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发明公开
半导体器件审中-实审

公开(公告)号：CN116264230A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202211434984.5

申请日：2022-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 , 成石铉 , 朴赞教 , 吴昇澈

IPC: H01L27/092 , H10B10/00

Abstract: 提供了能够改善器件的性能和可靠性的半导体器件。所述半导体器件包括：位于衬底上的第一有源图案，所述第一有源图案包括在第一方向上延伸的第一下部图案和位于该第一下部图案上的第一片图案；位于所述衬底上的第二有源图案，所述第二有源图案包括在第二方向上与所述第一下部图案间隔开的第二下部图案和位于所述第二下部图案上的第二片图案，其中，所述第一下部图案和所述第二下部图案通过鳍沟槽间隔开。

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