公开(公告)号：CN1445843A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN02161113.0

申请日：2002-12-31

申请人： 快捷韩国半导体有限公司

发明人： 李相道 ,  权容锡 ,  辛宗振

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01B5/02 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/43826 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/456 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/851 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/013

摘要： 本发明公开了一种半导体封装，其具有连接半导体芯片和焊盘的非氧化的铜线。该铜线用非氧化层涂覆。该铜线除具有金线的优点外，还可以提供良好的电特性和可靠性。

公开(公告)号：CN1404135A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN02106180.7

申请日：2002-04-08

申请人： 富士通株式会社

发明人： 渡边健一

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

摘要： 在半导体衬底上形成一层间绝缘膜。在层间绝缘膜上形成一内层绝缘膜。穿过层内膜形成一凹槽。凹槽具有一个焊盘部分和一个连着焊盘部分的布线部分。焊盘部分的宽度宽于布线部分的宽度。焊盘部分留有许多凸出区域。凸出区域以这样一种方式分布，即邻近布线区的凹槽区比率高于第二框形区的凹槽区比率，邻近布线区重叠于布线地区延伸进焊盘地区的区域之上，且处在把焊盘部分的外边界线作为外边界线并具有第一宽度的第一框形区之内，而第二框形区则把第一框形区的内边界线作为外边界线并具有第二宽度。在凹槽中填充导电膜。

公开(公告)号：CN104701197B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201410539418.X

申请日：2014-09-16

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： R·D·莫叶丝 ,  萨德哈玛·C·沙斯特瑞

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L24/94 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/78 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/11

摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法及其结构。在一个实施例中，导体凸块形成在半导体器件的凸块下导体上，从凸块下导体的表面延伸第一距离，包括在导体凸块外表面上形成保护层，其中多个半导体管芯随后通过用刻蚀剂刻蚀贯通半导体衬底切单，以及其中保护层保护导体凸块不受刻蚀剂刻蚀。

公开(公告)号：CN108028229A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680053250.9

申请日：2016-08-03

申请人： 美光科技公司

发明人： G·马里奥蒂尼 ,  S·瓦德哈维卡 ,  W·黄 ,  A·查杜鲁 ,  M·博斯勒

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02135 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/03013 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03472 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03906 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05565 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/053

摘要： 本发明涉及用于裸片间及/或封装间互连件的凸块下金属UBM结构环的制造及相关联的系统。一种半导体裸片包含：半导体材料，其具有固态组件；及互连件，其至少部分延伸穿过所述半导体材料。凸块下金属UBM结构形成于所述半导体材料上方且电耦合到对应互连件。套环包围所述UBM结构的侧表面的至少一部分，且焊接材料安置于所述UBM结构的顶面上方。

公开(公告)号：CN107204316A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201710108000.7

申请日：2017-02-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金永培

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05086 ,  H01L2224/05088 ,  H01L2224/05092 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05097 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/35 ,  H01L2924/351 ,  H01L24/10 ,  H01L24/02 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/12105

摘要： 提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：半导体基底，包括设置在其中的电路层；焊盘，设置在半导体基底上，焊盘电连接到电路层；以及金属层，电连接到焊盘。金属层包括：第一通路，电连接到焊盘，第一通路在金属层与电路层之间提供电路径；以及第二通路，朝向半导体基底突出，第二通路在半导体基底上支撑金属层。

公开(公告)号：CN103594387B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310356763.5

申请日：2013-08-15

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 约翰·加特鲍尔

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

摘要： 公开了焊盘侧壁间隔和制造接触焊盘侧壁间隔的方法。实施方式包括：在衬底上形成多个接触焊盘，每个接触焊盘具有侧壁；在衬底上形成第一光致抗蚀剂；并且将第一光致抗蚀剂从衬底上去除，从而沿多个接触焊盘的侧壁形成侧壁间隔。

公开(公告)号：CN103489842B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310454934.8

申请日：2013-09-29

申请人： 南通富士通微电子股份有限公司

发明人： 石磊 ,  陶玉娟

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/02126 ,  H01L2224/03001 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11906

摘要： 一种半导体封装结构，包括：半导体基底，位于所述半导体基底上的焊垫层；覆盖所述半导体基底和部分焊垫层表面的钝化层，所述钝化层中具有暴露部分焊垫层表面的第一开口；位于第一开口的侧壁和底部以及部分钝化层上的凸下金属层；位于部分凸下金属层上的金属柱；位于金属柱的底部侧壁和部分凸下金属层上的底层金属层。防止金属柱下的凸下金属层产生底切缺陷。

公开(公告)号：CN103531487B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201310456566.0

申请日：2013-09-29

申请人： 南通富士通微电子股份有限公司

发明人： 石磊 ,  陶玉娟

IPC分类号： H01L21/48

CPC分类号： H01L2224/02126 ,  H01L2224/03001 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11903 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083

摘要： 一种半导体封装结构的形成方法，包括：提供半导体基底，半导体基底上形成有焊垫层；形成覆盖所述半导体基底和焊垫层表面的钝化层，钝化层中具有暴露焊垫层表面的第一开口；在第一开口上形成凸下金属层；在凸下金属层上形成金属柱；刻蚀去除金属柱两侧的凸下金属层，金属柱底部剩余的凸下金属层的边缘具有向金属柱底部凹陷的底切缺陷；形成牺牲层，牺牲层填充所述底切缺陷；形成覆盖牺牲层、钝化层和金属柱的第二掩膜层，所述第二掩膜层中具有暴露牺牲层一端表面的第三开口；沿第三开口去除所述牺牲层，形成空腔，所述空腔与第三开口连通；形成填补所述底切缺陷的补偿层，所述补偿层的材料为金属。本发明的方法提高了封装结构的可靠性和稳定性。

公开(公告)号：CN104952831A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201410459197.5

申请日：2014-09-10

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 朴完春

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L25/065 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/11898 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014

摘要： 一种半导体器件，包括：半导体层，其具有第一表面和第二表面；穿通电极，其穿通半导体层，并且具有在半导体层的第二表面之上突出的突出部分；前侧凸块，其设置在半导体层的第一表面上，且与穿通电极电耦接；钝化图案，其包括第一绝缘图案和第二绝缘图案，所述第一绝缘图案包围穿通电极的突出部分的侧壁并且延伸至半导体层的第二表面上，所述第二绝缘图案覆盖第一绝缘图案并且具有相对于第一绝缘图案的刻蚀选择性；以及后侧凸块，其覆盖穿通电极的突出部分的端面并且延伸至钝化图案上。

公开(公告)号：CN101937893B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201010194955.7

申请日：2010-05-31

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 小田典明 ,  邻真一

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明涉及一种半导体器件。在半导体器件中，下部多层互连结构、中间通孔级绝缘间层、以及上部多层互连结构被按照此顺序堆叠在平面图中与焊盘重叠的区域中；上部多层互连结构的上部互连和通孔被形成为连接至焊盘布置区域中的焊盘；中间通孔级绝缘间层不具有形成在其中的连接上部多层互连结构中的通孔或者互连与下部多层互连结构中的通孔或者互连的导电材料层；并且由被包含在下部多层互连结构中的通孔级绝缘间层中的通孔占据的面积的比率小于由被包含在上部多层互连结构中的通孔级绝缘间层中的通孔占据的面积的比率。