公开(公告)号：CN105088197A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510245528.X

申请日：2015-05-14

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 罗穆尔德·诺瓦克 ,  康胡 ,  阿德里安·拉瓦伊 ,  钱俊

IPC: C23C16/52 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/54 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67207

Abstract: 本发明涉及在多站式衬底沉积系统中单个ALD循环厚度的控制，具体公开了在多站式处理室中在多个半导体衬底上沉积膜材料的方法。该方法可以包括：将第一成组的一个或多个衬底加载至所述处理室中第一成组的一个或多个处理站处以及通过执行N个膜沉积循环将膜材料沉积至所述第一成组的衬底上。此后，该方法可以进一步包括将所述第一成组的衬底从所述第一成组的处理站传送到在所述第二成组的一个或多个处理站；将第二成组的一个或多个衬底加载至所述第一成组的处理站处；以及通过执行N'个膜沉积循环，沉积膜材料至所述第一成组的衬底上以及所述第二成组的衬底上；其中，N'与N不相等。本发明还公开了可以用于执行类似操作的装置和计算机可读介质。

公开(公告)号：CN104952773A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510278401.8

申请日：2015-05-27

Applicant: 沈阳拓荆科技有限公司

Inventor： 陈英男 ,  姜崴 ,  郑旭东 ,  关帅

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67207

Abstract: 一种半导体沉积设备腔体对接方法，主要解决现有半导体薄膜沉积设备中存在的对接难度大，精度调整不方便，影响设备产能及产品良率的问题。该方法是通过将对接装置放置在设备主体框架上，并通过固定结构将其固定在主体框架上作为整个对接装置及对接过程中的支点，或可将其独立固定在设备框架旁。固定完成后将需对接安装的腔体放置在位于支撑导向结构上的滑移结构上。调整位于其上的夹紧结构，锁紧腔体本身的固定结构。操作完成时，将整个对接装置拆除。本发明以一种简易、方便、灵活操作方式完成固定、支撑、滑移搬运、顶升、夹紧操作，实现对接操作及精度调整。在满足使用功能的同时可节省一部分人力资源及避免人员操作过程中产生的劳动损伤等危害。

公开(公告)号：CN102347210B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201110044283.6

申请日：2007-08-28

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 约翰·博伊德 ,  耶兹迪·多尔迪 ,  蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 ,  班杰明·W·莫琳 ,  约翰·帕克斯 ,  威廉·蒂 ,  弗里茨·C·雷德克 ,  阿瑟·M·霍瓦尔德 ,  艾伦·舍普 ,  戴维·黑梅克 ,  卡尔·伍兹 ,  横硕·亚历山大·允 ,  亚历山大·奥夫恰雷斯

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/67184 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67745

Abstract: 本发明公开在衬底上进行填隙的方法。公开了一种用于在受控环境下填充衬底特征的方法，包括如下方法操作：在组合工具的第一腔室内在所述衬底上蚀刻一特征；在所述组合工具的第二腔室内沉积阻挡层，设置所述阻挡层以防止铜扩散入所述特征的暴露面；并且用直接沉积在所述阻挡层上方的填隙材料填充所述特征。还公开一种无需在衬底上应用籽晶层而执行填隙工艺的方法。

公开(公告)号：CN104752275A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410432414.1

申请日：2014-08-28

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 吕峰 ,  张风港 ,  赵梦欣 ,  丁培军 ,  李冬冬 ,  文莉辉

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67739

Abstract: 本发明提供的工艺腔室以及半导体加工设备，其包括至少两个反应舱、相互独立的至少两套进气系统和晶片传输装置，其中，至少两个反应舱设置在工艺腔室的内部，且沿其周向均匀分布，每个反应舱内构成独立的工艺环境；进气系统一一对应地向反应舱输送工艺气体；晶片传输装置用于将晶片传输至反应舱内。本发明提供的工艺腔室，其单个工艺腔室可以同时进行两道以上的工序，从而不仅工艺腔室的结构紧凑、占地空间小，而且无需重新设计传输腔室的结构，从而可以降低设备的制造成本。

公开(公告)号：CN104752274A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410431336.3

申请日：2014-08-28

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 吕峰 ,  张风港 ,  赵梦欣 ,  丁培军

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01J37/32642 ,  C23C14/0068 ,  C23C14/34 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3411 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67739

Abstract: 本发明提供的工艺腔室以及半导体加工设备，其包括反应舱、进气系统和晶片传输装置，其中，反应舱设置在工艺腔室内，用以对晶片进行工艺；进气系统用于向反应舱提供工艺气体；晶片传输装置用于将晶片传输至反应舱内，在反应舱内设置有衬环组件，衬环组件的结构被设置为在其与反应舱的内侧壁之间形成匀流腔，用以将来自进气系统的工艺气体通过所述匀流腔均匀地输送至反应舱内。本发明提供的工艺腔室，其可以提高工艺气体进入反应舱的速度、控制参与工艺过程的工艺气体的流量的准确度，以及工艺气体在反应舱内的分布均匀性。

公开(公告)号：CN104662653A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380050290.4

申请日：2013-10-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·K·乔杜里 ,  W-S·类 ,  T·伊根 ,  B·伊顿 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  A·库玛

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/82 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381

Abstract: 本发明揭示使用UV可固化黏着薄膜进行激光与等离子体蚀刻晶圆切割的方法和系统。方法包括形成遮罩以覆盖晶圆上形成的集成电路(IC)。利用UV可固化黏着薄膜使该半导体晶圆与薄膜框架接合。使该UV可固化黏着薄膜预固化以使超出晶圆边缘的黏着剂周围部分固化，以增进露出的黏着剂材料对等离子体蚀刻的抗性并减少蚀刻腔室内的碳氢化合物再沉积作用(redeposition)。使用激光划线法对该遮罩进行图案化以提供具有间隙的图案化遮罩。该图案露出用于形成集成电路(IC)的多个薄膜层下方的半导体晶圆区域。贯穿该图案化遮罩中的该等间隙等离子体蚀刻该半导体晶圆而切割该等集成电路(IC)。随后使该UV可固化黏着剂的中央部分固化，并使已切割的IC脱离该薄膜。

公开(公告)号：CN104603914A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380046614.7

申请日：2013-08-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 格伦·T·莫里 ,  岳胜·欧

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0206 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L23/00 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本文中描述用于处理基板的方法和设备。真空多腔室沉积工具可包含除气腔室，且该除气腔室具有加热机构和变频微波源两者。用于进行基板除气的方法可包括将含有聚合物或环氧化物的基板放置在处理腔室内并使该处理腔室保持在除气温度与玻璃转化温度之间，使该基板暴露于变频微波辐射，使该基板暴露于包含惰性气体的等离子体，去除该腔室中的含氧化合物，升高该腔室中的惰性气体的压力，和保持该惰性气体的压力且同时冷却该基板至比除气温度低的温度。

公开(公告)号：CN102881617B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201210243790.7

申请日：2012-07-13

Applicant: 斯克林集团公司

Inventor： 基村雅洋 ,  尾辻正幸

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207

Abstract: 基板处理方法包括从基板上除去多余物的除去工序和与除去工序并行地进行的蒸发工序。所述除去工序通过向基板供给含有氟化氢的HF蒸汽和含有水能够溶解并且沸点比水的沸点低的溶剂的溶剂蒸汽，来蚀刻并除去所述多余物。所述蒸发工序使所述基板上的所述溶剂蒸发。

公开(公告)号：CN104347349A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310471415.2

申请日：2013-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈升照 ,  黄志辉 ,  杜友伦 ,  吴政达 ,  蔡嘉雄 ,  陈晓萌

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/60 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/187 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/68707 ,  H01L33/0079 ,  Y10S438/906

Abstract: 本发明提供了用于清洗用来混合接合的半导体晶圆表面的机制的实施例。一种用于清洗用来混合接合的半导体晶圆的表面方法包括：提供半导体晶圆，并且半导体晶圆具有嵌入在绝缘层中的导电焊盘。该方法还包括：对半导体晶圆的表面实施等离子体工艺，并且在导电结构的表面上形成金属氧化物。该方法还包括：使用清洗液实施清洗工艺，以与金属氧化物进行还原反应，使得在导电结构的表面上形成金属-氢键。该方法还包括：在真空下将半导体晶圆传送至接合室，以用于混合接合。本发明还提供了用于混合接合的机制和集成系统的实施例。

公开(公告)号：CN103718287A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201280038309.9

申请日：2012-07-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 类维生 ,  B·伊顿 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  S·辛格 ,  A·库玛 ,  A·伊耶

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  B23K26/00 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/0661 ,  B23K26/0676 ,  B23K26/083 ,  B23K26/0869 ,  B23K26/361 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K37/047 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明描述切割各具有多个集成电路的半导体晶圆的方法。所述方法包括在所述半导体晶圆上方形成掩模。所述掩模由覆盖及保护所述集成电路的层所组成。以分裂束激光划线处理将所述掩模图案化，以提供具有多个间隙的经图案化的掩模。所述图案化曝露位于所述集成电路之间所述半导体晶圆的区域。之后，透过经图案化的掩模上的所述间隙蚀刻所述半导体晶圆，以单分所述集成电路。