公开(公告)号：CN106057871B

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201510760358.9

申请日：2015-11-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴政达 ,  李奕贤 ,  游伟明 ,  王廷君

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：衬底；鳍结构，从衬底突出，鳍结构沿着第一方向延伸；隔离部件，设置在鳍结构的两侧上；栅极结构，位于鳍结构上方并且沿着垂直于第一方向的第二方向在隔离部件上延伸；以及其中，栅极结构包括第一部分和第二部分，第二部分位于第一部分上方并且第二部分在第一方向上的尺寸比第一部分在第一方向上的尺寸大。本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN106057871A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201510760358.9

申请日：2015-11-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴政达 ,  李奕贤 ,  游伟明 ,  王廷君

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/167 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7855 ,  H01L29/4232

Abstract: 提供了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：衬底；鳍结构，从衬底突出，鳍结构沿着第一方向延伸；隔离部件，设置在鳍结构的两侧上；栅极结构，位于鳍结构上方并且沿着垂直于第一方向的第二方向在隔离部件上延伸；以及其中，栅极结构包括第一部分和第二部分，第二部分位于第一部分上方并且第二部分在第一方向上的尺寸比第一部分在第一方向上的尺寸大。本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法。