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公开(公告)号:CN104681520A
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:CN201410848599.4
申请日:2014-09-26
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/367 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及嵌入式半导体装置封装及其制造方法。一种封装结构包括介电层,至少一个附接到介电层的半导体装置,施加到介电层且在半导体装置周围以使半导体装置嵌入其中的一个或多个介电片材,和多个形成到半导体装置的通路,多个通路形成在介电层和一个或多个介电片材中的至少一者。封装结构还包括形成在通路中且在封装结构的一个或多个朝外表面上的金属互连件,以形成到半导体装置的电互连。介电层由层压工艺期间不流动的材料组成且一个或多个介电片材的每一个由可固化材料组成,固化材料被配置成在层压工艺期间当固化时熔化并流动,从而填充半导体装置周围的任何空气间隙。
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公开(公告)号:CN103715330B
公开(公告)日:2018-04-20
申请号:CN201210478561.3
申请日:2012-09-28
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L25/075
CPC classification number: H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/24137 , H01L2224/73267 , H01L2924/12041 , H01L2924/00 , H01L2224/18 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种用于互连发光半导体的覆盖式电路结构。公开了用于封装发光半导体(LES)的系统和方法。提供LES装置,其包括散热器和LES芯片阵列,该LES芯片阵列安装在散热器上并且电连接到散热器上,其中,各个LES芯片包括连接垫和发光区域,发光区域构造成响应于接收的电功率而从其中发射光。LES装置还包括柔性互连结构,其定位在各个LES芯片上并且电连接到各个LES芯片上,以提供LES芯片阵列的受控操作,其中,柔性互连结构进一步包括:柔性介电膜,其构造成与散热器的形状相一致;以及金属互连结构,其形成在柔性介电膜上,并且延伸通过形成在柔性介电膜中的通路,以便电连接到LES芯片的连接垫上。
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公开(公告)号:CN103715330A
公开(公告)日:2014-04-09
申请号:CN201210478561.3
申请日:2012-09-28
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L25/075
CPC classification number: H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/24137 , H01L2224/73267 , H01L2924/12041 , H01L2924/00 , H01L2224/18 , H01L2924/00012 , H01L33/62 , H01L25/0753 , H01L33/642
Abstract: 本发明涉及一种用于互连发光半导体的覆盖式电路结构。公开了用于封装发光半导体(LES)的系统和方法。提供LES装置,其包括散热器和LES芯片阵列,该LES芯片阵列安装在散热器上并且电连接到散热器上,其中,各个LES芯片包括连接垫和发光区域,发光区域构造成响应于接收的电功率而从其中发射光。LES装置还包括柔性互连结构,其定位在各个LES芯片上并且电连接到各个LES芯片上,以提供LES芯片阵列的受控操作,其中,柔性互连结构进一步包括:柔性介电膜,其构造成与散热器的形状相一致;以及金属互连结构,其形成在柔性介电膜上,并且延伸通过形成在柔性介电膜中的通路,以便电连接到LES芯片的连接垫上。
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