公开(公告)号：CN102237344A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110119566.2

申请日：2011-04-29

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A·V·高达 ,  A·埃拉泽尔 ,  S·S·甘图里

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/00 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L24/24 ,  H01L23/48 ,  H01L24/72 ,  H01L24/82 ,  H01L25/071 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1302 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/351 ,  H02P2101/15 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 提供用于利用电力覆盖(POL)技术和半导体压装技术以生产具有更高可靠性和功率密度的半导体封装件(50、70、78、80、90、100、110、120)的系统和方法。POL结构(40)可在半导体封装件(50、70、78、80、90、100、110、120)内互连半导体器件(48)，并且某些实施例可实现以减小在导电板(58、60)的挤压期间损伤该半导体器件(48)的可能性。在一个实施例中，弹簧(54)和/或衬垫(56)可用于减小或控制由发射极板(58)施加到封装件(50、70、78、80、90、100、110、120)中的半导体器件(48)上的力。在另一个实施例中，发射极板(58)可凹陷以对POL结构(40)施加力，而不是直接向半导体器件(48)施加力。此外，在一些实施例中，POL结构(40)的导电层(42)可生长以起发射极板(58)的作用，并且可使导电层(40)的区域成为多孔性的以提供顺应性。

公开(公告)号：CN102237344B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201110119566.2

申请日：2011-04-29

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A·V·高达 ,  A·埃拉泽尔 ,  S·S·甘图里

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/00 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L24/24 ,  H01L23/48 ,  H01L24/72 ,  H01L24/82 ,  H01L25/071 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1302 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/351 ,  H02P2101/15 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 提供用于利用电力覆盖(POL)技术和半导体压装技术以生产具有更高可靠性和功率密度的半导体封装件(50、70、78、80、90、100、110、120)的系统和方法。POL结构(40)可在半导体封装件(50、70、78、80、90、100、110、120)内互连半导体器件(48)，并且某些实施例可实现以减小在导电板(58、60)的挤压期间损伤该半导体器件(48)的可能性。在一个实施例中，弹簧(54)和/或衬垫(56)可用于减小或控制由发射极板(58)施加到封装件(50、70、78、80、90、100、110、120)中的半导体器件(48)上的力。在另一个实施例中，发射极板(58)可凹陷以对POL结构(40)施加力，而不是直接向半导体器件(48)施加力。此外，在一些实施例中，POL结构(40)的导电层(42)可生长以起发射极板(58)的作用，并且可使导电层(40)的区域成为多孔性的以提供顺应性。

公开(公告)号：CN102761294A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210060351.2

申请日：2012-02-29

Applicant: 通用电气公司

Inventor： M·阿加米 ,  A·埃拉泽尔 ,  J·A·萨巴特 ,  A·W·加尔布雷思 ,  M·哈夫曼托多罗维奇

IPC: H02N6/00 ,  G05F1/67

CPC classification number: H02J3/385 ,  H02M3/1584 ,  H02M2001/0032 ,  H02M2001/0067 ,  H02M2001/0093 ,  Y02B70/16 ,  Y02E10/58 ,  Y10T307/653

Abstract: 本发明涉及用于高效光伏发电站的分布式DC-DC转换器的切换协调。分布式光伏(PV)发电站(50)包括多个分布式dc-dc转换器(54)。这些dc-dc转换器(54)配置成互相协调地切换使得至少一个dc-dc转换器(54)基于来自一个或多个对应的PV模块串的可用总系统电力将电力转移到公共dc总线。由于这些dc-dc转换器(54)的协调切换，将电力转移到公共dc总线的每个dc-dc转换器(54)持续在它的最佳效率范围内操作以及持续优化最大功率点跟踪以便增加该PV发电站(50)的能量产出。