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公开(公告)号：CN103201835A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180042853.6
申请日：2011-07-07
申请人： 德塞拉股份有限公司
发明人： 贝勒卡西姆·哈巴
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/498 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/48 , H01L21/4853 , H01L21/563 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L2224/0401 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/0612 , H01L2224/114 , H01L2224/11472 , H01L2224/116 , H01L2224/11901 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13021 , H01L2224/13082 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/17515 , H01L2224/81136 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/814 , H01L2224/81805 , H01L2224/81815 , H01L2224/8182 , H01L2224/81893 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 封装的微电子元件（900），可包括具有正面（909）的微电子元件（902）和复数个从正面延伸的第一实心金属突柱（916）。基板（901）可具有主表面（906）和复数个在主表面暴露且与第一实心金属突柱（916）接合的导电元件（912）。在特定的示例中，导电元件（912）可为结合垫（992）或可为具有顶面（111）及以大角度从顶面向外延伸的边缘表面（113）的第二突柱（108）。每个第一实心金属突柱（916）可包括邻近微电子元件（902）的底部区域（36）及远离微电子元件的顶部区域（32），底部区域和顶部区域分别具有凹的外周面（46，44）。第一实心金属突柱（916）由多重蚀刻过程而形成，允许从单个金属层上形成单一的金属微触点或突柱，具有常规蚀刻过程中无法获得的间距、顶端直径和高度的组合。作为变例，从基板（921）顶面延伸的突柱（932）包括多重蚀刻的导电突柱，而从微电子元件（922）延伸的突柱（936）可为任意类型的导电突柱，或如另一变例，从基板（941）的顶面延伸的柱（952）及从微电子元件（942）的正面延伸的突柱（956）都包括多重蚀刻的导电突柱。
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公开(公告)号：CN103123916A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201210376141.4
申请日：2012-09-29
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/81 , H01L21/50 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49866 , H01L23/5383 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05647 , H01L2224/13111 , H01L2224/16145 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/16506 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/81002 , H01L2224/81065 , H01L2224/81075 , H01L2224/81191 , H01L2224/8121 , H01L2224/8142 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81457 , H01L2224/81464 , H01L2224/81469 , H01L2224/81805 , H01L2224/81893 , H01L2224/81931 , H01L2224/83815 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01083
摘要： 本发明涉及半导体器件、电子器件以及半导体器件制造方法。所述半导体器件包括：连接构件，该连接构件包括形成在连接构件的主表面上的第一焊垫；半导体芯片，该半导体芯片包括其上形成第二焊垫的电路形成表面，该芯片安装在连接构件上使得电路形成表面面向主表面；以及钎料凸块，该钎料凸块连接第一焊垫和第二焊垫并且由包含Bi和Sn的金属制成，其中该块包括形成为靠近第二焊垫的第一界面层、形成为靠近第一焊垫的第二界面层、形成为靠近界面层中的任一个的第一中间区域，以及形成为靠近界面层中的另一个并且形成为靠近第一中间区域的第二中间区域；在第一中间区域中，Bi浓度高于Sn浓度；而在第二中间区域中，Sn浓度高于Bi浓度。
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公开(公告)号：CN102668271A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080048508.9
申请日：2010-09-01
申请人： 国立大学法人东北大学
CPC分类号： H01L24/16 , B81B2203/04 , B81C3/001 , B81C2203/031 , H01L24/81 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16503 , H01L2224/81192 , H01L2224/8181 , H01L2224/81893 , H01L2224/97 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01R43/0214 , H01L2224/81 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供布线连接方法和功能器件。在第一基板(10)的连接电极部(12)、第二基板(15)的连接电极部(17)中的至少一个连接电极部上预先形成金属层(14)，以第一基板(10)的连接电极部(12)与第二基板(15)的连接电极部(17)隔着金属层(14)相对的方式使第一基板(10)与第二基板(15)重叠之后，通过一边第一基板(10)与第二基板(15)升温至阳极接合温度并维持该温度一边对第一基板(10)与第二基板(15)之间施加直流电压，对第一基板(10)与第二基板(15)进行阳极接合，与此同时，使金属层(14)熔融而对第一基板(10)的连接电极部(12)与第二基板(15)的连接电极部(17)进行电连接。由此，能够以良好成品率对多个基板进行阳极接合的同时进行布线连接，对封装等有效。
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公开(公告)号：CN102668271B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201080048508.9
申请日：2010-09-01
申请人： 国立大学法人东北大学
CPC分类号： H01L24/16 , B81B2203/04 , B81C3/001 , B81C2203/031 , H01L24/81 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16503 , H01L2224/81192 , H01L2224/8181 , H01L2224/81893 , H01L2224/97 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01R43/0214 , H01L2224/81 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供布线连接方法和功能器件。在第一基板(10)的连接电极部(12)、第二基板(15)的连接电极部(17)中的至少一个连接电极部上预先形成金属层(14)，以第一基板(10)的连接电极部(12)与第二基板(15)的连接电极部(17)隔着金属层(14)相对的方式使第一基板(10)与第二基板(15)重叠之后，通过一边第一基板(10)与第二基板(15)升温至阳极接合温度并维持该温度一边对第一基板(10)与第二基板(15)之间施加直流电压，对第一基板(10)与第二基板(15)进行阳极接合，与此同时，使金属层(14)熔融而对第一基板(10)的连接电极部(12)与第二基板(15)的连接电极部(17)进行电连接。由此，能够以良好成品率对多个基板进行阳极接合的同时进行布线连接，对封装等有效。
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公开(公告)号：CN103123916B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210376141.4
申请日：2012-09-29
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/81 , H01L21/50 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49866 , H01L23/5383 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05647 , H01L2224/13111 , H01L2224/16145 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/16506 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/81002 , H01L2224/81065 , H01L2224/81075 , H01L2224/81191 , H01L2224/8121 , H01L2224/8142 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81457 , H01L2224/81464 , H01L2224/81469 , H01L2224/81805 , H01L2224/81893 , H01L2224/81931 , H01L2224/83815 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01083
摘要： 本发明涉及半导体器件、电子器件以及半导体器件制造方法。所述半导体器件包括：连接构件，该连接构件包括形成在连接构件的主表面上的第一焊垫；半导体芯片，该半导体芯片包括其上形成第二焊垫的电路形成表面，该芯片安装在连接构件上使得电路形成表面面向主表面；以及钎料凸块，该钎料凸块连接第一焊垫和第二焊垫并且由包含Bi和Sn的金属制成，其中该块包括形成为靠近第二焊垫的第一界面层、形成为靠近第一焊垫的第二界面层、形成为靠近界面层中的任一个的第一中间区域，以及形成为靠近界面层中的另一个并且形成为靠近第一中间区域的第二中间区域；在第一中间区域中，Bi浓度高于Sn浓度；而在第二中间区域中，Sn浓度高于Bi浓度。
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