-
公开(公告)号：CN116917542A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280018544.3
申请日：2022-02-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 安东·V·巴里什尼科夫 , 阿尤特·阿尤丁 , 黄祖滨 , 程睿 , 杨毅 , 迪瓦卡尔·科德拉雅 , 文卡塔纳拉亚纳•尚卡拉穆尔提 , 克里希纳·尼塔拉 , 卡希克·贾纳基拉曼
IPC: C23C16/52
Abstract: 提供了用于使用机器学习控制沉积膜的浓度轮廓的方法及系统。将与在用于基板的沉积工艺期间待在基板表面上沉积的膜的目标浓度轮廓相关联的数据作为输入提供到经训练的机器学习模型。获得经训练的机器学习模型的一个或多个输出。由一个或多个输出决定识别沉积工艺设置的一个或多个集合的工艺配方数据。针对沉积工艺设置的每个集合，亦决定了沉积工艺设置的相应集合对应于待在基板上沉积的膜的目标浓度轮廓的信赖水平的指示。回应于识别具有满足信赖准则水平的信赖水平的沉积工艺设置的相应集合，根据沉积工艺设置的相应集合执行沉积工艺的一个或多个操作。
-
公开(公告)号：CN114830312A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202080086799.4
申请日：2020-12-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 大卫·W·格罗歇尔 , 迈克尔·R·赖斯 , 刚·格兰特·彭 , 程睿 , 黄祖滨 , 王涵 , 卡希克·贾纳基拉曼 , 迪瓦卡尔·科德拉雅 , 保罗·L·布里尔哈特 , 阿卜杜勒·阿齐兹·卡哈
Abstract: 本文提供用于腔室部件(腔室部件用于在工艺腔室中使用，腔室部件诸如表面成形的或纹理化的腔室部件)的表面成形和纹理化的方法和装置，和使用所述腔室部件的方法。在某些实施方式中，方法包括使用一个或多个传感器测量参考基板或被加热的基座的参数；和基于所测量的参数物理地修改腔室部件的表面。
-
公开(公告)号：CN117730405A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202280046021.X
申请日：2022-04-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01J37/32 , C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 本文描述了用于处理基板的方法和装置。所描述的方法和装置使得能够在处理腔室内与多个基板升降销同时或分开地升高和降低遮蔽环。遮蔽环使用遮蔽环升降组件来升高和降低，并且可以在自由基处理操作期间升高到基板上方的预定高度。遮蔽环升降组件也可以升高和降低多个基板升降销，以使得当基板被传输到处理腔室中或从处理腔室传输出去时，遮蔽环和基板升降销两者能够升高到传输位置。
-
公开(公告)号：CN113795908A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202080033975.8
申请日：2020-02-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/02
Abstract: 提供了用于处理基板的实施例，并且实施例包括修整光刻胶的方法，以提供具有平滑侧壁表面的光刻胶轮廓并且调整图案化特征和/或后续沉积的介电层的临界尺寸。所述方法能够包括：在基板上沉积牺牲结构层，在牺牲结构层上沉积光刻胶，以及图案化光刻胶以在牺牲结构层上产生粗略光刻胶轮廓。所述方法还包括：用等离子体修整光刻胶以产生覆盖牺牲结构层的第一部分的精修的光刻胶轮廓，同时暴露牺牲结构层的第二部分；蚀刻牺牲结构层的第二部分以形成设置在基板上的图案化特征；以及在图案化特征上沉积介电层。
-
公开(公告)号：CN113614880A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080021414.6
申请日：2020-03-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/308 , H01L21/02 , H01J37/32
Abstract: 本公开内容提供了利用具有良好轮廓控制和特征转移完整性的多重图案化处理来形成纳米结构。在一个实施方式中，一种用于在基板上形成特征的方法包括：在基板上形成心轴层；在心轴层上共形地形成间隔层，其中间隔层是掺杂的硅材料；和图案化间隔层。在另一实施方式中，一种用于在基板上形成特征的方法包括：在基板上的心轴层上共形地形成间隔层，其中间隔层是掺杂的硅材料；使用第一气体混合物选择性地移除间隔层的一部分；和使用不同于第一气体混合物的第二气体混合物选择性地移除心轴层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112005342A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201980027478.4
申请日：2019-03-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , C23C16/455
Abstract: 提供一种用于沉积非晶硅材料的方法，并且所述方法包括：在与工艺腔室流体连通的等离子体单元内产生等离子体；和使所述等离子体流动穿过离子抑制器以产生含有反应性物种和中性物种的活化流体。所述活化流体不含离子或者含有比所述等离子体更低浓度的离子。所述方法进一步包括：使所述活化流体流入所述工艺腔室内的双通道喷头的第一入口；和使硅前驱物流入所述双通道喷头的第二入口。此后，所述方法包括：使所述活化流体和所述硅前驱物的混合物从所述双通道喷头流出；和在所述工艺腔室中设置的基板上形成非晶硅层。
-
公开(公告)号：CN119403956A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380048879.4
申请日：2023-04-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 哈普利特·辛格 , 贾勒帕里·拉维 , 黄祖滨 , 曼朱纳塔·科普帕 , 山帝仕·亚达玛尼 , 斯里尼瓦斯·托库尔·莫哈纳 , 斯里亚斯·帕蒂尔·尚塔韦拉斯瓦米 , 吴凯 , 王珮琪 , 赵明锐
IPC: C23C16/455 , C23C16/06 , H01L21/768
Abstract: 提供了一种基板处理系统，所述基板处理系统具有处理腔室。处理腔室包括盖板、一个或多个腔室侧壁和腔室基部，所述盖板、所述一个或多个腔室侧壁和所述腔室基部共同限定处理空间。环形板耦接到盖板，并且边缘歧管通过环形板和盖板流体耦接到处理腔室。基板处理系统包括中心歧管，所述中心歧管耦接到盖板。
-
公开(公告)号：CN113396240A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202080012897.3
申请日：2020-02-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： H·K·P·库马兰库蒂 , P·A·德赛 , D·N·凯德拉亚 , S·阿加瓦尔 , V·S·M·班加罗尔 , T·恩古耶 , 黄祖滨
IPC: C23C16/455 , C23C16/44
Abstract: 本公开涉及一种用于基板处理腔室的盖组件设备及相关方法。在一个实施方式中，盖组件包括气体歧管。气体歧管包括被配置成接收工艺气体的第一气体通道、被配置成接收掺杂气体的第二气体通道、以及被配置成接收清洁气体的第三气体通道。盖组件还包括喷头。喷头包括被配置成接收工艺气体的一个或多个第一气体开口，以及被配置成接收掺杂气体的一个或多个第二气体开口。
-
公开(公告)号：CN109689295B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201780051335.8
申请日：2017-09-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: B24B37/32 , B24B37/005 , B24B49/00 , B24B57/02 , H01L21/306
Abstract: 本公开内容的实施方式总体涉及基板的化学机械抛光(CMP)。在一个实施方式中，本文公开了用于CMP设备的承载头。承载头包括主体、支撑环和传感器组件。支撑环耦接至主体。传感器组件至少部分地定位于主体中。传感器组件包括发射器、天线和振动传感器。发射器具有第一端和第二端。天线耦接至发射器的第一端。振动传感器耦接至第二端。振动传感器经配置以检测化学机械过程期间相对于承载头的径向轴、方位轴和角轴的振动。
-
公开(公告)号：CN112449679A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201980048382.6
申请日：2019-07-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: G01N15/02 , G01N15/06 , G01N21/3504 , H01L21/67 , H01L21/66
Abstract: 在此提供用于输送具有期望的乙硼烷浓度的处理气体至处理腔室的处理容积的系统与方法。在一实施例中，系统包括硼烷浓度传感器。硼烷浓度传感器包括主体与多个窗口。在此，多个窗口的各窗口安置在主体的相对端且主体与多个窗口共同地界定单元容积。硼烷浓度传感器进一步包括辐射源与辐射检测器，辐射源安置在单元容积外并邻近于多个窗口的第一窗口，辐射检测器安置在单元容积外并邻近于多个窗口的第二窗口。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.018 seconds)
