公开(公告)号：CN101814578A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN201010129165.0

申请日：2010-02-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶通迪 ,  陈志明 ,  喻中一 ,  蔡正原 ,  陈能国 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L45/00

Abstract: 提供一相变存储器及其制造方法。此相变存储器包含一层相变材料，此相变材料经过增加疏水性的处理。此相变材料的疏水性改善了相变材料与位于相变材料上的一掩膜层之间的附着力。此相变材料可以例如用一包含氮、氨、氩、氦、氧、氢或相似气体的等离子体来处理。

公开(公告)号：CN101814578B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201010129165.0

申请日：2010-02-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶通迪 ,  陈志明 ,  喻中一 ,  蔡正原 ,  陈能国 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一相变存储器及其制造方法。此相变存储器包含一层相变材料，此相变材料经过增加疏水性的处理。此相变材料的疏水性改善了相变材料与位于相变材料上的一掩膜层之间的附着力。此相变材料可以例如用一包含氮、氨、氩、氦、氧、氢或相似气体的等离子体来处理。