离基底突出；第三源极/漏极，位于第三鳍型图案上；以及第四源极/漏极，位于第四鳍型图案上，第四源极/漏极在第四方向上的剖面是与第三凸起多边形的形状不同的第四凸起多边形的形状。

公开(公告)号：CN106158970A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610288540.3

申请日：2016-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  金载哲

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855

Abstract: 提供了一种包括鳍形图案的半导体装置。所述半导体装置包括：第一鳍形图案；场绝缘层，设置在第一鳍形图案的附近，并具有第一部分和第二部分，第一部分从第二部分突出；第一虚设栅极堆叠件，形成在场绝缘层的第一部分上，并包括具有第一厚度的第一虚设栅极绝缘层；第一栅极堆叠件，形成在场绝缘层的第二部分上以与第一鳍形图案相交，并包括具有与第一厚度不同的第二厚度的第一栅极绝缘层。

公开(公告)号：CN105990446A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610151295.1

申请日：2016-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴世玩 ,  成百民 ,  严命允

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/7856

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件可包括：位于衬底上的场绝缘膜；第一鳍式图案，其形成在衬底上，并且从场绝缘膜的上表面向上突出；以及栅电极，其与场绝缘膜上的第一鳍式图案交叉。所述栅电极可包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于第一鳍式图案的一侧上并且包括栅电极的第一终端端部，所述第二部分位于第一鳍式图案的另一侧上。从衬底至所述第一部分的最下部的高度可以不同于从衬底至所述第二部分的最下部的高度。

公开(公告)号：CN105895698A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610023864.4

申请日：2016-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  严命允 ,  朴永俊 ,  李廷骁 ,  河智龙 ,  黃俊善

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：有源鳍，其从衬底向上突出，并且在第一方向上延伸；以及栅极结构，其在以与有源鳍交叉的第二方向上延伸，其中栅极结构的与有源鳍接触的下部的第一宽度大于栅极结构的与有源鳍间隔开的下部的第二宽度。

公开(公告)号：CN105870161A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201510994278.X

申请日：2015-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  成石铉

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：具有第一深度以限定鳍的第一槽；直接邻近所述第一槽的第二槽，其具有大于所述第一深度的第二深度；场绝缘层，其填充所述第一槽的一部分和所述第二槽的一部分；以及突出结构，其从所述第一槽的底部突出并且低于所述场绝缘层的表面。

公开(公告)号：CN109935587B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201811176477.X

申请日：2018-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  金东铉 ,  金竝基 ,  南润锡 ,  全英敏 ,  朴成哲 ,  河大元

IPC: H01L27/092

Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍形图案和第二鳍形图案，位于基底上并且彼此分开地延伸；场绝缘膜，位于基底上并且围绕第一鳍形图案的部分和第二鳍形图案的部分；第一栅极结构，位于第一鳍形图案上并且与第一鳍形图案交叉；第二栅极结构，位于第二鳍形图案上并且与第二鳍形图案交叉；以及分隔结构，从场绝缘膜的顶表面突出并且使第一栅极结构和第二栅极结构分隔，场绝缘膜和分隔结构包括相同的绝缘材料。

公开(公告)号：CN116705795A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310147145.3

申请日：2023-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  成石铉 ,  韩东佑

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：第一有源图案，包括第一下图案和多个第一片状图案；多个第一栅极结构，在第一下图案上；第二有源图案，包括第二下图案和多个第二片状图案；多个第二栅极结构，在第二下图案上；第一源极/漏极凹槽，在邻近的第一栅极结构之间；第二源极/漏极凹槽，在邻近的第二栅极结构之间；第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，分别在第一源极/漏极凹槽和第二源极/漏极凹槽中，其中，从第一下图案的上表面到第一源极/漏极图案的最下部的深度小于从第二下图案的上表面到第二源极/漏极图案的最下部的深度，并且第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案包括相同导电类型的杂质。

公开(公告)号：CN116264230A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202211434984.5

申请日：2022-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  成石铉 ,  朴赞教 ,  吴昇澈

IPC: H01L27/092 ,  H10B10/00

Abstract: 提供了能够改善器件的性能和可靠性的半导体器件。所述半导体器件包括：位于衬底上的第一有源图案，所述第一有源图案包括在第一方向上延伸的第一下部图案和位于该第一下部图案上的第一片图案；位于所述衬底上的第二有源图案，所述第二有源图案包括在第二方向上与所述第一下部图案间隔开的第二下部图案和位于所述第二下部图案上的第二片图案，其中，所述第一下部图案和所述第二下部图案通过鳍沟槽间隔开。

公开(公告)号：CN116072611A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202210967697.4

申请日：2022-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴范琎 ,  成石铉 ,  李豪真 ,  金洞院 ,  李东奎 ,  李明宣 ,  赵槿汇 ,  崔汉别 ,  河智龙

IPC: H01L21/8234

Abstract: 公开了半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，在基底上，其中，有源图案包括彼此堆叠的多个沟道层；多个源极/漏极图案，在第一方向上彼此间隔开并且布置在有源图案上，其中，所述多个源极/漏极图案通过所述多个沟道层彼此连接；以及第一栅电极和第二栅电极，至少部分地围绕沟道层并且在第二方向上延伸，其中，第二方向与第一方向相交，其中，有源图案具有第一侧壁和面向第一侧壁的第二侧壁，并且其中，有源图案的第一侧壁与第一栅电极的外侧壁之间的第一距离和有源图案的第二侧壁与第二栅电极的外侧壁之间的第二距离不同。