公开(公告)号：CN101877348A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN201010139544.8

申请日：2010-03-08

Applicant: 通用电气公司

Inventor： P·A·麦康奈利 ,  K·M·迪罗歇 ,  D·P·坎宁安

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K1/185 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645 ,  H01L23/647 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/1627 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/186 ,  H05K3/386 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明名称为“用于堆叠的管芯嵌入式芯片堆积的系统和方法”。一种嵌入式芯片封装(ECP)包括沿垂直方向结合在一起以形成层压堆叠的多个重分布层，每个重分布层具有其中形成的通路。嵌入式芯片封装还包括嵌入在层压堆叠中的第一芯片和附连到层压堆叠并相对于第一芯片沿垂直方向堆叠的第二芯片，每个芯片具有多个芯片焊盘。嵌入式芯片封装还包括：置于层压堆叠的最外面的重分布层上的输入/输出(I/O)系统(86)；以及电耦合到I/O系统以将第一芯片和第二芯片电连接到I/O系统的多个金属互连。所述多个金属互连的每个延伸穿过相应的通路以与相邻重分布层上的金属互连、或第一芯片或第二芯片上的芯片焊盘形成直接金属连接。

公开(公告)号：CN104681520A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410848599.4

申请日：2014-09-26

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S·S·乔罕 ,  P·A·麦康奈利 ,  A·V·高达

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及嵌入式半导体装置封装及其制造方法。一种封装结构包括介电层，至少一个附接到介电层的半导体装置，施加到介电层且在半导体装置周围以使半导体装置嵌入其中的一个或多个介电片材，和多个形成到半导体装置的通路，多个通路形成在介电层和一个或多个介电片材中的至少一者。封装结构还包括形成在通路中且在封装结构的一个或多个朝外表面上的金属互连件，以形成到半导体装置的电互连。介电层由层压工艺期间不流动的材料组成且一个或多个介电片材的每一个由可固化材料组成，固化材料被配置成在层压工艺期间当固化时熔化并流动，从而填充半导体装置周围的任何空气间隙。

公开(公告)号：CN102543946B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201110427046.8

申请日：2011-12-08

Applicant: 通用电气公司

Inventor： R·A·博普雷 ,  P·A·麦康奈利 ,  A·V·高达 ,  T·B·戈尔茨卡

IPC: H01L23/522 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L23/3171 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3164 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/82105 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1204 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明名称为“半导体器件封装及其制造方法”。一种半导体器件封装，包括具有其上形成的连接垫片的半导体器件，其中连接垫片在半导体器件的第一表面和第二表面上形成，半导体器件边缘在第一表面和第二表面之间延伸。在半导体器件上施加第一钝化层，并且半导体器件的第一表面附有基极介电层压材料，其厚度大于第一钝化层的厚度。在第一钝化层和半导体器件上方施加厚度大于第一钝化层厚度的第二钝化层，以覆盖半导体器件的第二表面和边缘，并且金属互连耦合到连接垫片，其中金属互连贯穿穿过第一钝化层和第二钝化层及基极介电层压片形成的通孔，以形成与连接垫片的连接。

公开(公告)号：CN101877348B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201010139544.8

申请日：2010-03-08

Applicant: 通用电气公司

Inventor： P·A·麦康奈利 ,  K·M·迪罗歇 ,  D·P·坎宁安

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K1/185 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645 ,  H01L23/647 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/1627 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/186 ,  H05K3/386 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明名称为“用于堆叠的管芯嵌入式芯片堆积的系统和方法”。一种嵌入式芯片封装(ECP)包括沿垂直方向结合在一起以形成层压堆叠的多个重分布层，每个重分布层具有其中形成的通路。嵌入式芯片封装还包括嵌入在层压堆叠中的第一芯片和附连到层压堆叠并相对于第一芯片沿垂直方向堆叠的第二芯片，每个芯片具有多个芯片焊盘。嵌入式芯片封装还包括：置于层压堆叠的最外面的重分布层上的输入/输出(I/O)系统(86)；以及电耦合到I/O系统以将第一芯片和第二芯片电连接到I/O系统的多个金属互连。所述多个金属互连的每个延伸穿过相应的通路以与相邻重分布层上的金属互连、或第一芯片或第二芯片上的芯片焊盘形成直接金属连接。

公开(公告)号：CN102543946A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110427046.8

申请日：2011-12-08

Applicant: 通用电气公司

Inventor： R·A·博普雷 ,  P·A·麦康奈利 ,  A·V·高达 ,  T·B·戈尔茨卡

IPC: H01L23/522 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L23/3171 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3164 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/82105 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1204 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明名称为半导体器件封装及其制造方法。一种半导体器件封装，包括具有其上形成的连接垫片的半导体器件，其中连接垫片在半导体器件的第一表面和第二表面上形成，半导体器件边缘在第一表面和第二表面之间延伸。在半导体器件上施加第一钝化层，并且半导体器件的第一表面附有基极介电层压材料，其厚度大于第一钝化层的厚度。在第一钝化层和半导体器件上方施加厚度大于第一钝化层厚度的第二钝化层，以覆盖半导体器件的第二表面和边缘，并且金属互连耦合到连接垫片，其中金属互连贯穿穿过第一钝化层和第二钝化层及基极介电层压片形成的通孔，以形成与连接垫片的连接。

公开(公告)号：CN1599520A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410054980.X

申请日：2004-07-26

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A·R·杜加尔 ,  P·A·麦康奈利 ,  M·谢普肯斯 ,  严旻

IPC: H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L21/67132 ,  C23C14/50 ,  C23C16/458 ,  H01L51/0002

Abstract: 装置(10)包括夹紧装置，其中包括至少一个内部件(14)和至少一个外部件(16)。使夹紧装置(10)的形状能够将膜(12)固定在至少一个内部件(14)和至少一个外部件(16)之间。可以进一步加工被固定的膜(12)，获得一种经加工的膜。被固定在夹紧装置(10)中的一种经加工的膜，可以进一步进行附加的生产步骤，生产经加工的制品。本申请所述的装置(10)和方法适合生产各种制品，例如微电子器件和光电子器件。