公开(公告)号：CN113316835A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN201980089580.7

申请日：2019-12-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨传曦 ,  H·俞 ,  S·卡玛斯 ,  D·帕德希 ,  H·金 ,  E·李 ,  黄祖滨 ,  D·N·凯德拉亚 ,  程睿 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: H01L21/02

Abstract: 提供了用于形成氮化硅硼层的方法。所述方法包括：将基板定位在工艺腔室内的工艺区域中的基座上；加热保持基板的基座；以及将第一工艺气体的第一气流和第二工艺气体的第二气流引入工艺区域。第一工艺气体的第一气流含有硅烷、氨、氦、氮、氩和氢。第二工艺气体的第二气流含有乙硼烷和氢。所述方法还包括：与到达工艺区域的第一工艺气体的第一气流和第二工艺气体的第二气流同时形成等离子体，并将基板暴露于第一工艺气体、第二工艺气体和等离子体，以在基板上沉积氮化硅硼层。

公开(公告)号：CN111066133A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201880056745.6

申请日：2018-08-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 黄祖滨 ,  程睿 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02

Abstract: 在一方面，一种设备包括：腔室主体；区隔板，所述区隔板用于将工艺气体递送到气体混合容积中；以及面板，所述面板具有孔，混合气体通过所述孔来分布到衬底。在另一方面，所述面板可以包括第一区域，所述第一区域相对于第二区域具有凹陷部。在另一方面，所述区隔板可以包括多个区域，每个区域具有不同的孔图案/几何形状和/或流型。在另一方面，所述设备可以包括辐射屏蔽件，所述辐射屏蔽件设置在衬底支撑件的底部下方。所述衬底支撑件的轴或杆在其靠近所述衬底支撑件的上端处包括孔。

公开(公告)号：CN110709967A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880036516.8

申请日：2018-05-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  Y·杨 ,  陈一宏 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

Abstract: 在一个实现方式中，提供了一种在处理腔室中的衬底上形成非晶硅层的方法。所述方法包括在衬底上沉积预定厚度的牺牲介电层。所述方法还包括通过去除所述牺牲介电层的部分以暴露所述衬底的上表面来在所述衬底上形成图案化特征。所述方法还包括对所述图案化特征执行等离子体处理。所述方法还包括在所述图案化特征和所述衬底的所述暴露上表面上沉积非晶硅层。所述方法还包括使用各向异性蚀刻工艺从所述图案化特征的上表面和所述衬底的所述上表面选择性去除所述非晶硅层，以提供填充在由所述非晶硅层形成的侧壁间隔件内的所述图案化特征。

公开(公告)号：CN108475640A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201780006952.6

申请日：2017-01-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 托马斯·琼万·权 ,  程睿 ,  阿布海杰特·巴苏·马利克 ,  平尔萱 ,  安在洙

IPC: H01L21/3213 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/033 ,  H01L21/02 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/0338 ,  H01L21/02109 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/00

Abstract: 本公开内容的实施方式涉及改善的硬模材料和用于基板的图案化和蚀刻的方法。多个硬模可与图案化和蚀刻工艺共同使用以实现先进的装置架构。在一个实施方式中，第一硬模和第二硬模设置于基板上，所述基板具有设置于所述基板上的各种材料层。在第一蚀刻工艺期间可使用第二硬模以图案化第一硬模。可在第一硬模和第二硬模上沉积第三硬模，并且可使用第二蚀刻工艺以在材料层中形成通道。

公开(公告)号：CN107534013A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680023828.6

申请日：2016-03-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·曼纳 ,  程睿 ,  K·陈 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  C23C16/46 ,  C23C16/34 ,  C23C16/16 ,  C23C16/04

CPC classification number: H01L21/76846 ,  C23C16/045 ,  C23C16/16 ,  C23C16/342 ,  C23C16/46 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76877

Abstract: 本公开内容的实现方式总体涉及用于在高深宽比特征限定中形成薄膜的方法。在一个实现方式中，提供一种在工艺腔室中处理基板的方法。所述方法包括：使包含配位体的含硼前驱物流入工艺腔室的内部处理容积中；使包含配位体的含氮前驱物流入内部处理容积中；以及使含硼前驱物和含氮前驱物在内部处理容积中热分解，以便将氮化硼层沉积于形成在基板上的电介质层的表面中及其下方的高深宽比特征限定的至少一个或多个侧壁和底表面上方。

公开(公告)号：CN211045385U

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201922311864.6

申请日：2019-12-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·S·C·帕里米 ,  Z·黄 ,  J·李 ,  S·拉达克里什南 ,  程睿 ,  D·N·凯德拉亚 ,  J·C·罗查 ,  U·M·科尔卡 ,  K·杰纳基拉曼 ,  S·M·博贝克 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  V·K·普拉巴卡尔 ,  B·S·权

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 本公开内容的实施方式总体上涉及一种基座，所述基座用于增加支撑在其上的基板中的温度均匀性。所述基座包括主体，所述主体中嵌入有加热器。所述主体包括图案化的表面，所述图案化的表面包括第一区域和围绕所述中心区域的第二区域，所述第一区域具有在第一高度从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱，所述第二区域具有在大于第一高度的第二高度从基底表面延伸的第二多个柱，其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面基本上共面并且限定基板接收表面。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利