专利检索 cpc:"H01L2224/81455" 第 3 页

21.

发明公开
半导体装置以及半导体装置的制造方法无效

公开(公告)号：CN105428341A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510591584.9

申请日：2015-09-16

申请人： 株式会社东芝

发明人： 佐藤隆夫

IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/48 , H01L23/31 , H01L21/98

CPC分类号： H01L25/18 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/02372 , H01L2224/02377 , H01L2224/0239 , H01L2224/03334 , H01L2224/0348 , H01L2224/03828 , H01L2224/039 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05186 , H01L2224/05611 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05686 , H01L2224/11334 , H01L2224/1184 , H01L2224/11845 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13171 , H01L2224/13186 , H01L2224/14131 , H01L2224/14136 , H01L2224/16146 , H01L2224/1703 , H01L2224/17177 , H01L2224/17181 , H01L2224/2919 , H01L2224/32014 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73203 , H01L2224/73253 , H01L2224/81203 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2224/83101 , H01L2224/83862 , H01L2224/9211 , H01L2224/9221 , H01L2225/06513 , H01L2924/14 , H01L2924/1438 , H01L2924/3511 , H01L2224/17135 , H01L2224/17136 , H01L2924/07025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/07802 , H01L2924/04941 , H01L2924/01029 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/0384 , H01L2224/03845 , H01L2224/0332

摘要： 本发明涉及一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的实施方式抑制半导体装置的可靠性降低。实施方式的半导体装置具备：第1半导体芯片；第2半导体芯片，积层在第1半导体芯片上，具有从一面向另一面贯通半导体基板的贯通电极，且以将另一面朝向第1半导体芯片的方式积层；第1凸块，向一面突出设置，且具有露出面；密封树脂，以将露出面露出的方式密封第1半导体芯片与第2半导体芯片、第1凸块；以及第2凸块，设置在露出面上。

22.

发明授权
钝化后互连结构有权

公开(公告)号：CN103050461B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201210192147.6

申请日：2012-06-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 梁世纬 , 陈宪伟 , 陈英儒 , 于宗源 , 李明机

IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/31

CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/76841 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/525 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/02235 , H01L2224/02255 , H01L2224/0226 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05571 , H01L2224/05609 , H01L2224/05611 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/13006 , H01L2224/13022 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/81191 , H01L2224/81411 , H01L2224/81413 , H01L2224/81416 , H01L2224/81439 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15788 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01082 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2924/01047 , H01L2224/05552 , H01L2924/00

摘要： 一种半导体器件包括：依次形成在半导体衬底上的钝化层、第一保护层、互连层、以及第二保护层。互连层具有暴露部分，在该暴露部分上形成有阻挡层和焊料凸块。钝化层、第一保护层、互连层和第二保护层中的至少一层包括形成在导电焊盘区域之外的区域中的至少一个槽状件。本发明提供了钝化后互连结构。

23.

发明授权
具有管芯以及不同尺寸的连接器的集成电路结构有权

公开(公告)号：CN103050487B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210380762.X

申请日：2012-10-09

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郑心圃 , 余振华 , 林俊成

IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/488 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/16 , H01L23/3128 , H01L23/498 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05572 , H01L2224/05582 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/13025 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/16258 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2224/05552

摘要： 本发明公开的一个实施例是包括衬底，第一管芯和第二管芯的结构。该衬底具有第一表面。第一管芯通过多个第一电连接器连接于衬底的第一表面。第二管芯通过多个第二电连接器连接于衬底的第一表面。第二电连接器中之一的尺寸小于第一电连接器中之一的尺寸。本发明还公开了一种具有管芯以及不同尺寸的连接器的集成电路结构。

24.

发明公开
贴附电子元件的方法无效

公开(公告)号：CN105244295A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510391645.7

申请日：2015-07-06

申请人： 恩智浦有限公司

发明人： 斯文·沃尔兹克 , 约翰·勒内·德比尔 , 埃里克·埃尔特因克 , 阿马尔·阿肖克·马维库夫

IPC分类号： H01L21/603

CPC分类号： H01L24/81 , B23K1/0016 , B23K1/20 , H01L23/49572 , H01L23/49586 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/10175 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/81011 , H01L2224/81022 , H01L2224/81097 , H01L2224/81121 , H01L2224/81191 , H01L2224/8136 , H01L2224/81395 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/8146 , H01L2224/81815 , H01L2225/06513 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L24/02

摘要： 一种将电子元件贴附到金属基板的方法，电子元件包括提供在暴露的焊接区域的焊料。该方法包括：在基板上形成基于金属的复合物层；将电子元件置于金属基板上，从而焊接区域与基于金属的复合物层的接触区域相接触；以及加热焊接区域，从而基于金属的复合物层分解，并且焊接区域形成为电子元件与金属基板之间的电连接。基于金属的复合物层的最小厚度为10nm。

25.

发明授权
半导体器件、电子器件以及半导体器件制造方法失效

公开(公告)号：CN103123916B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201210376141.4

申请日：2012-09-29

申请人： 富士通株式会社

发明人： 清水浩三 , 作山诚树 , 赤松俊也

IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/48 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/81 , H01L21/50 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49866 , H01L23/5383 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05647 , H01L2224/13111 , H01L2224/16145 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/16506 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/81002 , H01L2224/81065 , H01L2224/81075 , H01L2224/81191 , H01L2224/8121 , H01L2224/8142 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81457 , H01L2224/81464 , H01L2224/81469 , H01L2224/81805 , H01L2224/81893 , H01L2224/81931 , H01L2224/83815 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01083

摘要： 本发明涉及半导体器件、电子器件以及半导体器件制造方法。所述半导体器件包括：连接构件，该连接构件包括形成在连接构件的主表面上的第一焊垫；半导体芯片，该半导体芯片包括其上形成第二焊垫的电路形成表面，该芯片安装在连接构件上使得电路形成表面面向主表面；以及钎料凸块，该钎料凸块连接第一焊垫和第二焊垫并且由包含Bi和Sn的金属制成，其中该块包括形成为靠近第二焊垫的第一界面层、形成为靠近第一焊垫的第二界面层、形成为靠近界面层中的任一个的第一中间区域，以及形成为靠近界面层中的另一个并且形成为靠近第一中间区域的第二中间区域；在第一中间区域中，Bi浓度高于Sn浓度；而在第二中间区域中，Sn浓度高于Bi浓度。

26.

发明公开
倒装芯片电路装置和用于制造倒装芯片电路装置的方法无效

公开(公告)号：CN104810337A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510028617.9

申请日：2015-01-20

申请人： 罗伯特·博世有限公司

发明人： M·齐默尔曼 , U·塞格

IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/498 , H01L21/60 , H01L21/603

CPC分类号： H01L23/13 , H01L23/49811 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L2224/1134 , H01L2224/16237 , H01L2224/1703 , H01L2224/17104 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2224/81385 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H05K3/321 , H05K2201/09036 , H05K2201/09472 , H05K2201/09745 , H05K2201/10674 , H05K2201/10734 , H05K2201/10977 , H05K2203/0278 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种倒装芯片电路装置(3)，其至少具有：具有第一表面(6)和构造在所述第一表面(6)中的至少一个凹槽结构(7)的电路载体(1)，所述至少一个凹槽结构具有下盖面(7.2)，其中，在所述凹槽结构(7)中构造有接通面(8.1，8.2，8.3，8.4)，装配在所述电路载体(1)上的、具有至少一个接触位置(5)的半导体构件(2)，接触单元(9.1，9.2，9.3，9.4)施加在所述至少一个接触位置上，其中，所述接触单元(9.1，9.2，9.3，9.4)贴靠所述接通面(8.1，8.2，8.3，8.4)以便构造电连接。根据本发明设置，所述接通面(8.1，8.2，8.3，8.4)至少部分地构造在所述凹槽结构(7)的壳面(7.1)上，其中，所述壳面(7.1)构造在所述第一表面(6)和所述凹槽结构(7)的下盖面(7.2)之间。

27.

发明公开
封装结构及制造方法无效

公开(公告)号：CN104425287A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310362550.3

申请日：2013-08-19

申请人： 讯芯电子科技(中山)有限公司

发明人： 王月荣

IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/488

CPC分类号： H01L21/56 , H01L23/49811 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/10165 , H01L2224/10175 , H01L2224/131 , H01L2224/1601 , H01L2224/16237 , H01L2224/8114 , H01L2224/81193 , H01L2224/81455 , H01L2924/181 , H01L2924/3841 , H01L2924/013 , H01L2924/01079 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/014

摘要： 一种封装结构，包括基板、设于基板上的芯片、多个锡球、多个焊垫、封胶体及与焊垫一一对应的隔离柱。芯片通过锡球与焊垫电性连接，封胶体包覆于芯片。隔离柱自相应的焊垫的边缘朝向远离焊垫的方向延伸形成，锡球收容于隔离柱内，隔离柱用于防止相邻的两个锡球之间发生短路。本发明还揭示了一种封装结构制造方法。本发明提供的封装结构及制造方法，通过在焊垫周边设置隔离柱，将锡球收容于隔离柱内，解决了锡桥问题，缩小了产品尺寸。