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公开(公告)号：CN102543946B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201110427046.8
申请日：2011-12-08
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L23/522 , H01L29/423
CPC classification number: H01L23/3171 , H01L21/56 , H01L23/3164 , H01L23/3192 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L29/0657 , H01L2224/24 , H01L2224/24011 , H01L2224/2402 , H01L2224/24227 , H01L2224/76155 , H01L2224/82 , H01L2224/82102 , H01L2224/82105 , H01L2224/92144 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10155 , H01L2924/12036 , H01L2924/1204 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/00
Abstract: 本发明名称为“半导体器件封装及其制造方法”。一种半导体器件封装，包括具有其上形成的连接垫片的半导体器件，其中连接垫片在半导体器件的第一表面和第二表面上形成，半导体器件边缘在第一表面和第二表面之间延伸。在半导体器件上施加第一钝化层，并且半导体器件的第一表面附有基极介电层压材料，其厚度大于第一钝化层的厚度。在第一钝化层和半导体器件上方施加厚度大于第一钝化层厚度的第二钝化层，以覆盖半导体器件的第二表面和边缘，并且金属互连耦合到连接垫片，其中金属互连贯穿穿过第一钝化层和第二钝化层及基极介电层压片形成的通孔，以形成与连接垫片的连接。
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公开(公告)号：CN101840914B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201010146956.4
申请日：2010-03-12
Applicant: 通用电气公司
Inventor： R·A·博普雷 , A·V·高达 , L·D·J·斯特瓦诺维克 , S·A·索洛维奇
CPC classification number: H01L23/3735 , H01L23/051 , H01L23/42 , H01L23/473 , H01L24/24 , H01L25/072 , H01L2224/24137 , H01L2224/92144 , H01L2924/01029 , H01L2924/14
Abstract: 本发明涉及具有功率覆盖层的双侧冷却的功率模块。一种功率模块(20)包括一个或多个半导体功率器件(22)，该一个或多个半导体功率器件(22)具有结合到该器件上的功率覆盖层(POL)(24)。第一散热器组件(30)在与POL(24)相对的一侧上结合到半导体功率器件(22)上。第二散热器组件(28)与POL(24)的结合到半导体功率器件(22)上的一侧相对而结合到该POL(24)上。半导体功率器件(22)、POL(24)、第一通道散热器组件(30)和第二通道散热器组件(28)一起形成双侧冷却的功率覆盖模块。第二通道散热器组件(28)单独地经由柔顺热界面材料(26)结合到POL(24)上而无需平面化、铜焊或冶金结合。
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公开(公告)号：CN119495676A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411112699.0
申请日：2024-08-14
Applicant: 通用电气公司
Inventor： L·D·斯特万诺维奇 , A·V·高达 , C·J·卡普斯塔 , R·I·S·图梅宁
IPC: H01L23/538 , H01L25/07 , H01L21/60
Abstract: 本申请标题为“多芯片半导体封装的电力覆盖结构”。一种多芯片半导体封装，该多芯片半导体封装包括：具有上表面和底表面的电介质互连层；部署在互连层的上表面上的至少一个公共源极焊盘；部署在互连层的上表面上的至少一个公共栅极焊盘；以及多个半导体器件，每个半导体器件包括粘合到互连层上的栅极焊盘和至少一个源极焊盘，其中多个半导体器件的源极焊盘电连接到至少一个公共源极焊盘，并且其中多个半导体器件的源极焊盘彼此并联电连接，并且其中多个半导体器件的栅极焊盘电连接到公共栅极焊盘，并且其中多个半导体器件的栅极焊盘彼此并联电连接。
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公开(公告)号：CN103715330B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201210478561.3
申请日：2012-09-28
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L25/075
CPC classification number: H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/24137 , H01L2224/73267 , H01L2924/12041 , H01L2924/00 , H01L2224/18 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种用于互连发光半导体的覆盖式电路结构。公开了用于封装发光半导体(LES)的系统和方法。提供LES装置，其包括散热器和LES芯片阵列，该LES芯片阵列安装在散热器上并且电连接到散热器上，其中，各个LES芯片包括连接垫和发光区域，发光区域构造成响应于接收的电功率而从其中发射光。LES装置还包括柔性互连结构，其定位在各个LES芯片上并且电连接到各个LES芯片上，以提供LES芯片阵列的受控操作，其中，柔性互连结构进一步包括：柔性介电膜，其构造成与散热器的形状相一致；以及金属互连结构，其形成在柔性介电膜上，并且延伸通过形成在柔性介电膜中的通路，以便电连接到LES芯片的连接垫上。
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公开(公告)号：CN105321923A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510363890.7
申请日：2015-05-27
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L23/52
CPC classification number: H01L23/5386 , H01L23/49811 , H01L33/62 , H01L2224/11 , H01L2924/0002 , H01S5/02256 , H05K3/32 , H05K2201/0311 , H05K2201/10674 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种具有半导体集成电路和多个互连部件的电子封装组件。多个互连部件可操作地耦合至半导体集成电路。而且，一个或多个互连部件包括具有第一表面和第二表面的一个或多个支撑元件，和具有第一端和第二端的一个或多个弹簧元件，且其中一个或多个弹簧元件的第一端耦合至各支撑元件的第一表面或第二表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103715330A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201210478561.3
申请日：2012-09-28
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L25/075
CPC classification number: H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/24137 , H01L2224/73267 , H01L2924/12041 , H01L2924/00 , H01L2224/18 , H01L2924/00012 , H01L33/62 , H01L25/0753 , H01L33/642
Abstract: 本发明涉及一种用于互连发光半导体的覆盖式电路结构。公开了用于封装发光半导体(LES)的系统和方法。提供LES装置，其包括散热器和LES芯片阵列，该LES芯片阵列安装在散热器上并且电连接到散热器上，其中，各个LES芯片包括连接垫和发光区域，发光区域构造成响应于接收的电功率而从其中发射光。LES装置还包括柔性互连结构，其定位在各个LES芯片上并且电连接到各个LES芯片上，以提供LES芯片阵列的受控操作，其中，柔性互连结构进一步包括：柔性介电膜，其构造成与散热器的形状相一致；以及金属互连结构，其形成在柔性介电膜上，并且延伸通过形成在柔性介电膜中的通路，以便电连接到LES芯片的连接垫上。
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公开(公告)号：CN102593046A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110463335.3
申请日：2011-12-22
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L24/82 , H01L21/486 , H01L24/06 , H01L24/24 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0655 , H01L25/072 , H01L2224/04105 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/2405 , H01L2224/2413 , H01L2224/24225 , H01L2224/27416 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73217 , H01L2224/73267 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83194 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2224/83865 , H01L2224/83874 , H01L2224/92144 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/13026 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/18162 , H01L2924/00
Abstract: 提供制造半导体器件封装件的方法。该方法包括：提供叠层，其包括设置在第一金属层上的介电膜，所述叠层具有介电膜外表面和第一金属层外表面；根据预定图案形成多个延伸通过该叠层的通孔；将一个或多个半导体器件附连到该介电膜外表面使得半导体器件在附连后接触一个或多个通孔；在该第一金属层外表面和多个通孔的内表面上设置导电层来形成互连层，其包括该第一金属层和所述导电层；以及根据预定电路配置图案化该互连层来形成图案化的互连层，其中该图案化的互连层的一部分延伸通过一个或多个通孔来形成与半导体器件的电接触。还提供半导体器件封装件。
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公开(公告)号：CN102543946A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110427046.8
申请日：2011-12-08
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L23/522 , H01L29/423
CPC classification number: H01L23/3171 , H01L21/56 , H01L23/3164 , H01L23/3192 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L29/0657 , H01L2224/24 , H01L2224/24011 , H01L2224/2402 , H01L2224/24227 , H01L2224/76155 , H01L2224/82 , H01L2224/82102 , H01L2224/82105 , H01L2224/92144 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10155 , H01L2924/12036 , H01L2924/1204 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/00
Abstract: 本发明名称为半导体器件封装及其制造方法。一种半导体器件封装，包括具有其上形成的连接垫片的半导体器件，其中连接垫片在半导体器件的第一表面和第二表面上形成，半导体器件边缘在第一表面和第二表面之间延伸。在半导体器件上施加第一钝化层，并且半导体器件的第一表面附有基极介电层压材料，其厚度大于第一钝化层的厚度。在第一钝化层和半导体器件上方施加厚度大于第一钝化层厚度的第二钝化层，以覆盖半导体器件的第二表面和边缘，并且金属互连耦合到连接垫片，其中金属互连贯穿穿过第一钝化层和第二钝化层及基极介电层压片形成的通孔，以形成与连接垫片的连接。
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公开(公告)号：CN118471951A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410167929.7
申请日：2024-02-06
Applicant: 通用电气公司
Inventor： A·V·高达 , L·D·斯特万诺维奇 , C·J·卡普斯塔 , R·D·戈斯曼 , R·I·S·图梅宁
IPC: H01L23/538 , H01L23/498
Abstract: 本发明涉及用于半导体器件的功率覆盖封装件。一种半导体组件包括半导体器件和联接到所述器件的POL‑RDL封装件。该器件包括上表面、设置在所述上表面上的栅极焊盘和至少一个源极焊盘。POL‑RDL封装件包括介电层，所述介电层设置有电联接到所述器件的所述至少一个源极焊盘的至少一个源极焊盘以及至少一个接触焊盘。具有电阻率值的至少一个迹线连接件将所述POL‑RDL封装件的所述至少一个源极焊盘电联接到所述至少一个接触焊盘。
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公开(公告)号：CN102237344B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201110119566.2
申请日：2011-04-29
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01L24/24 , H01L23/48 , H01L24/72 , H01L24/82 , H01L25/071 , H01L25/072 , H01L2224/04105 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/73267 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/1301 , H01L2924/1302 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L2924/351 , H02P2101/15 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 提供用于利用电力覆盖(POL)技术和半导体压装技术以生产具有更高可靠性和功率密度的半导体封装件(50、70、78、80、90、100、110、120)的系统和方法。POL结构(40)可在半导体封装件(50、70、78、80、90、100、110、120)内互连半导体器件(48)，并且某些实施例可实现以减小在导电板(58、60)的挤压期间损伤该半导体器件(48)的可能性。在一个实施例中，弹簧(54)和/或衬垫(56)可用于减小或控制由发射极板(58)施加到封装件(50、70、78、80、90、100、110、120)中的半导体器件(48)上的力。在另一个实施例中，发射极板(58)可凹陷以对POL结构(40)施加力，而不是直接向半导体器件(48)施加力。此外，在一些实施例中，POL结构(40)的导电层(42)可生长以起发射极板(58)的作用，并且可使导电层(40)的区域成为多孔性的以提供顺应性。
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