公开(公告)号：CN108122911A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710928152.1

申请日：2017-10-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴政达 ,  吴啟明 ,  薛森鸿 ,  赵晟博

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1463 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/785 ,  H01L27/0924 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878

Abstract: 一种半导体元件，包含一基材、一第一隔离结构、一第二隔离结构浅沟槽隔离以及多个半导体鳍片。此第一隔离结构是位于此基材上且具有一第一厚度。此第二隔离结构邻接此第一隔离结构且具有一第二厚度。此第一厚度是不同于此第二厚度。这些半导体鳍片分别邻接此第一隔离结构与此第二隔离结构。

公开(公告)号：CN104916641B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201410236347.6

申请日：2014-05-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑有宏 ,  吴政达 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄 ,  李汝谅 ,  李一庭 ,  高铭祥

IPC: H01L27/11524

CPC classification number: H01L29/42328 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明涉及具有设置在共源极区域和共擦除区域之间的、带有基本平坦的顶面的共源极氧化物层的嵌入式闪存单元及其形成方法。在一些实施例中，该嵌入式闪存单元具有半导体衬底，该半导体衬底带有通过第一沟道区域与第一漏极区域间隔开且通过第二沟道区域与第二漏极区域间隔开的共源极区域。通过原位蒸汽生成(ISSG)工艺在共源极区域上面的位置处形成高质量共源极氧化物层。第一和第二浮置栅极在第一和第二沟道区域上方设置在共擦除栅极的相对侧上，其中，该共擦除栅极具有的基本平坦的底面与共源极氧化物层的基本平坦的顶面邻接。

公开(公告)号：CN107039258A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610845869.5

申请日：2016-09-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧宇廷 ,  吴政达 ,  谭伦光 ,  严亮宇 ,  王廷君 ,  吴宗翰 ,  游伟明

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7856 ,  H01L21/3215 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/401 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了形成栅极的方法包括：形成伪栅极；横向邻近伪栅极形成层间电介质(ILD)；将掺杂剂掺杂到伪栅极和ILD中，其中，伪栅极的表面掺杂剂浓度低于ILD的表面掺杂剂浓度；在将掺杂剂掺杂到伪栅极和ILD中之后，去除伪栅极以形成腔体；以及在腔体中形成栅极。本发明还提供了鳍式场效应晶体管。

公开(公告)号：CN106057871A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201510760358.9

申请日：2015-11-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴政达 ,  李奕贤 ,  游伟明 ,  王廷君

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/167 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7855 ,  H01L29/4232

Abstract: 提供了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：衬底；鳍结构，从衬底突出，鳍结构沿着第一方向延伸；隔离部件，设置在鳍结构的两侧上；栅极结构，位于鳍结构上方并且沿着垂直于第一方向的第二方向在隔离部件上延伸；以及其中，栅极结构包括第一部分和第二部分，第二部分位于第一部分上方并且第二部分在第一方向上的尺寸比第一部分在第一方向上的尺寸大。本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN103378116B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201310119820.8

申请日：2013-04-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林杏莲 ,  杜友伦 ,  蔡正原 ,  吴政达 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14625 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/02168

Abstract: 一种形成图像传感器件的方法包括在硅衬底的前面处形成光感测区和在光感测区上方形成图案化的金属层。此后，该方法包括在衬底的第一表面上沉积金属氧化物抗反射叠层。该金属氧化物抗反射叠层包括在光电二极管上方堆叠的一个或多个薄金属氧化物的复合层。每个复合层都包括两个或更多个的金属氧化层：一个金属氧化物是高能带隙金属氧化物而另一个金属氧化物是高折射率金属氧化物。本发明还提供了用于背照式图像传感器的抗反射层。

公开(公告)号：CN104916641A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410236347.6

申请日：2014-05-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑有宏 ,  吴政达 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄 ,  李汝谅 ,  李一庭 ,  高铭祥

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/42328 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明涉及具有设置在共源极区域和共擦除区域之间的、带有基本平坦的顶面的共源极氧化物层的嵌入式闪存单元及其形成方法。在一些实施例中，该嵌入式闪存单元具有半导体衬底，该半导体衬底带有通过第一沟道区域与第一漏极区域间隔开且通过第二沟道区域与第二漏极区域间隔开的共源极区域。通过原位蒸汽生成(ISSG)工艺在共源极区域上面的位置处形成高质量共源极氧化物层。第一和第二浮置栅极在第一和第二沟道区域上方设置在共擦除栅极的相对侧上，其中，该共擦除栅极具有的基本平坦的底面与共源极氧化物层的基本平坦的顶面邻接。

公开(公告)号：CN104347349A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310471415.2

申请日：2013-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈升照 ,  黄志辉 ,  杜友伦 ,  吴政达 ,  蔡嘉雄 ,  陈晓萌

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/60 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/187 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/68707 ,  H01L33/0079 ,  Y10S438/906

Abstract: 本发明提供了用于清洗用来混合接合的半导体晶圆表面的机制的实施例。一种用于清洗用来混合接合的半导体晶圆的表面方法包括：提供半导体晶圆，并且半导体晶圆具有嵌入在绝缘层中的导电焊盘。该方法还包括：对半导体晶圆的表面实施等离子体工艺，并且在导电结构的表面上形成金属氧化物。该方法还包括：使用清洗液实施清洗工艺，以与金属氧化物进行还原反应，使得在导电结构的表面上形成金属-氢键。该方法还包括：在真空下将半导体晶圆传送至接合室，以用于混合接合。本发明还提供了用于混合接合的机制和集成系统的实施例。

公开(公告)号：CN101980355B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201010171478.2

申请日：2010-04-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林智伟 ,  李宜芳 ,  吴政达 ,  蔡正原

IPC: H01L21/28 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/788 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明揭示一种非易失性(non-volatile)存储装置及其制造方法。在一实施例中，一种半导体装置的制造方法包括在一半导体基底上方形成一氧化层以及对氧化层进行一第一氮化工艺步骤，以形成一第一富含氮区。第一富含氮区邻近于氧化层与半导体基底之间的一界面。在进行第一氮化工艺步骤之后，对氧化层进行一第二氮化工艺步骤，以形成一第二富含氮区。在氧化层上方形成一第一栅极电极，其中第二富含氮区邻近于氧化层与第一栅极电极之间的一界面。本发明可在不缩短产品寿命情形下增加电荷保持能力。

公开(公告)号：CN108122766B

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN201710423492.9

申请日：2017-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴政达 ,  吴啟明 ,  张简旭珂 ,  林坤赐 ,  张岚芳

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3115

Abstract: 一种半导体元件的制成方法，包括使用含氧材料掺杂层间介电层(ILD)的第一部分，其中层间介电层是在基板上方。此方法进一步包括使用较大种类材料掺杂层间介电层的第二部分。第二部分包括在第一部分下方的层间介电层的区域，且第二部分与基板分离。此方法进一步包括退火层间介电层。

公开(公告)号：CN113937116A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202011524268.7

申请日：2020-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴政达 ,  曾国华 ,  杜友伦

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明涉及具有由背侧深沟槽隔离(BDTI)结构包围的光电二极管的图像传感器，以及相关的形成方法。在一些实施例中，多个像素区域设置在图像感测管芯内，并且分别包括被配置为将辐射转换成电信号的光电二极管。光电二极管包括具有第一掺杂类型的光电二极管掺杂柱，该光电二极管掺杂柱由具有不同于第一掺杂类型的第二掺杂类型的光电二极管掺杂层包围。BDTI结构设置在相邻像素区域之间，并且从图像传感器管芯的背侧延伸到光电二极管掺杂层内的位置。BDTI结构包括具有第二掺杂类型的掺杂衬垫和介电填充层。掺杂衬垫内衬介电填充层的侧壁表面。