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公开(公告)号：CN106816470B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201610723852.2
申请日：2016-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了具有栅极堆叠件的半导体器件结构的结构和形成方法。该半导体器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的栅极堆叠件。该栅极堆叠件包括栅极介电层和功函层。栅极介电层位于半导体衬底和功函层之间。该半导体器件结构也包括卤素源层。栅极介电层位于半导体衬底和卤素源层之间。
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公开(公告)号：CN106601794A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610641281.8
申请日：2016-08-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/28
Abstract: 提供了半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括衬底、在衬底上方形成的界面层以及在界面层上方形成的插入层。该半导体结构还包括在插入层上方形成的栅极介电层和在栅极介电层上方形成的栅极结构。此外，该插入层由M1Ox制成，并且M1是金属，O是氧，以及x是大于4的值。本发明的实施例还涉及具有插入层的半导体结构及其制造方法。
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公开(公告)号：CN112599594A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011487506.1
申请日：2015-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：衬底和形成在衬底上方的栅极结构。栅极结构包括：形成在衬底上方的栅极介电层和形成在栅极介电层上方的覆盖层。该栅极结构还包括形成在覆盖层上方的覆盖氧化物层和形成在覆盖氧化物层上方的功函金属层。该栅极结构还包括形成在功函金属层上方的栅电极层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106816470A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201610723852.2
申请日：2016-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了具有栅极堆叠件的半导体器件结构的结构和形成方法。该半导体器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的栅极堆叠件。该栅极堆叠件包括栅极介电层和功函层。栅极介电层位于半导体衬底和功函层之间。该半导体器件结构也包括卤素源层。栅极介电层位于半导体衬底和卤素源层之间。
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公开(公告)号：CN101980355A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN201010171478.2
申请日：2010-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L27/115
CPC classification number: H01L29/788 , H01L21/28273 , H01L27/11521 , H01L29/42324 , H01L29/513 , H01L29/7881
Abstract: 本发明揭示一种非易失性(non-volatile)存储装置及其制造方法。在一实施例中，一种半导体装置的制造方法包括在一半导体基底上方形成一氧化层以及对氧化层进行一第一氮化工艺步骤，以形成一第一富含氮区。第一富含氮区邻近于氧化层与半导体基底之间的一界面。在进行第一氮化工艺步骤之后，对氧化层进行一第二氮化工艺步骤，以形成一第二富含氮区。在氧化层上方形成一第一栅极电极，其中第二富含氮区邻近于氧化层与第一栅极电极之间的一界面。本发明可在不缩短产品寿命情形下增加电荷保持能力。
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公开(公告)号：CN106601794B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201610641281.8
申请日：2016-08-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/28
Abstract: 提供了半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括衬底、在衬底上方形成的界面层以及在界面层上方形成的插入层。该半导体结构还包括在插入层上方形成的栅极介电层和在栅极介电层上方形成的栅极结构。此外，该插入层由M1Ox制成，并且M1是金属，O是氧，以及x是大于4的值。本发明的实施例还涉及具有插入层的半导体结构及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101980355B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201010171478.2
申请日：2010-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L27/115
CPC classification number: H01L29/788 , H01L21/28273 , H01L27/11521 , H01L29/42324 , H01L29/513 , H01L29/7881
Abstract: 本发明揭示一种非易失性(non-volatile)存储装置及其制造方法。在一实施例中，一种半导体装置的制造方法包括在一半导体基底上方形成一氧化层以及对氧化层进行一第一氮化工艺步骤，以形成一第一富含氮区。第一富含氮区邻近于氧化层与半导体基底之间的一界面。在进行第一氮化工艺步骤之后，对氧化层进行一第二氮化工艺步骤，以形成一第二富含氮区。在氧化层上方形成一第一栅极电极，其中第二富含氮区邻近于氧化层与第一栅极电极之间的一界面。本发明可在不缩短产品寿命情形下增加电荷保持能力。
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公开(公告)号：CN106057874A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201510788201.7
申请日：2015-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/092 , H01L21/28088 , H01L21/28176 , H01L21/823842 , H01L29/401 , H01L29/42364 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L21/28158
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：衬底和形成在衬底上方的栅极结构。栅极结构包括：形成在衬底上方的栅极介电层和形成在栅极介电层上方的覆盖层。该栅极结构还包括形成在覆盖层上方的覆盖氧化物层和形成在覆盖氧化物层上方的功函金属层。该栅极结构还包括形成在功函金属层上方的栅电极层。
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