公开(公告)号：CN117882183A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202280057852.7

申请日：2022-07-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 岑嘉杰 ,  何达 ,  徐翼 ,  雷雨

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04

Abstract: 一种间隙填充基板上的特征的方法通过使用卤化钨浸泡处理来减小特征到特征间隙填充高度变化。在一些实施例中，所述方法可包括将基板加热至大约350摄氏度到大约450摄氏度的温度，在大约5托至大约25托的工艺压力下将基板暴露于卤化钨气体，用卤化钨气体将基板浸泡大约5秒至大约60秒的浸泡时间；并且在基板的浸泡完成之后，在基板上的多个特征上执行金属预清洁工艺和间隙填充沉积。

公开(公告)号：CN115053336A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202180011894.2

申请日：2021-03-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 贝纳切克·梅巴克 ,  李靖珠 ,  徐翼 ,  雷雨 ,  唐先敏 ,  凯尔文·陈 ,  亚历山大·詹森 ,  菲利普·A·克劳斯

IPC: H01L21/768 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02

Abstract: 讨论了用于选择性地氧化包含介电表面和金属表面的基板表面的介电表面的方法。还讨论了清洁包含介电表面和金属表面的基板表面的方法。所公开的方法使用由氢气和氧气产生的等离子体来氧化的介电表面和/或清洁基板表面。所公开的方法可在单个步骤中执行，而无需使用单独的竞争性氧化和还原反应。所公开的方法可在恒定温度下和/或在单个处理腔室内执行。

公开(公告)号：CN119497762A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202380052481.8

申请日：2023-07-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杰拉尔丁·瓦斯奎兹 ,  徐翼 ,  吴典晔 ,  张爱西 ,  贾勒帕里·拉维 ,  雷雨

IPC: C23C16/458

Abstract: 本文提供了在处理腔室中使用的冲洗环的实施例。在一些实施例中，冲洗环包括：环状主体，具有内部及外部，其中内部包括环状主体的内表面，内表面包含第一内侧壁、第二内侧壁及第三内侧壁，其中内部具有界定第一内侧壁的上部内凹口及界定第二内侧壁的下部内凹口，其中第三内侧壁在第一内侧壁与第二内侧壁之间设置，并且其中第一内侧壁及第二内侧壁从第三内侧壁径向向外地设置。

公开(公告)号：CN119072768A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202380034539.6

申请日：2023-03-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 许智勋 ,  岳诗雨 ,  雷蔚 ,  徐翼 ,  吕疆 ,  雷雨 ,  熊子逸 ,  杨宗翰 ,  亓智敏 ,  张爱西 ,  张洁 ,  吴立其 ,  汪荣军 ,  陈世忠 ,  吴孟珊 ,  王俊杰 ,  安娜马莱·雷克什马南 ,  杨逸雄 ,  唐先敏

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32

Abstract: 提供了一种用于半导体器件中的间隙填充的方法及设备。该方法包括在基板的暴露表面上形成金属种晶层，其中基板具有在基板的顶表面中形成的沟槽或通孔形式的特征，所述特征具有侧壁及在侧壁之间延伸的底表面。执行梯度氧化工艺以氧化金属种晶层的暴露部分，从而形成金属氧化物，其中梯度氧化工艺优先氧化基板的场区域而非特征底表面。回蚀工艺去除或减少种晶层的氧化部分。金属间隙填充工艺用间隙填充材料填充或部分填充特征。

公开(公告)号：CN115004329A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202080094059.5

申请日：2020-11-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 徐翼 ,  呼宇飞 ,  大东和也 ,  雷雨 ,  吴典晔 ,  贾勒帕里·拉维

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 描述了用于预清洁具有金属及介电表面的基板的方法。在处理腔室中将包括具有金属底部、介电侧壁和电介质的场的表面结构的基板暴露于双等离子体处理，以从该金属底部、所述介电侧壁、和/或该电介质的该场去除化学残留物和/或杂质，和/或修复所述介电侧壁和/或该电介质的该场中的表面缺陷。该双等离子体处理包括直接等离子体和远程等离子体。

公开(公告)号：CN114270495A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202080036748.0

申请日：2020-05-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尤适 ,  任河 ,  梅裕尔·奈克 ,  徐翼 ,  陈枫

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 用于形成于基板上的互连结构的方法及装置及在该基板上形成该互连结构的方法。在实施方式中，所述方法包括以下步骤：蚀刻穿过设置在低k介电层的顶部上的硬质掩模，以形成穿过该低k介电层的通孔及暴露导电表面；将该导电表面与稀释的氢氟酸接触以从该导电表面移除污染物；移除设置在该低k介电层的顶部上的该硬质掩模；及向该导电表面施用远程氢等离子体以形成该导电表面的暴露部分。

公开(公告)号：CN110709534A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880018717.5

申请日：2018-03-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张闻宇 ,  唐薇 ,  杨逸雄 ,  林政汉 ,  徐翼 ,  雷雨 ,  吉田尚美 ,  董琳 ,  德鲁·菲利普斯 ,  斯里维迪亚·纳塔拉詹 ,  阿塔什·巴苏 ,  卡利亚潘·穆图库马尔 ,  大卫·汤普森 ,  马伯方

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/14 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56

Abstract: 沉积具有受控制量的碳的氮化铝钛膜的方法。所述方法包括将基板表面暴露于钛前驱物、氮反应物和铝前驱物，其中在每次暴露之间进行净化。

公开(公告)号：CN110024132A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201780071771.1

申请日：2017-11-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 徐翼 ,  马飞跃 ,  雷雨 ,  大东和也 ,  维卡什·班西埃 ,  吴凯 ,  詹·跃·王 ,  常梅

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324

Abstract: 形成触点线的方法包括清洁在沟槽中的钴膜的表面及在此钴的表面上形成保护层，此保护层包括硅化物或锗化物中的一或多种。也公开了具有触点线的半导体装置。

公开(公告)号：CN110870048B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN201880027819.3

申请日：2018-08-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨逸雄 ,  马伯方 ,  唐薇 ,  张闻宇 ,  陈世忠 ,  林政汉 ,  林志周 ,  徐翼 ,  雷雨 ,  吉田尚美 ,  林东 ,  西达斯·克里希南

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 用于形成半导体结构的设备与方法，包括：于高k介电层顶上沉积掺杂堆叠，所述掺杂堆叠具有第一表面，其中所述掺杂堆叠包括至少一个第一金属层、至少一个第二金属层、和至少一个第三金属层，所述第一金属层具有第一表面，所述第二金属层包括第一铝掺杂剂和第一表面，所述第三金属层位于所述第二金属层的所述第一表面顶上，其中所述第二金属层位于所述第一金属层的所述第一表面顶上；在所述掺杂堆叠的所述第一表面顶上沉积退火层；将所述结构退火，而使至少所述第一铝掺杂剂扩散进入所述高k介电层中；移除所述退火层；和在所述掺杂堆叠的

公开(公告)号：CN115039210A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202180012393.6

申请日：2021-04-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 雷伟 ,  徐翼 ,  雷雨 ,  河泰泓 ,  雷蒙德·洪 ,  希里什语·A·佩特

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205

Abstract: 一种用于在介电表面顶上选择性沉积钨层的方法及设备。在实施方式中，方法包括：在基板场顶上并且在基板中设置的特征的侧壁及介电底表面顶上经由PVD工艺沉积钨层以在场顶上形成具有第一厚度的第一钨部分，在侧壁顶上形成具有第二厚度的第二钨部分，并且在底表面顶上形成具有第三厚度的第三钨部分，其中第二厚度小于第一厚度及第三厚度；氧化钨层的顶表面以在场顶上形成第一氧化的钨部分，在侧壁顶上形成第二氧化的钨部分，并且在底表面顶上形成第三氧化的钨部分；去除第一、第二、及第三氧化的钨部分，其中第二钨部分完全从侧壁去除；以及从场钝化或完全去除第一钨部分。