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公开(公告)号：CN102892920A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180017239.4
申请日：2011-02-23
Applicant: 通用电气公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/04 , C23C26/00
CPC classification number: C23C16/403 , C23C16/045 , C23C16/402 , C23C16/45525 , C23C26/00
Abstract: 本发明提供了一种处理多层膜的方法。所述方法包括提供具有基底膜第一表面和基底膜第二表面的基底膜。所述方法还包括提供邻近基底膜第二表面的阻挡层。所述阻挡层具有至少一个能让基底膜和阻挡层外表面之间流体连接的开口。进一步，所述方法包括使基底膜第一表面与第一反应物接触，以及最终使阻挡层外表面与第二反应物接触，所述第二反应物与第一反应物可反应。使基底膜第一表面接触第一反应物和使阻挡层外表面接触第二反应物的方法在所述第一反应物和第二反应物之间的反应形成反应层的条件下进行。
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公开(公告)号：CN102823018A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180018087.X
申请日：2011-03-12
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L51/5268 , H01L51/5275 , H01L51/5284
Abstract: 一种器件包括层，该层包括光发射区和光非发射区。光提取特征设置在光非发射区之上。光提取特征可以包括表面像差和折射率匹配元件。还提供形成器件的方法。
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公开(公告)号：CN101322259A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200680045763.1
申请日：2006-12-01
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L51/5048 , H01B1/06 , H01L51/0059 , H01L51/5221 , H01L2251/5323 , H05B33/28 , Y10T428/31938
Abstract: 本发明披露一种透明电极，该透明电极包括至少一层光学透明导电层和至少一层光学透明中间层，其中所述光学透明导电层与所述光学透明中间层接触，并且其中所述光学透明导电层和所述光学透明中间层整体透射至少50％的波长为约200nm～约1200nm的入射光，所述光学透明导电层的体积电导率为至少100西门子/厘米(S/cm)，所述光学透明中间层包括室温时体积电导率小于约10－12西门子/厘米(S/cm)且带隙为3.5eV的材料。本发明还披露一种形成透明电极的方法和包括至少一个透明电极的透明电子器件。
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公开(公告)号：CN101142696A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200580046401.X
申请日：2005-11-15
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5256
Abstract: 具有至少一个高度完整性保护涂层的复合物品，所述高度完整性保护涂层具有至少一个平面化层和至少一个有机－无机组合物隔离涂层。一种沉积高度完整性保护涂层的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1599520A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410054980.X
申请日：2004-07-26
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01L21/67132 , C23C14/50 , C23C16/458 , H01L51/0002
Abstract: 装置(10)包括夹紧装置，其中包括至少一个内部件(14)和至少一个外部件(16)。使夹紧装置(10)的形状能够将膜(12)固定在至少一个内部件(14)和至少一个外部件(16)之间。可以进一步加工被固定的膜(12)，获得一种经加工的膜。被固定在夹紧装置(10)中的一种经加工的膜，可以进一步进行附加的生产步骤，生产经加工的制品。本申请所述的装置(10)和方法适合生产各种制品，例如微电子器件和光电子器件。
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公开(公告)号：CN102823018B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201180018087.X
申请日：2011-03-12
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L51/5268 , H01L51/5275 , H01L51/5284
Abstract: 一种器件包括层，该层包括光发射区和光非发射区。光提取特征设置在光非发射区之上。光提取特征可以包括表面像差和折射率匹配元件。还提供形成器件的方法。
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公开(公告)号：CN101142696B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN200580046401.X
申请日：2005-11-15
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5256
Abstract: 具有至少一个高度完整性保护涂层的复合物品，所述高度完整性保护涂层具有至少一个平面化层和至少一个有机-无机组合物隔离涂层。一种沉积高度完整性保护涂层的方法。
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公开(公告)号：CN101322259B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200680045763.1
申请日：2006-12-01
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L51/5048 , H01B1/06 , H01L51/0059 , H01L51/5221 , H01L2251/5323 , H05B33/28 , Y10T428/31938
Abstract: 本发明披露一种透明电极，该透明电极包括至少一层光学透明导电层和至少一层光学透明中间层，其中所述光学透明导电层与所述光学透明中间层接触，并且其中所述光学透明导电层和所述光学透明中间层整体透射至少50％的波长为约200nm～约1200nm的入射光，所述光学透明导电层的体积电导率为至少100西门子/厘米(S/cm)，所述光学透明中间层包括室温时体积电导率小于约10-12西门子/厘米(S/cm)且带隙为3.5eV的材料。本发明还披露一种形成透明电极的方法和包括至少一个透明电极的透明电子器件。
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公开(公告)号：CN102892920B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201180017239.4
申请日：2011-02-23
Applicant: 通用电气公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/04 , C23C26/00
CPC classification number: C23C16/403 , C23C16/045 , C23C16/402 , C23C16/45525 , C23C26/00
Abstract: 本发明提供了一种处理多层膜的方法。所述方法包括提供具有基底膜第一表面和基底膜第二表面的基底膜。所述方法还包括提供邻近基底膜第二表面的阻挡层。所述阻挡层具有至少一个能让基底膜和阻挡层外表面之间流体连接的开口。进一步，所述方法包括使基底膜第一表面与第一反应物接触，以及最终使阻挡层外表面与第二反应物接触，所述第二反应物与第一反应物可反应。使基底膜第一表面接触第一反应物和使阻挡层外表面接触第二反应物的方法在所述第一反应物和第二反应物之间的反应形成反应层的条件下进行。
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