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公开(公告)号：CN107408491B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201680011676.8
申请日：2016-02-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 描述一种在电介质层中形成特征的方法。通孔、沟槽或双镶嵌结构可以在沉积共形氮化铝层前存在于电介质层中。共形氮化铝层被配置成用作阻挡层以便防止跨阻挡层的扩散。形成氮化铝层的方法包括交替地暴露于两个前驱物处理(如ALD)以便实现高共形度。氮化铝阻挡层的高共形度使得厚度减小和后续的填隙金属层的有效导电率增大。
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公开(公告)号：CN110168698A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201780079463.3
申请日：2017-11-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 本文中公开的实施方式涉及用于形成存储器器件的方法，且更具体地涉及用于在存储器器件中在存储器材料之上形成电介质封闭层的改进的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：在比存储器材料的热预算的温度要低的温度下在存储器材料之上热沉积第一材料；将所述第一材料暴露于氮等离子体以将氮掺入在所述第一材料中；和重复所述热沉积和氮等离子体操作以在所述存储器材料之上形成密封的保形电介质封闭层。因此，形成在所述存储器材料之上的具有密封的保形电介质封闭层的存储器器件。
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公开(公告)号：CN108369921A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680072132.2
申请日：2016-12-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , 塙广二 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , P·曼纳 , M·W·蒋 , A·高 , 王文佼 , 林永景 , P·K·库尔施拉希萨 , 韩新海 , 金柏涵 , K·D·李 , K·T·纳拉辛哈 , 段子青 , D·帕德希
IPC: H01L21/683 , H05H1/46 , H01J49/10 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/6833 , C23C16/4586 , C23C16/509 , H01J37/32091 , H01L21/02274 , H01L21/0262 , H01L21/28556
Abstract: 公开对于静电夹盘的方法与设备的技术，此静电夹盘适合在高操作温度下操作。在一个示例中，提供一种基板支撑组件。基板支撑组件包含实质上碟形的陶瓷主体，陶瓷主体具有上表面、圆柱侧壁以及下表面。上表面经配置以支撑基板于上表面上，以在真空处理腔室中处理基板。圆柱侧壁界定陶瓷主体的外直径。下表面与上表面相对地设置。电极被设置在陶瓷主体中。电路被电连接至电极。电路包含DC夹紧电路、第一RF驱动电路以及第二RF驱动电路。DC夹紧电路、第一RF驱动电路以及第二RF驱动电路电耦合至电极。
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公开(公告)号：CN102939641A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201180019344.1
申请日：2011-04-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02115 , C23C16/26 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/0338
Abstract: 本文所述的实施例关于用以图案化并蚀刻半导体衬底中的特征结构的材料及工艺。在一个实施例中，提供一种在衬底上形成复合非晶碳层以改良堆迭缺陷率的方法。所述方法包含下列步骤：将衬底安置于处理腔室中；将烃源气体导入处理腔室；将稀释剂源气体导入处理腔室；将等离子体引发气体导入处理腔室；在处理腔室中产生等离子体；在衬底上形成非晶碳初始层，其中烃源气体所具有的体积流速对稀释剂源气体流速的比例为1：12或更低；以及在非晶碳初始层上形成主体非晶碳层，其中被用来形成主体非晶碳层的烃源气体所具有的体积流速对稀释剂源气体流速的比例为1：6或更高，以形成复合非晶碳层。
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公开(公告)号：CN102915925A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210396144.4
申请日：2007-06-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： D·帕德希 , H-C·哈 , S·拉蒂 , D·R·威蒂 , C·陈 , S·帕克 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , K·杰纳基拉曼 , M·J·西蒙斯 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , B·H·金 , H·姆塞德
IPC: H01L21/314 , H01L21/311 , C23C16/26
CPC classification number: H01L21/3146 , C23C16/045 , C23C16/26 , C23C16/5096 , C23C16/56 , H01L21/31144
Abstract: 一种在基板上沉积无定形碳层的方法包括下列步骤：将基板放置在处理室中；将烃源导入处理室；将重稀有气体导入处理室；以及在处理室中产生等离子体。重稀有气体选自由氩、氪、氙、及其混合物所组成的群组，并且稀有气体的摩尔流速大于烃源的摩尔流速。该方法可包括后沉积终止步骤，其中烃源及稀有气体的流动并终止，并且将等离子体维持在处理室中一段时间以自处理室中移除粒子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117898034A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202280046472.3
申请日：2022-06-27
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述了存储器器件和形成存储器器件的方法。所述存储器器件包括钌层上的氮化硅硬掩模层。在钌上形成氮化硅硬掩模层包括用等离子体预处理钌层以在所述钌层上形成界面层；以及通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在所述界面层上形成氮化硅层。在一些实施例中，与不包括界面层的存储器器件相比，预处理钌层导致界面层具有降低的粗糙度并且存储器器件具有降低的电阻率。
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公开(公告)号：CN117321754A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280035373.5
申请日：2022-05-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 示例性基板支撑组件可以包括限定基板支撑表面的静电吸盘主体。基板支撑表面可以限定多个从基板支撑表面向上延伸的突起。基板支撑表面的外部区域内的多个突起的密度可以大于基板支撑表面的内部区域中的多个突起的密度。基板支撑组件可以包括与静电吸盘主体耦合的支撑柱。基板支撑组件可以包括嵌入在静电吸盘主体内的电极。
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公开(公告)号：CN108369921B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201680072132.2
申请日：2016-12-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , 塙广二 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , P·曼纳 , M·W·蒋 , A·高 , 王文佼 , 林永景 , P·K·库尔施拉希萨 , 韩新海 , 金柏涵 , K·D·李 , K·T·纳拉辛哈 , 段子青 , D·帕德希
IPC: H01L21/683 , H05H1/46 , H01J49/10 , H01L21/687
Abstract: 公开对于静电夹盘的方法与设备的技术，此静电夹盘适合在高操作温度下操作。在一个示例中，提供一种基板支撑组件。基板支撑组件包含实质上碟形的陶瓷主体，陶瓷主体具有上表面、圆柱侧壁以及下表面。上表面经配置以支撑基板于上表面上，以在真空处理腔室中处理基板。圆柱侧壁界定陶瓷主体的外直径。下表面与上表面相对地设置。电极被设置在陶瓷主体中。电路被电连接至电极。电路包含DC夹紧电路、第一RF驱
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公开(公告)号：CN116457925A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202180074357.2
申请日：2021-11-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 描述了用于产生校正动作的评估图的方法、系统及非暂时性计算机可读介质。一种方法包括接收包含第一组向量的第一向量图，每一向量指示在基板上的多个位置的特定位置的变形。该方法进一步包括通过旋转第一组向量中的每一向量的位置来产生包含第二组向量的第二向量图。该方法进一步包括基于第二组向量中的向量及第一组向量中的对应向量来产生包括第三组向量的第三向量图。该方法进一步包括从第一组向量中的对应向量减去第三组向量的每一向量来产生第四向量图。第四向量图指示第一向量图的平面分量。
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