发明公开
CN107204316A 能够分散应力的半导体装置
无效 - 撤回
- 专利标题: 能够分散应力的半导体装置
- 专利标题(英): METHOD FOR TESTING REDUNDANCY AREA IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
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申请号: CN201710108000.7申请日: 2017-02-27
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公开(公告)号: CN107204316A公开(公告)日: 2017-09-26
- 发明人: 金永培
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道水原市
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道水原市
- 代理机构: 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理商 刘美华; 刘灿强
- 优先权: 10-2016-0031631 20160316 KR
- 主分类号: H01L23/488
- IPC分类号: H01L23/488
摘要:
提供一种半导体装置。所述半导体装置包括:半导体基底,包括设置在其中的电路层;焊盘,设置在半导体基底上,焊盘电连接到电路层;以及金属层,电连接到焊盘。金属层包括:第一通路,电连接到焊盘,第一通路在金属层与电路层之间提供电路径;以及第二通路,朝向半导体基底突出,第二通路在半导体基底上支撑金属层。
IPC分类: