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公开(公告)号：CN102237344A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110119566.2
申请日：2011-04-29
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01L24/24 , H01L23/48 , H01L24/72 , H01L24/82 , H01L25/071 , H01L25/072 , H01L2224/04105 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/73267 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/1301 , H01L2924/1302 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L2924/351 , H02P2101/15 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 提供用于利用电力覆盖(POL)技术和半导体压装技术以生产具有更高可靠性和功率密度的半导体封装件(50、70、78、80、90、100、110、120)的系统和方法。POL结构(40)可在半导体封装件(50、70、78、80、90、100、110、120)内互连半导体器件(48)，并且某些实施例可实现以减小在导电板(58、60)的挤压期间损伤该半导体器件(48)的可能性。在一个实施例中，弹簧(54)和/或衬垫(56)可用于减小或控制由发射极板(58)施加到封装件(50、70、78、80、90、100、110、120)中的半导体器件(48)上的力。在另一个实施例中，发射极板(58)可凹陷以对POL结构(40)施加力，而不是直接向半导体器件(48)施加力。此外，在一些实施例中，POL结构(40)的导电层(42)可生长以起发射极板(58)的作用，并且可使导电层(40)的区域成为多孔性的以提供顺应性。
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公开(公告)号：CN102237344B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201110119566.2
申请日：2011-04-29
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01L24/24 , H01L23/48 , H01L24/72 , H01L24/82 , H01L25/071 , H01L25/072 , H01L2224/04105 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/73267 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/1301 , H01L2924/1302 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L2924/351 , H02P2101/15 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 提供用于利用电力覆盖(POL)技术和半导体压装技术以生产具有更高可靠性和功率密度的半导体封装件(50、70、78、80、90、100、110、120)的系统和方法。POL结构(40)可在半导体封装件(50、70、78、80、90、100、110、120)内互连半导体器件(48)，并且某些实施例可实现以减小在导电板(58、60)的挤压期间损伤该半导体器件(48)的可能性。在一个实施例中，弹簧(54)和/或衬垫(56)可用于减小或控制由发射极板(58)施加到封装件(50、70、78、80、90、100、110、120)中的半导体器件(48)上的力。在另一个实施例中，发射极板(58)可凹陷以对POL结构(40)施加力，而不是直接向半导体器件(48)施加力。此外，在一些实施例中，POL结构(40)的导电层(42)可生长以起发射极板(58)的作用，并且可使导电层(40)的区域成为多孔性的以提供顺应性。
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