公开(公告)号：CN102386093A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110210238.3

申请日：2011-07-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭俊聪 ,  刘世昌 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/73 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/66287 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7378

Abstract: 本发明提供一种双极性晶体管(bipolar junction transistor，BJT)装置及其形成方法。在一实施例中，双极性晶体管装置包括：具有集电极区(collector region)的半导体基板，及暴露在半导体基板上的材料层。材料层中具有沟槽，而暴露出集电极区的一部分。在材料层的沟槽中暴露出基极结构(base structure)、间隙物、发射极结构(emitter structure)。各间隙物具有上宽(top width)及底宽(bottom width)，上宽大体上与底宽相等。本发明提供的装置性能有提升。

公开(公告)号：CN102280459A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110022363.1

申请日：2011-01-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杜友伦 ,  蔡嘉雄 ,  王俊智 ,  林稔杰 ,  伍寿国

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643

Abstract: 本发明提供了在背照式半导体器件中减少暗电流的方法和器件。在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括提供一种具有前表面和后表面的基板，和在基板中形成多个传感器元件，对多个传感器元件的每一个都进行配置成能够接收直接照在背表面的光。所述方法进一步包括在基板的背表面形成介电层，其中所述介电层具有压缩应力以在基板中产生拉伸应力。还公开了使用这种方法制造的背照式半导体器件。

公开(公告)号：CN101197345B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200710141045.0

申请日：2007-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖忠志 ,  王郁仁 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L23/522 ,  H01L27/22 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/12 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 一种存储器单元结构及磁阻性随机存取存储结构，包括：一存储器叠层，具有一下电极及一上电极；一导体延伸层，电性连接下电极，且具有位于该存储叠层下的一主要部分及自位于存储叠层下的主要部分横向延伸的一延伸部；一数据控制线，用以控制该存储器叠层的存储状态，其直接形成于存储器叠层和导体延伸层的主要部分下；一下金属层，形成于延伸部之下，且电性耦接于一开关装置，以读取存储器叠层的存储状态；以及一介层插塞结构，直接连接延伸部至下金属层，且直接横向相邻于数据控制线。该介层插塞结构包括第一介层插塞，直接连接该下金属层；第二介层插塞，直接形成于第一介层插塞上且连接延伸部；其中第一介层插塞具有介层插塞结构的最大宽度。

公开(公告)号：CN101355050B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200810132082.X

申请日：2008-07-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘世昌 ,  刘源鸿 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01L21/32115 ,  H01L27/11521

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻多晶硅材料以避免形成异常多晶硅截面轮廓(profile)的方法，至少包含提供具有字符线(word line)的基板，并在基板及字符在线沉积多晶硅层；接着在多晶硅层上沉积有机底部抗反射层(Bottom AntireflectiveCoating，BARC)；接着执行阶梯式蚀刻以去除底部抗反射层及一部分的多晶硅层。阶梯式蚀刻包含一系列的蚀刻循环，每一循环包含蚀穿(breakthrough etch)与软性着陆蚀刻(soft landing etch)，蚀穿及软性着陆蚀刻是使用不同蚀刻气体、功率(source power)及偏压功率(bias power)、压力、气流速率及时间来执行，阶梯式蚀刻会产生平滑而不具有陡峭台阶(abrupt steps)的多晶硅表面。

公开(公告)号：CN101814578A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN201010129165.0

申请日：2010-02-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶通迪 ,  陈志明 ,  喻中一 ,  蔡正原 ,  陈能国 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L45/00

Abstract: 提供一相变存储器及其制造方法。此相变存储器包含一层相变材料，此相变材料经过增加疏水性的处理。此相变材料的疏水性改善了相变材料与位于相变材料上的一掩膜层之间的附着力。此相变材料可以例如用一包含氮、氨、氩、氦、氧、氢或相似气体的等离子体来处理。

公开(公告)号：CN100454551C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200610007677.3

申请日：2006-02-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘源鸿 ,  傅士奇 ,  罗际兴 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/42324 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明是有关于一种电流可抹除可程式只读记忆体元件及其制造方法。该电流可抹除可程式只读记忆体的元件，至少包含一浮动闸极电极，该浮动闸极包含一外部边缘部分。其中，该外部边缘部分包含复数电荷转换点的尖锐尖端。该电流可抹除可程式只读记忆体的元件的形成方法，至少包括下列步骤：形成一浮动闸极电极，其中该浮动闸极电极包含一外部边缘部分，该外部边缘部分包含复数电荷转换点的尖锐尖端。本发明可以改善元件的功能、可靠度以及配合记忆体尺寸的缩小所需的制程空间，非常适于实用。

公开(公告)号：CN101330003A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810085960.7

申请日：2008-06-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴志达 ,  李正德 ,  王从建 ,  林杏莲 ,  王郁仁 ,  杜友伦 ,  徐晨祐 ,  刘源鸿 ,  罗际兴 ,  蔡嘉雄 ,  张舒雯 ,  陈佳麟 ,  蔡明志

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40 ,  H01L28/75

Abstract: 本发明涉及一种形成半导体结构的方法，该方法包括形成一底电极，接着在含氧环境中处理该底电极以将底电极的上层部分转化形成缓冲层，再于该缓冲层上形成一绝缘层，然后形成上电极覆盖于绝缘层上。

公开(公告)号：CN101281917A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200710154745.3

申请日：2007-09-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 傅士奇 ,  蔡嘉雄 ,  萧国裕 ,  刘铭棋 ,  许峰嘉 ,  许慈轩

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明提供了一种增加背照式图像感测器的光灵敏度的系统与方法。此系统为集成电路，包括衬底，其具有相对的第一表面与第二表面；图像感测元件，包括至少一个晶体管形成于衬底的第一表面及感光区上；彩色滤光片，位于衬底的第二表面上；以及微镜片结构，位于彩色滤光片与第二衬底的第二表面之间。

公开(公告)号：CN101207031A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710106856.7

申请日：2007-04-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘世昌 ,  朱文定 ,  罗际兴 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/28273 ,  Y10S438/981

Abstract: 本发明是有关于一种记忆单元及其制造方法。一种具降低且较均匀的顺向穿隧电压的快闪式记忆单元的浮置栅极结构的制造方法。此方法至少包括：形成至少二浮置栅极于一基材上；形成一掩模于每一浮置栅极上，每一掩模具有一部分邻近于各自的浮置栅极的一尖端，且每一掩模的部分具有一已知厚度，其中这些掩模的部分的已知厚度彼此不同；以及蚀刻上述掩模以将这些掩模的部分的已知厚度缩减至一降低厚度，其中这些掩模的具降低厚度的部分具有一均匀厚度。

公开(公告)号：CN1734745A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510075335.0

申请日：2005-06-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭景森 ,  许峰嘉 ,  萧国裕 ,  陈界璋 ,  傅士奇 ,  曾建贤 ,  蔡嘉雄 ,  刘源鸿 ,  吴志达 ,  罗际兴 ,  杜友伦

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明是关于一种适用于影像感测器的透镜结构及其制造方法。该影像感测器包括双微透镜结构，是具有一外微透镜排列于一内微透镜上方，两微透镜是排列于对应的光感测器上方。可经由硅化法形成内或外微透镜，其中光阻材料的反应性部分是与含硅药剂反应。可通过梯级蚀刻法形成内或外微透镜，梯级蚀刻法包括一系列交替的蚀刻步骤，是包括非等向性蚀刻步骤及造成图案化的光阻侧向地缩减的蚀刻步骤。可使用接续的等向性蚀刻法来平坦化蚀刻过的梯级结构，并且形成平滑的透镜。亦可使用热安定及感光性聚合/有机材料形成永久的内或外透镜。涂覆感光材料，接着使用微影使其图案化，回流，接着熟化，以形成永久的透镜结构。