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公开(公告)号：CN114174554B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202080054583.X
申请日：2020-07-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01J37/32
Abstract: 处理腔室可以包括气体分配构件、基板支撑件、以及泵送衬垫。气体分配构件与基板支撑件可以至少部分定义处理容积。泵送衬垫可以定义经由围绕处理容积周向设置的泵送衬垫的多个孔隙而与处理容积流体连通的内部容积。处理腔室可以进一步包括流量控制机构，流量控制机构可操作以在从气体分配构件进入处理容积的流体分配期间经由泵送衬垫的多个孔隙的子集将流体流从泵送衬垫的内部容积引导进入处理容积。
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公开(公告)号：CN102714146A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080055187.5
申请日：2010-12-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/04 , C23C16/4401 , C23C16/45589 , C23C16/4585
Abstract: 本发明的实施例考量一种遮蔽环，该遮蔽环在晶圆的边缘上提供增加的或减少的且更均匀的沉积。通过从该遮蔽环的顶表面和/或底表面移除材料，可实现增加的边缘沉积及斜面覆盖率。在一个实施例中，通过在该底表面上提供凹陷狭槽，来减少该底表面上的材料。通过增加该遮蔽环的材料量，可减少边缘沉积及斜面覆盖率。另一种调整晶圆的边缘处的沉积的方法包括增加或减小该遮蔽环的内直径。形成该遮蔽环的材料亦可变化，以改变晶圆的边缘处的沉积量。
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公开(公告)号：CN117529575A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202280042368.7
申请日：2022-05-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·M·博贝克 , R·黄 , A·A·哈贾 , A·班塞尔 , 李铜衡 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , T·A·恩古耶 , S·河 , A·M·帕特尔 , R·林杜尔派布恩 , K·嘉纳基拉曼 , K·D·李
IPC: C23C16/44
Abstract: 处理腔室的示例性方法可包括将清洁前驱物输送到远程等离子体单元。方法可包括形成清洁前驱物的等离子体。方法可包括将清洁前驱物的等离子体流出物输送到半导体处理腔室的处理区域。处理区域可由一个或多个腔室部件限定。一个或多个腔室部件可包括氧化物涂层。方法可包括停止等离子体流出物的输送。方法可包括在停止等离子体流出物的输送之后，使用输送到处理区域的含氢材料来处理氧化物涂层。
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公开(公告)号：CN117280075A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202280033902.8
申请日：2022-03-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44
Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括具有顶表面的基板支撑件。顶表面的外围边缘区域可以相对于顶表面的中间区域凹陷。腔室可包括围绕基板支撑件的外表面设置的泵送衬里。腔室可包括设置在基板支撑件与泵送衬里之间的衬里。衬里可以与外表面间隔开以在衬里与基板支撑件之间限定净化管腔。腔室可包括安置在外围边缘区域上的边缘环。边缘环可以延伸超过基板支撑件的外围边缘并且在衬里的一部分上方。可以在边缘环的底面与衬里的顶表面之间形成间隙。间隙和净化管腔可以流体耦合。
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公开(公告)号：CN116964710A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202180079522.3
申请日：2021-10-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种半导体处理系统包括远程等离子体源(RPS)、面板，以及定位在RPS与面板之间的输出歧管。输出歧管由与净化气源流体耦接的多个净化出口和与沉积气源流体耦接的多个沉积出口表征。输送管在RPS与面板之间延伸且流体耦接RPS和面板。输送管由大体圆柱形的侧壁，所述大体圆柱形的侧壁限定以径向图案布置的上部多个孔隙。上部孔隙中的每一者与净化出口中的一者流体耦接。大体圆柱形的侧壁限定下部多个孔隙，所述下部多个孔隙以径向图案布置且在上部多个孔隙下方。下部孔隙中的每一者与沉积出口中的一者流体耦接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104737274A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380050065.0
申请日：2013-10-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： N·拉贾戈帕兰 , X·韩 , M·齐昂 , M·奥加塔 , Z·蒋 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , T·诺瓦克 , J·周 , R·萨卡拉克利施纳 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , A·班塞尔 , J·李 , T·伊根 , E·布迪亚托 , D·帕纳修克 , T·Y·李 , J·陈 , M·阿优伯 , H·L·朴 , P·赖利 , S·沙克 , 金秉宪 , S·斯塔里克
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/5096 , G01B11/0625 , G01B11/0683 , G01N21/55 , G01N21/658 , G01N2201/1222 , H01L21/00 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/687
Abstract: 兹描述根据PECVD工艺来处理基板的设备和方法。调整基板的温度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。调整等离子体密度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。加热暴露于等离子体的腔室表面，以改善等离子体密度均匀性及减少腔室表面处低品质沉积物的形成。原位量测技术可用于监测沉积工艺的进行，及触发涉及基板温度分布、等离子体密度分布、压力、温度与反应物流量的控制动作。
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公开(公告)号：CN117203749A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202280030924.9
申请日：2022-03-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 示例性半导体处理系统可包括限定至少一个等离子体出口的输出歧管。系统可包括设置在输出歧管下方的气箱。气箱可包括面向输出歧管的入口侧和与入口侧相对的出口侧。气箱可包括限定中心流体管腔的内壁。内壁可从入口侧到出口侧向外逐渐变细。系统可包括设置在气箱下方的环形间隔件。环形间隔件的内径可大于中心流体管腔的最大内径。系统可包括设置在环形间隔件下方的面板。面板可限定延伸穿过面板厚度的多个孔。
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公开(公告)号：CN114174554A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080054583.X
申请日：2020-07-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01J37/32
Abstract: 处理腔室可以包括气体分配构件、基板支撑件、以及泵送衬垫。气体分配构件与基板支撑件可以至少部分定义处理容积。泵送衬垫可以定义经由围绕处理容积周向设置的泵送衬垫的多个孔隙而与处理容积流体连通的内部容积。处理腔室可以进一步包括流量控制机构，流量控制机构可操作以在从气体分配构件进入处理容积的流体分配期间经由泵送衬垫的多个孔隙的子集将流体流从泵送衬垫的内部容积引导进入处理容积。
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公开(公告)号：CN103493185A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280017230.8
申请日：2012-04-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/31
CPC classification number: C23C16/56 , C23C16/0272 , C23C16/4401 , C23C16/4404 , C23C16/45565 , C23C16/54
Abstract: 本发明的实施例提供用于在相同腔室中执行UV处理与化学处理和/或沉积的设备与方法。本发明的一个实施例提供一种处理腔室，所述处理腔室包括：可透过UV光的气体分配喷头，所述可透过UV光的气体分配喷头设置在基板支撑件上方，所述基板支撑件位于所述处理腔室的内部空间中；可透过UV光的窗口，所述可透过UV光的窗口设置在所述可透过UV光的气体分配喷头上方；及UV单元，所述UV单元设置在所述内部空间外面。所述UV单元配置为将UV光朝向所述基板支撑件而引导通过所述可透过UV光的窗口与所述可透过UV光的气体分配喷头。
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公开(公告)号：CN102884610A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180023388.1
申请日：2011-05-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： R·萨卡拉克利施纳 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , D·R·杜鲍斯 , M·A·福多尔 , 周建华 , A·班塞尔 , M·阿优伯 , S·沙克 , P·赖利 , D·帕德希 , T·诺瓦克
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/6719 , C23C16/46 , C23C16/5096 , H01J37/32495 , H01J37/32568 , H01J37/32651 , H01J37/32715
Abstract: 本发明提供用于等离子体处理衬底的设备。所述设备包括处理腔室、设于处理腔室内的衬底支撑件、设于处理腔室内且在衬底支撑件下方的屏蔽构件、以及耦合至处理腔室的盖组件。所述盖组件包括耦合至功率源的导电气体分配器、以及电极，所述电极通过电气绝缘体与导电气体分配器和腔室主体隔开。电极还耦合至电功率源。衬底支撑件制作成具有容许偏离平行甚微的刚性。屏蔽构件热屏蔽腔室主体下部中的衬底传送开口。泵送气室位于衬底支撑件处理位置下方，且从所述衬底支撑件处理位置隔开。
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