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公开(公告)号：CN110024132A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780071771.1
申请日：2017-11-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 徐翼 , 马飞跃 , 雷雨 , 大东和也 , 维卡什·班西埃 , 吴凯 , 詹·跃·王 , 常梅
IPC: H01L29/66 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/324
Abstract: 形成触点线的方法包括清洁在沟槽中的钴膜的表面及在此钴的表面上形成保护层，此保护层包括硅化物或锗化物中的一或多种。也公开了具有触点线的半导体装置。
