公开(公告)号：CN118471951A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410167929.7

申请日：2024-02-06

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A·V·高达 ,  L·D·斯特万诺维奇 ,  C·J·卡普斯塔 ,  R·D·戈斯曼 ,  R·I·S·图梅宁

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明涉及用于半导体器件的功率覆盖封装件。一种半导体组件包括半导体器件和联接到所述器件的POL‑RDL封装件。该器件包括上表面、设置在所述上表面上的栅极焊盘和至少一个源极焊盘。POL‑RDL封装件包括介电层，所述介电层设置有电联接到所述器件的所述至少一个源极焊盘的至少一个源极焊盘以及至少一个接触焊盘。具有电阻率值的至少一个迹线连接件将所述POL‑RDL封装件的所述至少一个源极焊盘电联接到所述至少一个接触焊盘。

公开(公告)号：CN119495676A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411112699.0

申请日：2024-08-14

Applicant: 通用电气公司

Inventor： L·D·斯特万诺维奇 ,  A·V·高达 ,  C·J·卡普斯塔 ,  R·I·S·图梅宁

IPC: H01L23/538 ,  H01L25/07 ,  H01L21/60

Abstract: 本申请标题为“多芯片半导体封装的电力覆盖结构”。一种多芯片半导体封装，该多芯片半导体封装包括：具有上表面和底表面的电介质互连层；部署在互连层的上表面上的至少一个公共源极焊盘；部署在互连层的上表面上的至少一个公共栅极焊盘；以及多个半导体器件，每个半导体器件包括粘合到互连层上的栅极焊盘和至少一个源极焊盘，其中多个半导体器件的源极焊盘电连接到至少一个公共源极焊盘，并且其中多个半导体器件的源极焊盘彼此并联电连接，并且其中多个半导体器件的栅极焊盘电连接到公共栅极焊盘，并且其中多个半导体器件的栅极焊盘彼此并联电连接。